Спосіб нанесення покриття в вакуумі

Спосіб нанесення покриття в вакуумі, що включає послідовне напилення окремих шарів матеріалу цього покриття, який відрізняється тим, що перед напиленням кожного наступного шару попередній обробляють робочим газом шляхом підвищення його тиску в інтервалі від величини тиску при напиленні до тиску в одну а тмосферу. (19) (21) 99042343 (22) 26.04.1999 (24) 15.02.2001 (33) UA (46) 15.02.2001, Бюл. № 1, 2001 р. (72) Левченко Георгій Тимофійович, Згуровський Ми хайло Захарович, Ільченко Михайло Юхимович, Сагайдак Василь Андрійович 33893 побігти виникненню значних механічних напруг в системі підкладка - покриття. Разом з тим, швидке заселення свіжонапиленої поверхні окремого шару покриття атомами газу в процесі напуску і відкачки перед напиленням наступного шару дозволяє одержати ефект багатошарової структури без використання прошарків немагнітного матеріалу, тобто спростити технологічний процес нанесення покриття. Крім того, ефективне охолодження дозволяє підвищити швидкість напилення окремих шарів, чим забезпечити одержання дрібнокристалічної структури покриття зі зниженим забрудненням в процесі його росту атомами залишкових газів і продуктами їх взаємодії з атомами матеріалу, що наноситься. Проміжок часу напилення окремого шару вибирають в кожному конкретному випадку із умов обмеження температури підкладки та переривання процесу росту сто впчастої мікроструктури. Обробка газом при робочому тиску, при якому відбувалось напилення, також дозволяє одержати покриття з потрібними технічними характеристиками, але потребує збільшення затрат часу для охолодження підкладок внаслідок низької теплопровідності газу. Підвищення тиску газу в робочій камері до однієї атмосфери дозволяє значно підвищити його теплопровідність і, відповідно, скоротити час обробки, але при цьому збільшується час повторної відкачки до робочого тиску. Підвищення тиску вище атмосферного недоцільно, оскільки це не дає суттєвого підвищення теплопровідності, але призводить до розгерметизації робочої камери. Конкретне значення тиску газу, при якому проводять обробку окремих шарів покриття, вибирають залежно від типу устатк ування, матеріалу підкладки і матеріалу покриття, з урахуванням того, що суттєва зміна теплопровідності газу відбувається при підвищенні тиску в інтервалі 1-5 Па. Приклади виконання способу. Підкладки, наприклад, корпуси із пластмаси, а також спеціальні ситалові підкладки-супутники закріпляють на барабані або каруселі в робочій камері вакуумної установки, в якій розміщено магнетрон з мішенню, наприклад, із пермалою. Робочу камеру вакуумної установки відкачують до тиску 1,3 мПа, відкривають подачу робочого інертного газу (аргону) до одержання тиску, наприклад, 0,13 Па. Вмикають магнетрон з пермалоєм і проводять напилення окремого шару покриття протягом 2 хвилин зі швидкістю 60-100 нм/хв на підкладки, закріплені на барабані, що обертається. Вимкнувши магнетрон, закривають клапан високовакуумного насоса і напускають інертний газ до тиску, наприклад, 5 Па. Відкривають клапан високовакуумного насоса, відновлюють робочий тиск інертного газу і повторюють цикли напилення напуск до одержання необхідної товщини покриття, наприклад, 2 мкм. Кожен цикл триває від 5 до 7 хвилин, при цьому температура підкладки не перевищує 40-45°С, а коерцитивна сила нанесеного покриття на підкладках із спеціального ситалу і пластмасових корпусах приблизно однакова, незважаючи на значну невідповідність коефіцієнтів термічного розширення пластмаси, пермалою та ситалу, і становить 16-40 А/м, що свідчить про низький рівень механічних напруг в системі підкладка-покриття. Нанесення покриття із міді в вищевказаних режимах дозволяє одержати електропровідне покриття, питомий поверхневий опір якого не перевищує 0,01 Ом/квадрат. Висока електропровідність покриття, а також відсутність деформації пластмасових підкладок також свідчать про низький рівень механічних напруг. Запропонований спосіб був використаний для нанесення екрануючого покриття на внутрішню поверхню пластмасових корпусів дисплеїв ПК, що дозволило забезпечити виконання вимог з технічного захисту інформації, а також вимог із захисту користувача від електромагнітного випромінювання ПК. __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 2