C30B 30/00 — Виробництво монокристалів або гомогенного полікристалічного матеріалу з певною структурою, що відрізняється впливом електричного або магнітного полів, хвильової енергії або інших специфічних фізичних умов

Номер патенту: 116091

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Кривунь Валентина Степанівна, Жартовський Олександр Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: отримання, спосіб, нових, вихідних, речовин, продуктів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Тріщук Любомир Іванович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Капуш Ольга Анатоліївна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович

МПК: C30B 28/00, C01B 19/00, C01G 11/00 ...

Мітки: спосіб, стабілізованих, телуриду, синтезу, нанокристалів, розчині, кадмію, колоїдному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 87156

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович, Бар'яхтар Віктор Григорович, Шарай Ірина Вікторівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: заданою, в.і, плівок, шорсткістю, поверхні, містить, ферит-гранату, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок ферит-гранату, що містить Ві, із заданою шорсткістю поверхні, який включає виготовлення мішені, що містить компоненти ферит-гранату, що містить Ві, розпилення компонентів мішені на підкладку з немагнітного гранату, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату на повітрі при атмосферному тиску, який відрізняється тим, що швидкість нагрівання плівки до температури кристалізації ферит-гранату...

Номер патенту: 104013

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович

МПК: C23C 14/54, C23C 14/28, C23C 14/58 ...

Мітки: закапсульованих, оболонки, нікелю, спосіб, вуглецеві, наночастинок, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення закапсульованих в вуглецеві оболонки наночастинок нікелю, що включає в себе випаровування матеріалу, який складається з суміші вуглецю і нікелю, електронним пучком в вакуумі, який відрізняється тим, що матеріал, який складається з суміші графіту і нікелю, нагрівають електронним пучком в вакуумі до температури, величина якої перевищує температуру плавлення нікелю (1455 °C), і витримують при цій температурі протягом...

Номер патенту: 81520

Опубліковано: 10.07.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: квантових, структур, спосіб, отримання, нанорозмірних, точок, типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанорозмірних структур Іn/ІnР по типу квантових точок Іn/ІnР на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині кислот у відношенні HF:H2O:HNO3= 5:5:1 при постійній напрузі від 3 до 15 В протягом часу від 3 хв. до 1 години.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять при впливі...

Номер патенту: 75622

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Юркова Ірина Миколаївна, Прокопов Анатолій Романович, Бержанський Володимир Наумович, Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: елемента, плазмонного, спосіб, одержання, сонячного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плазмонного сонячного елемента, що включає нанесення на скляну підкладку плівки аморфного кремнію, вирощування плівки оксиду кремнію шляхом нагрівання аморфного кремнію до високих температур, нанесення плівки срібла, який відрізняється тим, що готують розчин азотнокислого срібла концентрацією 0,1-1,0 г/дм3 і розчин альгінату натрію концентрацією 3,0-6,0 г/дм3, змішують у рівних об'ємах, в суміш поміщають підкладку з...

Номер патенту: 75595

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Прокопов Анатолій Романович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: комірка, фотовольтаїчна

Формула / Реферат:

Фотовольтаїчна комірка, яка містить активну область, оптичний резонатор з N пар оптично прозорих переміжних чвертьхвильових діелектричних шарів з низьким і високим показниками заломлення, розміщений на підкладці під активною областю, яка відрізняється тим, що додатково містить другий оптичний резонатор з N пар оптично прозорих переміжних чвертьхвильових діелектричних шарів з високим і низьким показниками заломлення, розміщений над активною...

Номер патенту: 75526

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Прокопов Анатолій Романович, Бержанський Володимир Наумович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: кристал, плазмонний, магнітофотонний

Формула / Реферат:

Плазмонний магнітофотонний кристал, який містить оптичний резонатор з резонансною довжиною хвилі lR у вигляді двох брегівських дзеркал, шари вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12 і залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 із сумарною оптичною товщиною, кратною lR/2, розміщені між брегівськими дзеркалами, який відрізняється тим, що додатково містить металеву субхвильову ґратку, розміщену на верхньому брегівському...

Номер патенту: 69101

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Шапошников Олександр Миколайович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 30/00

Мітки: матеріалу, спосіб, одержання, магнітооптичного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання магнітооптичного матеріалу, який включає осадження плівки вісмут-заміщеного ферит-гранату шляхом розпилення мішені на аморфну негранатову підкладку з немагнітного матеріалу, відпалювання одержаної аморфної плівки на повітрі при атмосферному тиску при температурі кристалізації ферит-гранату, який відрізняється тим, що на плівку кристалізованого вісмут-заміщеного ферит-гранату складу BixR3-xFezM5-zO12, де R - рідкісноземельні...

Номер патенту: 69071

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович, Шапошников Олександр Миколайович, Харченко Микола Федорович

МПК: C30B 30/00

Мітки: типу, кристал, магнітофотонний, мікрорезонаторного

Формула / Реферат:

Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, що включає шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату загальної формули Bi:YIG з показником заломлення n, розташований між двома брегівськими дзеркалами, який відрізняється тим, що шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату виконаний з матеріалу складу BizY3-zFe5O12, де z=0,5-3,0 ат./форм. од., брегівські дзеркала виконані з 3£N£10 пар шарів з показниками заломлення n1 і...

Номер патенту: 69070

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: матеріалу, одержання, магнітооптичного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання магнітооптичного матеріалу, що включає осадження плівки фериту-гранату, що містить Ві, шляхом розпилення відповідної мішені на підкладку немагнітного гранату, відпалювання одержаної аморфної плівки на повітрі при атмосферному тиску при температурі кристалізації фериту-гранату, який відрізняється тим, що на плівку кристалізованого фериту-гранату, що містить Ві, складу BixR3-xFezM5-zO12, де R - рідкісноземельні елементи,...

Номер патенту: 66219

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Каравайников Андрій Вікторович, Шапошников Олександр Миколайович

МПК: C30B 30/00

Мітки: плівок, спосіб, отримання, містить, нанорозмірних, ферит-гранату

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанорозмірних плівок ферит-гранату, що містить Ві, який включає виготовлення мішені, що містить компоненти вісмутового ферит-гранату, розпилення компонентів мішені на підкладку, відпалювання отриманої плівки при температурі кристалізації ферит-гранату, який відрізняється тим, що підкладку з монокристалічного гадоліній-галієвого гранату обробляють пучком іонів аргону при прискорювальних напругах від 0,8 до 4,0 кВ і струмах...

Номер патенту: 96345

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Шаповалов Віктор Олександрович, Карускевич Ольга Віталіївна, Гніздило Олександр Миколайович, Колєсніченко Володимир Іванович

МПК: C30B 30/00, C30B 35/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: монокристалічною, тугоплавких, полікристалічною, певною, структурою, отримання, профільованих, монокристалів, матеріалів, виробів, пристрій, металів, вирощування

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який виконаний з можливістю  переміщення у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке виконане з можливістю  переміщення в...

Номер патенту: 56052

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Вишневський Віктор Георгійович, Недвига Олександр Степанович, Бержанський Володимир Наумович, Нестерук Олександр Григорович

МПК: C30B 30/00

Мітки: атомній, чіп

Формула / Реферат:

Атомний чип, що містить монокристалічну магнітну плівку з ефектом пам'яті, який відрізняється тим, що плівка містить N≥2 субшарів, виконаних з різною коерцитивною силою, причому Нс1>Нс2>...>НсN>Нb, де Нb - зовнішнє однорідне магнітне поле зміщення, температурою Кюрі, що різниться не менше ніж на 10 % від одного субшару до іншого, і перпендикулярною магнітною анізотропією.

Номер патенту: 54178

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович, Прокопов Анатолій Романович

МПК: C30B 30/00

Мітки: кристал, мікрорезонаторного, типу, магнітофотонний

Формула / Реферат:

Магнітофотонний кристал мікрорезонаторного типу, що містить магнітооптичний шар вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого гранату Bi1,0Y2,0Fe5O12, розташований між двома бреггівськими дзеркалами, які складаються з N пар переміжних чвертьхвильових шарів Та2O5 і SiO2, який відрізняється тим, що додатково містить шар залізо-вісмутового гранату Ві3Fе5О12 товщиною 3l/8n, нанесений на шар, виконаний з вісмут-заміщеного залізо-ітрієвого...

Номер патенту: 54033

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Шапошников Олександр Миколайович

МПК: C30B 30/00

Мітки: одновимірний, кристал, магнітофотонний

Формула / Реферат:

Одновимірний магнітофотонний кристал, що включає підкладку, 2m пар переміжних діелектричних шарів з великим і малим показниками заломлення, у середині між якими розміщений шар феромагнетика, який відрізняється тим, що діелектричні шари виконані з п'єзоелектричних матеріалів, а на підкладку і верхній діелектричний шар структури додатково нанесені відбивний і напівпрозорий шари металу.

Номер патенту: 53935

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Прокопов Анатолій Романович, Шапошников Олександр Миколайович, Каравайников Андрій Вікторович

МПК: C30B 30/00

Мітки: кристал, магнітофотонний

Формула / Реферат:

Магнітофотонний кристал, що містить пари осаджених на підкладку магнітних і немагнітних шарів, що чергуються, магнітний шар виконаний з матеріалу хімічного складу Bi1,0Y2,0Fe5O12, немагнітний - з матеріалу хімічного складу SiО2, який відрізняється тим, що додатково містить не менше однієї пари магнітного і немагнітного шарів, причому магнітний шар виконаний з матеріалу хімічного складу Bi1,5Gd1,5Fe3,8Ga1,2O12.

Номер патенту: 51287

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Якуша Володимир Вікторович, Гніздило Олександр Миколайович, Шаповалов Віктор Олександрович, Колєсніченко Володимир Іванович, Карускевич Ольга Віталіївна

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 30/00 ...

Мітки: матеріалів, отримання, пристрій, певною, монокристалів, металів, профільованих, полікристалічною, вирощування, виробів, структурою, монокристалічною, тугоплавких

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких металів та для отримання профільованих виробів з монокристалічною, полікристалічною, певною структурою з тугоплавких матеріалів, який включає герметичну камеру, механізм подачі витратного матеріалу в зону підживлення металевої ванни, піддон, який переміщається у вертикальній площині, плазмове джерело нагрівання, яке переміщається в зворотно-поступовому режимі в горизонтальній площині,...

Номер патенту: 81244

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Білан Наталія Валерієвна, Соболєв Валерій Вікторович

МПК: B01J 8/00, C30B 30/00

Мітки: речовини, спосіб, обробки, мінеральної

Формула / Реферат:

1. Спосіб обробки мінеральної речовини, який включає нагрівання, вплив електричним полем, пропускання електричного струму, який відрізняється тим, що додатково здійснюють вплив пульсуючим магнітним полем напруженістю від 40 до 8000 А/м водночас із впливом електричного поля та пропусканням електричного струму щільністю від 10 до 104 А/м2.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що мікроструктуру мінеральної речовини спочатку...

Номер патенту: 27054

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Євдокимов Сергій Вікторович, Яценко Олександр Вікторович, Ягупов Сергій Володимирович

МПК: C30B 30/00

Мітки: монокристалах, сімейства, збільшення, водню, аво3, спосіб, концентрації, об'ємної, сегнетоелектричних

Формула / Реферат:

Спосіб збільшення об'ємної концентрації водню в сегнетоелектричних монокристалах сімейства АВО3 включає термохімічну обробку кристала в кислоті, який відрізняється тим, що кристал після термохімічної обробки запаюють в ампулу, що утримує воду, та проводять відпалювання зразка протягом не менше 10 діб.

Номер патенту: 20263

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Пеліхатий Микола Михайлович, Гетманець Олег Михайлович

МПК: C30B 31/00, C30B 30/00

Мітки: методом, віддачі, спосіб, легування, атомів, електричному, зовнішньому, напівпровідників, полі, металевих, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб легування напівпровідників методом атомів віддачі з металевих плівок в зовнішньому електричному полі в процесі опромінювання системи метал-напівпровідник пучком прискорених іонів при впливі на систему імпульсу напруги, який відрізняється тим, що величину й напрям зовнішнього електричного поля в процесі легування змінюють, при цьому цілеспрямовано змінюють профіль концентрації атомів віддачі в напівпровіднику.

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Луців Роман Васильович, Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович

МПК: C30B 9/00, C30B 28/00, C30B 30/00 ...

Мітки: спосіб, ртуті, кристалів, отримання, халькогенідів, напівпровідникових, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 71915

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович

МПК: C30B 28/00, C30B 30/00

Мітки: розплаву, напівпровідникових, отримання, пристрій, спосіб, реалізації, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...

Номер патенту: 40674

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Аксельруд Лев Григорович, Ромака Любов Петрівна, Куліков Леонід Мінейович, Семенов-Кобзар Андрій Олександрович

МПК: C30B 30/00, C01G 33/00, C01B 19/00, C30B 7/00 ...

Мітки: отримання, нанокристалічних, спосіб, порошків, ніобію, дихалькогенідів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокристалічних порошків дихалькогенідів ніобію, що включає їх диспергування при електрохімічній обробці в розчинах електролітів, який відрізняється тим, що електрохімічну обробку диселеніду ніобію та його інтеркалятів виконують постійним струмом  9 - 760 мА  при пропусканні заряду  190 - 13150  Кл в водних розчинах сульфату літію з концентрацією 4,70 - 13,10 % мас.

Номер патенту: 15151

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Бродовий Олександр Володимирович, Скороход Валерій Володимирович, Колесніченко Валерій Григорович, Солонін Сергій Михайлович

МПК: C30B 30/00

Мітки: монокристали, надпровідного, металеві, переходу, високою, температурою

Формула / Реферат:

1. Металлические монокристаллы с высокой температурой сверхпроводящего перехода с целенаправленно генерированными структур­ными дефектами, отличающиеся тем, что эти дефекты представляют собой нарушения сплош­ности металла и являются квазидвумерными об­разованиями, обладающими свободной поверхностью.2. Металлические монокристаллы по п.1, отли­чающиеся тем, что линейный размер структур­ных дефектов составляет 1-5 мкм, а их концентрация в...