Нелін Євгеній Андрійович
Електромагнітнокристалічний пристрій
Номер патенту: 94871
Опубліковано: 10.12.2014
Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Попсуй Володимир Ілліч, Біденко Павло Сергійович, Назарько Анатолій Іванович
МПК: H01P 3/00
Мітки: електромагнітнокристалічний, пристрій
Формула / Реферат:
1. Електромагнітнокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд періодичнорозміщених хвильових неоднорідностей, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи розміщено сигнальний провідник, що містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових провідників та провідників неоднорідностей, причому відрізки мікросмужкових провідників розміщено почергово з неоднорідностями, який...
Електромагнітокристалічний відбивач
Номер патенту: 78246
Опубліковано: 11.03.2013
Автори: Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович, Попсуй Володимир Ілліч, Назарько Анатолій Іванович
МПК: H01P 3/00
Мітки: відбивач, електромагнітокристалічний
Формула / Реферат:
1. Електромагнітокристалічний відбивач, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і розміщений в металізації і в основі отвір, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, що містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісного провідників, причому навісний провідник розміщено над отвором і виконано непрямолінійним, який відрізняється тим, що навісний провідник розміщено з зазором...
Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями
Номер патенту: 97425
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Попсуй Володимир Ілліч, Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович
МПК: H01P 3/00
Мітки: пристрій, неоднорідностями, протифазними, фотоннокристалічний, хвильовими
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами
Електромагнітокристалічний відбивач
Номер патенту: 64315
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович
МПК: H01P 3/00
Мітки: електромагнітокристалічний, відбивач
Формула / Реферат:
1. Електромагнітокристалічний відбивач, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і розміщений в металізації і в основі отвір, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, що містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісного провідників, причому навісний провідник розміщено над отвором, який відрізняється тим, що навісний провідник виконано непрямолінійним.2....
Електромагнітнокристалічний пристрій
Номер патенту: 60664
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович
МПК: H01P 3/00
Мітки: пристрій, електромагнітнокристалічний
Формула / Реферат:
1. Електромагнітнокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів глибиною, меншою товщини основи, причому в кожному з отворів виконано металізацію, гальванічно зв'язану з металізацією основи, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що у напрямку поширення хвилі розмір lМ області...
Електромагнітнокристалічний пристрій
Номер патенту: 58413
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Назарько Анатолій Іванович
МПК: H01P 3/00
Мітки: електромагнітнокристалічний, пристрій
Формула / Реферат:
Електромагнітнокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд періодично розміщених металізованих отворів глибиною, меншою товщини основи, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що отвори виконано з боку сигнального провідника, а сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових провідників та...
Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями
Номер патенту: 55752
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Попсуй Володимир Ілліч, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович
МПК: H01P 3/08
Мітки: хвильовими, фотоннокристалічний, неоднорідностями, пристрій, протифазними
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 53885
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Попсуй Володимир Ілліч, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна
МПК: H01P 3/08
Мітки: фотоннокристалічний, пристрій
Формула / Реферат:
1. Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд отворів, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, розташований над рядом отворів, який відрізняється тим, що сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісних провідників, причому мікросмужкові провідники розміщено почергово...
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 47242
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Назарько Анатолій Іванович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович
МПК: H01P 3/08
Мітки: фотоннокристалічний, пристрій
Формула / Реферат:
Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що глибина отворів в основі менша товщини основи, причому отвори металізовано і гальванічно з'єднано з металізацією основи.
Фотоннокристалічний пристрій
Номер патенту: 43888
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович
МПК: H01P 3/08
Мітки: пристрій, фотоннокристалічний
Формула / Реферат:
Фотоннокристалічний пристрій, що містить металізовану з одного боку діелектричну основу, на другому боці якої розміщено смужковий провідник з періодично розташованими під ним ідентичними наскрізними отворами, який відрізняється тим, що кожний отвір виконано у формі прямокутного паралелепіпеда, дві протилежні грані якого суміщені з границями смужкового провідника, у кожному отворі з можливістю переміщення розташовано діелектричний стрижень у...