Дозиметр оптичного випромінювання

Дозиметр оптичного випромінювання, що містить систему формування оптичного випроміню 3 нане з джерелом випромінювання за допомогою оптичного елемента. Недоліком вказаного пристрою є значні втрати корисного сигналу внаслідок екранування на плоскому дзеркалі та оптичному елементі, що розміщені всередині ФГ. В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення пристрою для дозиметрії оптичного випромінювання шляхом використання дзеркала з поверхнею криволінійного профілю, розташованого на боковій поверхні еліпсоїда обертання на одній осі з системою формування оптичного випромінювання (СФОВ) і вхідним вікном ФГ, що повністю усуває екранування на плоскому дзеркалі та оптичному елементі та покращує метрологічні характеристики дозиметру. Поставлена задача вирішується тим, що в дозиметрі оптичного випромінювання, що містить СФОВ, ФГ, внутрішня поверхня якої являє собою дзеркальну порожнину з поверхнею еліпсоїда обертання, одна з його фокальних площин є площиною контакту з досліджуваною поверхнею, а в другій розміщено приймач оптичного випромінювання, з'єднаний з контрольновимірювальною системою, дзеркало, новим є те, що дзеркало виконано з поверхнею криволінійного профілю і розташовано на боковій поверхні еліпсоїда обертання на одній осі з вхідним вікном ФГ і СФОВ. Сутність корисної моделі пояснюється кресленням, де на фіг. зображено функціональну структурну схему дозиметра оптичного випромінювання. СФОВ 1 оптично спряжена з ФГ 2, до складу якої входять два дзеркала: дзеркало з поверхнею еліпсоїда обертання 6 та дзеркало з поверхнею криволінійного профілю 4 розташоване на боковій поверхні еліпсоїда обертання, причому система формування оптичного випромінювання 1 розташована на одній оптичній осі з вхідним вікном 3 та дзеркалом 4. Оптично прозора кришка 7 закриває поверхню контакту ФГ 2 з досліджуваною поверхнею 6, захищаючи внутрішню поверхню ФГ 2 від забруднення, і в разі необхідності знімається. Приймач оптичного випромінювання (ПОВ) 8 з'єднаний з контрольно-вимірювальною системою 9, до складу якої входять сигнальний процесор (СП) 10, мікропроцесор (МП) 11, блок пам'яті (БП) 12 та індикатор 13. Первинну обробку сигналу з ПОВ 8 здійснює СП 10, що системно поєднаний з МП 11 45894 4 та БП 12, результат обробки інформації в якому відображається на індикаторі 13. Живлення СФОВ 1, ПОВ 8, СП 10, МП 11, БП 12 та індикатора 13 здійснюється від джерела живлення (ДЖ) 14. Використання у складі контрольно-вимірювальної апаратури СП 10, МП 11, БП 12 та індикатора 13 дозволяє виготовити цей пристрій як єдиний автономний прилад. Запропонований пристрій працює у такій послідовності. Світловий потік від СФОВ 1 направляють у ФГ 2 через вхідне вікно 3 і за допомогою дзеркала з поверхнею криволінійного профілю 4, наприклад, параболоїда обертання, спрямовують з певним характером просторового розподілу на досліджувану поверхню 5, яка знаходиться в одній з фокальних площин еліпсоїдного дзеркала 6. Дифузно відбите зразком світло падає на поверхню еліпсоїдного дзеркала 6 та збирається в другій фокальній площині, в якій розміщений ПОВ 8. Зареєстрований ПОВ 8 сигнал надходить до СП 10, де після підсилення та аналого-цифрового перетворення передається у МП 11. В МП 11 він оброблюється і порівнюється з даними, що зберігаються в БП 12. Потім результуючий сигнал відображається на індикаторі 13, який може бути розміщений на зовнішній стороні пристрою, у вигляді числа. При цьому коефіцієнт дифузного відбиття дослідного зразка визначається як: E r = rem × E0 , де: - ρem - коефіцієнт відбиття еталонного зразка, що використовується при калібруванні пристрою; - Е0 - освітленість в площині приймача, отримана при опроміненні еталонного зразка; - Е - освітленість в площині приймача, отримана при опроміненні дослідного зразка. Змінюючи параметри рівнянь, що задають форми поверхонь дзеркал 4 та 6, розміри і розташування вхідного вікна 3, а також дані, що зберігаються у БП 12, можна застосовувати дозиметр оптичного випромінювання для вимірювання коефіцієнту дифузного відбиття багатошарових діелектричних дзеркал, металічних поверхонь, покриттів на теплозахисних матеріалах, а також для діагностики різних травм та поверхневих захворювань живих біологічних тканин. 5 Комп’ютерна верстка І.Скворцова 45894 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601