Резистор із регульованими додатними і від`ємними статичними параметрами (опір, провідність)
Номер патенту: 59292
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Кривенко Віктор Іванович, Карандаков Генадій Васильович
Формула / Реферат
Резистор із регульованими додатними і від'ємними статичними параметрами (опір, провідність), що містить постійний резистор, до виходу якого в схемі включення прикладена, зустрічно напрузі, що діє на вході, напруга допоміжного джерела живлення, який відрізняється тим, що допоміжним джерелом є джерело напруги, кероване напругою, утвореною на вході резистора, із регульованим коефіцієнтом передачі.
Текст
Резистор із регульованими додатними і від'ємними статичними параметрами (опір, провідність), що містить постійний резистор, до виходу якого в схемі включення прикладена, зустрічно напрузі, що діє на вході, напруга допоміжного джерела живлення, який відрізняється тим, що допоміжним джерелом є джерело напруги, кероване напругою, утвореною на вході резистора, із регульованим коефіцієнтом передачі. (19) (21) u201012536 (22) 25.10.2010 (24) 10.05.2011 (46) 10.05.2011, Бюл.№ 9, 2011 р. (72) КАРАНДАКОВ ГЕНАДІЙ ВАСИЛЬОВИЧ, КРИВЕНКО ВІКТОР ІВАНОВИЧ (73) НАЦІОНАЛЬНИЙ ТРАНСПОРТНИЙ УНІВЕРСИТЕТ 3 2. Джерело напруги кероване напругою, яка прикладена до входу резистора R. Для схеми фіг.1 справедливі співвідношення: U1–UR–kU1=0, де UR=RI. Звідки UR=(1-k)U1; I=UR/R=(1-k)U1/R. Опір схеми R(k) між точками 1-2 буде: R(k)=U/I=R/(1-k). Отже, R(k)=R/(1-k) або g(k)=1/R(k). Тут g(k) провідність між точками 1-2. На фіг.2, 3 - показані графіки залежностей R(k) і g(k) відповідно: Як випливає з графіків, пропонований ККрезистор дозволяє змінювати свій опір (провідність) в широких межах, які включають і від'ємні значення, що вигідно відрізняє його від всіх відомих варіантів. Нижче наведені порівняльні результати електричного моделювання системи алгебраїчних рівнянь із квазівід'ємними резисторами і за допомогою пропонованих КК-резисторів, реалізованих в середовищі пакета програм схемотехнічного моделювання WorkBench [4]. Нехай задана система лінійних алгебраїчних рівнянь виду: 5 х1 3х 2 1 (1) 8 х1 х 2 19 Цій системі відповідає електрична модель, що представлена на фіг.4. При g1 -(g11 g12 ) та g2 -(g21 g22 ) схема описується рівняннями: g11U1 g12U2 J1 (2) g21U1 g22U2 J2 Встановимо зв'язок між рівняннями (1) і (2), для чого введемо масштабні залежності Ui xi x ; Ji b b у систему (2). В результаті будемо мати: g11 x x1 g12 x x 2 b1 b b (3) x x g21 x1 g22 x 2 b2 b b Із порівняння (1) і (3) випливає: aij gij x або gij aij b . x b Вольт Ампер x b Тут ; ; одиниця х одиниця b Сименс а b x одиниця а Використовуючи наведені співвідношення підрахуємо параметри схеми, що наведена на фіг.4: 59292 4 1. Обираємо масштаб а b 0,01 x Сим . Тоді: gij aij a 0,01 Сим. одиниця а А 2. Обираємо масштаб b 0,1 і одиниця b отримуємо: J1=0,1 A; J2=0,9 A. 0,1 3. Знаходимо масштаб x b 10 а 0,01 В . одиниця х 4. Знаходимо параметри електричної моделі: g11 a11 a 5 0,01 0,05 Сим; g12 a12 a 0,03 Сим ; g1 (g11 g12 ) 0,02 Сим g21 0,08 Сим; g22 0,01Сим; g2 0,09 Сим. J1 1 0,1 0,1А; J2 19 0,1 1,9 А. Далі, в електричній схемі моделі від'ємні опори реалізуємо за схемою запропонованою Г.Є. Пуховим і ітераційним шляхом підбираємо U2, доки на всіх від'ємних елементах не виконуватиметься співвідношення U2=2·U1. Після виміру Ui отримуємо: U 20 U1 20 B; U2 30 B або x1 1 2; x 10 30 3. 10 Значення х1 і х2 є результатом рішення системи (1). Тепер застосуємо як елемент моделі, що має від'ємний опір (схема моделі на фіг.4), пропонований КК-резистор із коефіцієнтом передачі k=2. Схема віртуальної реалізації моделі в середовищі Workbench наведена на фіг.5. Параметри схеми і результати рішення у вольтах показані на віртуальній схемі фіг.5. З урахуванням прийнятого раніше масштабу х: х1=2; х2=3. Джерела інформації 1. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. - М.: Высшая школа, 1978. - 528 с. 2. Рудольф. Ф. Граф, Вильям Шиите. Энциклопедия электронных схем.. - М: Изд-во "ДМК", 2000. - Том 7. - Часть II - 411с. 3. Энциклопедия кибернетики. Т.1. - К.: УСЭ, 1975. - 607с. 4. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях. Практикум на Electronics Workbench. / Под общей редакцией Д.И.Панфилова. - М.: Изд-во "Додека", 1999. - тт. 1 и 2. х2 5 Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська 59292 6 Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюResister with controlled positive snd negative static parameters (resistance, conductivity)
Автори англійськоюKandakov Hennadii Vasyliovych, Kryvenko Viktor Ivanovych
Назва патенту російськоюРезистор с регулируемыми положительными и отрицательными статическими параметрами (сопротивление, проводимость)
Автори російськоюКандаков Геннадий Васильевич, Кривенко Виктор Иванович
МПК / Мітки
МПК: G06G 7/00
Мітки: резистор, регульованими, від`ємними, статичними, додатними, провідність, параметрами, опір
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-59292-rezistor-iz-regulovanimi-dodatnimi-i-videhmnimi-statichnimi-parametrami-opir-providnist.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Резистор із регульованими додатними і від`ємними статичними параметрами (опір, провідність)</a>
Попередній патент: Спосіб лікування плеврального випоту різного генезу
Наступний патент: Структурно-вантова сталезалізобетонна аркова конструкція
Випадковий патент: Спосіб локації джерел випромінювання і пристрій для його здійснення