Тимофєєва Юлія Федорівна

Номер патенту: 78246

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович, Попсуй Володимир Ілліч, Нелін Євгеній Андрійович

МПК: H01P 3/00

Мітки: електромагнітокристалічний, відбивач

Формула / Реферат:

1. Електромагнітокристалічний відбивач, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і розміщений в металізації і в основі отвір, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, що містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісного провідників, причому навісний провідник розміщено над отвором і виконано непрямолінійним, який відрізняється тим, що навісний провідник розміщено з зазором...

Номер патенту: 97425

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович, Попсуй Володимир Ілліч

МПК: H01P 3/00

Мітки: пристрій, протифазними, неоднорідностями, хвильовими, фотоннокристалічний

Формула / Реферат:

1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами

Номер патенту: 64315

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович, Тимофєєва Юлія Федорівна

МПК: H01P 3/00

Мітки: електромагнітокристалічний, відбивач

Формула / Реферат:

1. Електромагнітокристалічний відбивач, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і розміщений в металізації і в основі отвір, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, що містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісного провідників, причому навісний провідник розміщено над отвором, який відрізняється тим, що навісний провідник виконано непрямолінійним.2....

Номер патенту: 55752

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Нелін Євгеній Андрійович, Назарько Анатолій Іванович, Тимофєєва Юлія Федорівна, Попсуй Володимир Ілліч

МПК: H01P 3/08

Мітки: протифазними, пристрій, фотоннокристалічний, неоднорідностями, хвильовими

Формула / Реферат:

1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами

Номер патенту: 53885

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Тимофєєва Юлія Федорівна, Попсуй Володимир Ілліч, Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович

МПК: H01P 3/08

Мітки: фотоннокристалічний, пристрій

Формула / Реферат:

1. Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд отворів, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, розташований над рядом отворів, який відрізняється тим, що сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісних провідників, причому мікросмужкові провідники розміщено почергово...

Номер патенту: 47242

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Тимофєєва Юлія Федорівна, Нелін Євгеній Андрійович, Назарько Анатолій Іванович

МПК: H01P 3/08

Мітки: пристрій, фотоннокристалічний

Формула / Реферат:

Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації і в основі отворів, а на другому боці над отворами розміщено смужковий провідник, який відрізняється тим, що глибина отворів в основі менша товщини основи, причому отвори металізовано і гальванічно з'єднано з металізацією основи.

Номер патенту: 43888

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Тимофєєва Юлія Федорівна, Назарько Анатолій Іванович, Нелін Євгеній Андрійович

МПК: H01P 3/08

Мітки: пристрій, фотоннокристалічний

Формула / Реферат:

Фотоннокристалічний пристрій, що містить металізовану з одного боку діелектричну основу, на другому боці якої розміщено смужковий провідник з періодично розташованими під ним ідентичними наскрізними отворами, який відрізняється тим, що кожний отвір виконано у формі прямокутного паралелепіпеда, дві протилежні грані якого суміщені з границями смужкового провідника, у кожному отворі з можливістю переміщення розташовано діелектричний стрижень у...