Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, що містить магнітооптичний шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12, розташований між двома бреггівськими дзеркалами, які складаються з N пар переміжних чвертьхвильових шарів Та2O5 і SiO2, який відрізняється тим, що додатково містить шар залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 товщиною 3l/8n, нанесений на шар, виконаний з вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату товщиною l/8n, де l - довжина хвилі, n - показник заломлення світла в магнітооптичних шарах.

Текст

Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, що містить магнітооптичний шар вісмут 3 зонаторного типу шляхом підвищення в ньому величини питомого обертання Фарадея. Поставлена задача вирішується тим, що магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, який включає магнітооптичний шар вісмутзаміщеного залізо-ітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12, розташований між двома бреггівськими дзеркалами, які складаються з N пар переміжних чвертьхвильових шарів Та2O5 і SiO2, згідно з корисною моделлю, додатково містить шар залізовісмутового гранату Ві3Fе5О12 товщиною 3/8n, нанесений на шар, виконаний з вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату товщиною /8n, де  - довжина хвилі, n - показник заломлення світла в магнітооптичних шарах. Такий кристал дозволяє одержувати високі значення питомого обертання Фарадея в ньому, що становлять десятки градусів на мікрон. На (фіг. 1) наведено схематичне зображення такого магнітофотонного кристала мікрорезонаторного типу. Кристал виготовлений на кварцовій підкладці (1) і містить два діелектричних бреггівських дзеркала, що складаються з N пар переміжних чвертьхвильових шарів Та2O5 (2) і SiO2 (3), між дзеркалами розташовано два магнітооптичних шари, один з яких виконаний з Bi1,0Y2,0Fe5O12 (4) товщиною /8n, а другий - нанесений на нього шар залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 (5) товщиною 3/8n. Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу працює так. Кристал вміщується в зовнішнє магнітне поле Н, напрямлене вздовж нормалі до його поверхні, яке перевищує поле насичення магнітооптичного шару. На кристал вздовж нормалі до його поверхні падає світловий потік лінійно поляризованого випромінювання (6) з резонансною довжиною хвилі R. Бреггівські дзеркала забезпечують локалізацію світла у феромагнітних мікрорезонаторних шарах Bi1,0Y2,0Fe5O12 (4) і Ві3Fе5О12 (5), що приводить до багаторазового посилення кута обертання Фарадея внаслідок багатопроменевої інтерференції. При цьому на спектральних залежностях коефіцієнта пропускання і кута обертання Фарадея на довжині хвилі R будуть спостерігатися максимуми коефіцієнта пропускання і кута обертання Фарадея. Приклад. Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу містить два бреггівських дзеркала, кожне з яких виконано у вигляді п'яти пар переміжних шарів Та2O5 і SiO2 з товщинами, відповідно, R/4n2 і R/4n3, де n2 = 2,31 і n3 = 1,50 - показники заломлення світла в шарах Та2O5 і SiO2, відповідно. Між дзеркалами розташований магнітооптичний шар, 54178 4 що складається з шару вісмут-заміщеного залізоітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12 товщиною R/8n і шару залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 товщиною 3R/8n, де n = 2,55 - показник заломлення світла в магнітооптичних шарах. Кристал моделювався і виготовлявся для резонансної довжини хвилі R = 655 нм. Відповідно, товщини його шарів становили: Та2O5 -71 нм, SiO2 - 109 нм, Bi1,0Y2,0Fe5O12 - 32 нм, Ві3Fе5О12 - 96 нм. Шари структури виготовлялися методом реактивного іонно-променевого розпилення відповідних мішеней у суміші аргону і кисню. Шар Bi1,0Y2,0Fe5O12 після напилення на шар SiO2 кристалізувався на повітрі при атмосферному тиску і при температурі 680 °С протягом 20 хв. Потім на нього наносився шар Ві3Fе5О12 і кристалізувався. Про успішну кристалізацію та утворення плівок гранатової фази свідчили вимірювання магнітооптичних петель гістерезису на довжині хвилі 655 нм зразків кожного з шарів Bi1,0Y2,0Fe5O12 і Ві3Fе5О12, а також усієї структури після її виготовлення. Ві3Fе5О12 і Bi1,0Y2,0Fe5O12 мають однакову магнітну підрешітку, внаслідок цього обидва шари в магнітофотонному кристалі будуть зв'язані обмінними взаємодіями. Підтвердженням цього стало те, що магнітооптична петля гістерезису виготовленого кристала була дуже подібна до магнітооптичної петлі гістерезису одношарової плівки Ві3Fе5О12 і не виявляла жодних ознак поділу на шари. Кути обертання Фарадея для кожного з магнітооптичних шарів Bi1,0Y2,0Fe5O12 і Ві3Fе5О12 склали мінус 0,064 і мінус 0,53°, відповідно. Це відповідає питомому обертанню Фарадея шарів, відповідно, мінус 2,0 і мінус 5,5 °/мкм, що відповідає значенням для плівок цих складів. Кут обертання двошарової структури Ві3Fе5О12 на Bi1,0Y2,0Fe5O12 склав мінус 0,58°. Вимірювання спектральних залежностей коефіцієнта пропускання і кута обертання Фарадея магнітофотонного кристала мікрорезонаторного типу показали, що кристал має фотонну заборонену зону між 550 і 750 нм, усередині якої спостерігається резонансне пропускання світла на довжині хвилі 655 нм, коефіцієнт пропускання становить 60 %. На цій же довжині хвилі резонансне значення питомого обертання Фарадея склало мінус 5,6°, що майже в 10 разів вище, ніж у сумі для шарів Bi1,0Y2,0Fe5O12 і Ві3Fе5О12 і відповідає питомому обертанню Фарадея мінус 43,75 °/мкм, що значно вище значення, характерного для прототипу. Перевагою пропонованого магнітофотонного кристала є можливість одержання в ньому високих значень питомого обертання Фарадея. 5 Комп’ютерна верстка І.Скворцова 54178 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Magnetic tape recorder crystal of resonance type

Автори англійською

Shaposhnikov Oleksandr Mykolaiovych, Prokopov Anatolii Romanovych, Karavainykov Andrii Viktorovych

Назва патенту російською

Магнитофотонный кристалл резонансного типа

Автори російською

Шапошников Александр Николаевич, Прокопов Анатолий Романович, Каравайников Андрей Викторович

МПК / Мітки

МПК: C30B 30/00

Мітки: мікрорезонаторного, типу, магнітофотонний, кристал

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-54178-magnitofotonnijj-kristal-mikrorezonatornogo-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу</a>

Подібні патенти