Оптоелектронний пристрій для вимірювання тиску

Оптоелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело світла, відбиваючу діафрагму, фотоприймальний діод, які послідовно сполучені за допомогою волоконно-оптичного джгута з ділянками передавальних і приймальних волокон, який відрізняється тим, що введено біполярний і польовий транзистори, перше і друге C2 2 (19) 1 3 75755 4 рення оптоелектронного пристрою для виміру тисживлення. ку, в якому за рахунок введення нових блоків і На креслені подано схему оптоелектронного зв'язків між ними досягається підвищення пристрою для виміру тиску. чутливості і точності виміру тиску. Пристрій містить джерело світла 1, передаПоставлена задача вирішується тим, що в вальна ділянка волоконно-оптичного джгута 2, пристрій, який містить джерело світла, відбиваючу відбиваючу діафрагму 3, приймальна ділянка водіафрагму, фотоприймальний діод, волоконнолоконно-оптичного джгута 4 та фотоприймальний оптичний джгут з передаючих і приймальних володіод 5, який з'єднаний із колектором біполярного кон, введено біполярний і польовий транзистори, транзистора 6 і затвором польового транзистора перше і друге джерело постійної напруги, рези7. Емітер біполярного транзистора 6 і витік польостор, ємність та пасивна індуктивність, що дало вого транзистора 7 з'єднані між собою. База змогу замінити перетворення тиску у напругу у біполярного транзистора 6 з'єднана через резивідомому пристрої на перетворення тиску у частостор 8 з першим джерелом постійної напруги 9. ту у запропонованому пристрої, причому, база Пасивна індуктивність 10 з'єднана із ємністю 11, біполярного транзистора через резистор з'єднана яка підключена паралельно другому джерелу з першим полюсом першого джерела постійної постійної напруги 12. Вихід пристрою утворений напруги, а другий полюс першого джерела затвором польового транзистора 7 і загальною постійної напруги з'єднаний із стоком польового шиною. транзистора, при цьому емітер біполярного транОптоелектронний пристрій для виміру тиску зистора з'єднаний із витоком і підкладкою польопрацює таким чином. вого транзистора, а затвор польового транзистора В початковий момент часу тиск не діє на чутз'єднаний із катодом фотоприймального діода, до ливу до тиску відбиваючу діафрагму 3. якого підключена перша вихідна клема, анод фоПідвищенням напруги джерел постійної наруги 9 і топриймального діода з'єднаний із колектором 12 до величини, коли на електродах колектор-стік біполярного транзистора і першим виводом біполярного транзистора 6 і польового транзистопасивної індуктивності, другий вивід пасивної ра 7 виникає від'ємний опір, який приводить до індуктивності підключений до першого виводу виникнення електричних коливань у контурі, утвоємності і першого полюса другого джерела реним послідовним включенням повного опору з постійної напруги, другий вивід ємності з'єднаний з ємнісним характером на електродах колектор-стік другим полюсом другого джерела постійної напрубіполярного транзистора 6 і польового транзистоги, стоком польового транзистора і другим полюра 7 та індуктивним опором пасивної індуктивності сом першого джерела постійної напруги, які утво10. Ємність 11 запобігає проходженню змінного рюють загальну шину, до якої підключена друга струму через джерело постійної напруги 12. При вихідна клема пристрою. наступній дії тиску на відбиваючу діафрагму 3 чеВикористання запропонованого оптоелектронрез приймальний волоконно-оптичний джгут 4 на ного пристрою для виміру тиску суттєво підвищує фотоприймальний діод 5 поступає світло, чутливість і точність виміру інформативного параінтенсивність якого пропорційна тиску, що змінює метру за рахунок виконання ємнісного елемента повний опір фотоприймального діода 5, який, у коливального контуру у вигляді біполярного і свою чергу, змінює величину ємнісної складової польового транзисторів, в якому зміна ємності під повного опору на електродах колектор-стік дією тиску перетворюється в ефективну зміну біполярного транзистора 6 і польового транзисторезонансної частоти, а також лінеаризації функції ра 7, а це викликає зміну резонансної частоти коперетворення шляхом вибору величини напруги ливального контуру. Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 5 75755 6