Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 47242
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна
Формула / Реферат
Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що глибина отворів в основі менша товщини основи, причому отвори металізовано і гальванічно з'єднано з металізацією основи.
Текст
Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що глибина отворів в основі менша товщини основи, причому отвори металізовано і гальванічно з'єднано з металізацією основи. (19) (21) u200907359 (22) 13.07.2009 (24) 25.01.2010 (46) 25.01.2010, Бюл.№ 2, 2010 р. (72) ТИМОФЄЄВА ЮЛІЯ ФЕДОРІВНА, НАЗАРЬКО АНАТОЛІЙ ІВАНОВИЧ, НЕЛІН ЄВГЕНІЙ АНДРІЙОВИЧ (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ "КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" 3 47242 талізації і в основі отворів 3. На другому боці розміщено смужковий провідник 4. Глибина h' отворів 3 менша товщини h основи 1, причому отвори металізовано 5 і гальванічно з'єднано з металізацією основи 2. Величину h' обрано з виразу для хви 4 льового імпедансу Z несиметричної мікросмужкової лінії [див. Hong J.-S., Lancaster M. J. Microstrip Filters for RF/Microwave Applications. - New York: John Wiley & Sons, 2001. -471 p.]: Z = 120 p / e -0,5 {w / (h - h' ) + 1,393 + 0,677 ln[w / (h - h') + 1,444 ]}-1 , еф де εеф - ефективна діелектрична проникність; w - ширина смужкового провідника. В основі роботи пристрою лежить процес розповсюдження електромагнітних хвиль вздовж мікросмужкової лінії. В результаті відбиття хвиль від періодично розташованих неоднорідностей формуються дозволені та заборонені частотні зони. Середню частоту та ширину забороненої зони, а також мінімум коефіцієнта проходження в забороненій зоні визначає відношення хвильових імпедансів різнорідних областей ФК. Неоднорідності у вигляді ненаскрізних металізованих отворів мають значно менший імпеданс у порівнянні з однорідними областями. Таким чином, в даному випадку Z3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPhoton-crystalline device
Автори англійськоюTymofeieva Yuliia Fedorivna, Nazarko Anatolii Ivanovych, Nelin Yevhenii Andriiovych
Назва патенту російськоюФотонно-кристаллическое устройство
Автори російськоюТимофеева Юлия Федоровна, Назарько Анатолий Иванович, Нелин Евгений Андреевич
МПК / Мітки
МПК: H01P 3/08
Мітки: пристрій, фотоннокристалічний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-47242-fotonnokristalichnijj-pristrijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Фотоннокристалічний пристрій</a>
Попередній патент: Адсорбер вугільний
Наступний патент: П’єзоперетворювач для реєстрації біопотенціалів
Випадковий патент: Молольне тіло