Генераторний сенсор

Генераторний сенсор, що містить транзистор, п'ять резисторів, підстроювальну індуктивність, перший та другий конденсатори, шину живлення, загальну шину, який відрізняється тим, що введено другу підстроювальну індуктивність, третій, четвертий та п'ятий конденсатори, вихідну клему, а як транзистор використано двозатворний польовий транзистор, другий затвор якого з'єднано з першим виводом другої підстроювальної індуктивності, другий вивід якої з'єднано через паралельне 3 50131 4 розділову ємність, в подальшому другий кондендругим виводом першого резистора 6, перший та сатор, до першої клеми вимірювального блока, а другий затвори двозатворного польового транзисстік польового транзистора, в подальшому транзитора 1 з'єднані між собою четвертим конденсатостор, з'єднаний з загальною шиною [Патент 43414 ром 9, витік двозатворного польового транзистора України, МПК G01R27/00. Опубл.10.08.2009, Бюл. 1 з'єднано через третій конденсатор 10 з загаль№15]. ною шиною 5, стік двозатворного польового транНедоліком даного пристрою є малий коефіцізистора 1 з'єднано через третій резистор 11 з шиєнт чутливості, наявність операційного підсилюваною живлення 12 і першим виводом першого ча знижує робочу частоту, що обмежує функціонаконденсатора 13, другий вивід якого з'єднано з льні можливості пристрою. вихідною клемою 14, перший вивід першого конВ основу корисної моделі поставлено задачу денсатора 13 з'єднано через послідовне з'єднання розробки такого генераторного сенсора, в якому за першої підстроювальної індуктивності 15 і другого рахунок введення нових елементів та зв'язків між конденсатора 16 з загальною шиною 5. ними досягається підвищення чутливості, що розПристрій працює наступним чином. Викорисширює функціональні можливості пристрою. товується узагальнений перетворювач імітансу Поставлена задача вирішується тим, що в ге(УПІ) на основі двозатворного польового транзиснераторний сенсор, який містить транзистор, п'ять тора 1, працюючого в режимі перетворення імітанрезисторів, підстроювальну індуктивність, перший су з спільними затворами. В результаті перетвота другий конденсатори, шину живлення, загальну рення імітансу другої підстроювальної шину, введено другу підстроювальну індуктивіндуктивності 2 вихідний імітанс між витоком і стоність, третій, четвертий та п'ятий конденсатори, ком володіє ємнісним і від'ємним активним оповихідну клему, а в якості транзистора використано ром, який сумісно з першою підстроювальною індвозатворний польовий транзистор, другий затвор дуктивністю 15 реалізує генератор, частота якого з'єднано з першим виводом другої підстрою1 генерації якого fген , де L15 - знавальної індуктивності, другий вивід якої з'єднано 2 L15 Свих через паралельне з'єднання п'ятого конденсатора чення індуктивність першої підстроювальної індукз п'ятим резистором з загальною шиною, витік двозатворного польового транзистора з'єднано з тивності 15, Cвих - значення ємності вихідного першим виводом першого резистора, другий вивід імітансу між витоком і стоком двозатворного якого з'єднано через другий резистор з загальною польового транзистора 1. Яка визначається: шиною, перший затвор двозатворного польового Cвих ТіL2 , де Ti - коефіцієнт інверсії УПІ, L2 транзистора з'єднано через четвертий резистор з значення індуктивність другої підстроювальної другим виводом першого резистора, перший та індуктивності 2. Отже частота генерації залежить другий затвори двозатворного польового транзисвід величини індуктивностей L2 і тора з'єднані між собою четвертим конденсатором, L15 : витік двозатворного польового транзистора з'єд1 . Змінюючи одночасно значення нано через третій конденсатор з загальною шиfген 2 L 2L1Ti ною, стік двозатворного польового транзистора з'єднано через третій резистор з шиною живлення першої 15 та другої 2 підстроювальних індуктивноі першим виводом першого конденсатора, другий стей змінюється частота генерації, за рахунок чого вивід якого з'єднано з вихідною клемою, перший досягається підвищення крутизни перетвореної вивід першого конденсатора з'єднано через послічутливості генераторного сенсора. Перший 6 та довне з'єднання першої підстроювальної індуктивдругий 7 резистори утворюють подільник напруги, ності і другого конденсатора з загальною шиною. через четвертий резистор 8 подається напруга на На кресленні наведено схему генераторного перший затвор двозатворного польового транзиссенсора. тора 1, п'ятий резистор 4 служить для подачі наПристрій містить двозатворний польовий трапруги на другий затвор двозатворного польового нзистор 1, другий затвор якого з'єднано з першим транзистора 1. Третій резистор 11 визначає нахил виводом другої підстроювальної індуктивності 2, навантаженої характеристики двозатворного другий вивід якої з'єднано через паралельне з'єдпольового транзистора 1. Перший 13, другий 16, нання п'ятого конденсатора 3 з п'ятим резистором третій 10, четвертий 9 та п'ятий 3 конденсатори є 4 з загальною шиною 5, витік двозатворного розділовими, пропускають змінний струм і не пропольового транзистора 1 з'єднано з першим вивопускають постійний. Вихідна клема 14 є сигнальдом першого резистора 6, другий вивід якого з'єдною. Загальна шина 5 служить заземленням. Шинано через другий резистор 7 з загальною шиною на живлення 12 призначена для подачі напруги. 5, перший затвор двозатворного польового транзистора 1 з'єднано через четвертий резистор 8 з 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 50131 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601