Буєров Геннадий Васильович

Номер патенту: 85333

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Буєров Геннадий Васильович, Костишин Ярослав Ярославович, Проценко Максим Анатолійович, Антонова Валентина Антонівна, Тимчук Ігор Трохимович, Лістратенко Олександр Михайлович, Борщов В'ячеслав Миколайович

МПК: H01L 31/04

Мітки: спосіб, батареї, сонячної, модуля, гнучкого, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гнучкого модуля сонячної батареї, заснований на послідовно-паралельній комутації сонячних елементів між собою за допомогою гнучкої друкованої плати з алюміній-поліімідного фольгованого діелектрика, що включає формування фотолітографічним способом в алюмінієвому шарі фольгованого діелектрика смужок для паралельного з'єднання та гнучких виводів для послідовного з'єднання сонячних елементів, формування в поліімідному шарі...

Номер патенту: 83968

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Лістратенко Олександр Михайлович, Проценко Максим Анатолійович, Костишин Ярослав Ярославович, Тимчук Ігор Трохимович, Буєров Геннадий Васильович, Борщов В'ячеслав Миколайович

МПК: H01L 27/15

Мітки: гнучкого, виготовлення, спосіб, модуля, світлодіодного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення гнучкого світлодіодного модуля, що включає формування гнучкої комутуючої плати, встановлення та з'єднання світлодіодних приладів електричною схемою на гнучкій комутуючій платі, встановлення комутуючої плати зі світлодіодними приладами на теплопровідні основи, які розміщені на відстані одна від одної, який відрізняється тим, що гнучку комутуючу плату виготовляють з лакофольгового діелектрика, у якій методом...

Номер патенту: 9295

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Д'яковський Олег Володимирович, Буєров Геннадий Васильович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Клембек Сергій Петрович

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Мітки: теhзоперетворювач, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый тензопреобразователь, содержащий подложку одного типа проводимости, сформированные в ней тензорезистивные области второго типа проводимости, выполненные в виде сплошного зигзагообразного резистивного слоя прямоугольной формы, подзатворный диэлектрик, управляющие электроды и электроды питания, отличающийся тем, что, с целью повышения чув­ствительности, приконтактные области располо­жены с двух сторон вдоль торцовых участков...

Номер патенту: 9294

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Буєров Геннадий Васильович, Клембек Сергій Петрович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Богатов Павло Миколайович

МПК: G01B 7/16, G01B 7/00

Мітки: hапівпровідhиковий, теhзоперетворювач

Формула / Реферат:

Полупроводниковый тензопреобразователь, содержащий полупроводниковую пластину перво­го типа проводимости, в которой сформирован тензорезистор второго типа проводимости с решеткой типа меандр, отличающийся тем, что, с целью рас­ширения функциональных возможностей, 20-30% площади тензорсзистора выполнено в виде управляемого резистора с запоминающей структу­рой, расположенного со стороны одного из выводов тензорезистора.

Номер патенту: 9292

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Гілецький Нестор Павлович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Буєров Геннадий Васильович

МПК: H01L 29/68

Мітки: мдп-резистор, керуємий

Формула / Реферат:

Управляемый МДП-резистор по авт. св. № 724005, отличающийся тем, что, с целью расшире­ния диапазона регулирования, сплошной резистивный слой имеет зигзагообразную форму, а управляющий электрод выполнен секционным.

Номер патенту: 9293

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Харибін Олександр Георгієвич, Гілецький Нестор Павлович, Буєров Геннадий Васильович, Борщов В'ячеслав Миколайович

МПК: H01L 29/68

Мітки: мдп-резистор, керуємий

Номер патенту: 9291

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Гілецький Нестор Павлович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Буєров Геннадий Васильович

МПК: H01L 29/76, H01L 29/68

Мітки: прилад, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый прибор на основе МДП-структуры, содержащий полупроводниковую под­ложку первого типа проводимости, в которой сформированы локальные высоколегированные области с контактами, ограничивающие область канала, две из которых расположенные на проти­воположных сторонах канала имеют второй тип проводимости и изолированный затвор, отличаю­щийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и линеаризации его,...