Патенти з міткою «фотоннокристалічний»
Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями
Номер патенту: 97425
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Попсуй Володимир Ілліч
МПК: H01P 3/00
Мітки: хвильовими, пристрій, неоднорідностями, фотоннокристалічний, протифазними
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами
Фотоннокристалічний захисний пристрій
Номер патенту: 94474
Опубліковано: 10.05.2011
Автор: Уайтман Роберт
МПК: G02B 1/00, B42D 15/00, B42D 15/10 ...
Мітки: захисний, пристрій, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
1. Оптично змінюваний захисний пристрій, який містить фотонний кристал, для якого падаюче світло, що приймається кристалом, вибірково відбивається або пропускається кристалом для одержання першого оптично змінюваного ефекту, що спостерігається по першій множині напрямків, і падаюче світло, що приймається кристалом, вибірково відбивається або пропускається кристалом для одержання оптичного ефекту, що спостерігається по другій множині...
Фотоннокристалічний оптично змінний елемент захисту та забезпечувальний документ, що його містить
Номер патенту: 94277
Опубліковано: 26.04.2011
Автор: Уайтман Роберт
МПК: B42D 15/00, B42D 15/10
Мітки: захисту, містить, фотоннокристалічний, документ, елемент, забезпечувальний, змінній, оптично
Формула / Реферат:
1. Оптично змінний елемент захисту, який містить фотонний кристал, який сконфігурований так, що при попаданні падаючого світла, кристал проявляє перший оптичний ефект, і який, коли елемент підданий зовнішньому впливу, проявляє другий оптичний ефект, який відмітний від першого оптичного ефекту, причому щонайменше один з першого і другого оптичних ефектів є оптично змінним ефектом, що спостерігається на множині напрямків і викликаний світлом,...
Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями
Номер патенту: 55752
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Попсуй Володимир Ілліч, Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович
МПК: H01P 3/08
Мітки: неоднорідностями, хвильовими, пристрій, протифазними, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 53885
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович, Попсуй Володимир Ілліч
МПК: H01P 3/08
Мітки: пристрій, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд отворів, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, розташований над рядом отворів, який відрізняється тим, що сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісних провідників, причому мікросмужкові провідники розміщено почергово...
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 47242
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна
МПК: H01P 3/08
Мітки: пристрій, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що глибина отворів в основі менша товщини основи, причому отвори металізовано і гальванічно з'єднано з металізацією основи.
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 43888
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Назарько Анатолій Іванович, Тимофєєва Юлія Федорівна
МПК: H01P 3/08
Мітки: пристрій, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
Фотоннокристалічний пристрій, що містить металізовану з одного боку діелектричну основу, на другому боці якої розміщено смужковий провідник з періодично розташованими під ним ідентичними наскрізними отворами, який відрізняється тим, що кожний отвір виконано у формі прямокутного паралелепіпеда, дві протилежні грані якого суміщені з границями смужкового провідника, у кожному отворі з можливістю переміщення розташовано діелектричний стрижень у...