Оптоелектронний пристрій для вимірювання дози швидких нейтронів

Оптоелектронний пристрій для вимірювання дози швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів напівпровідниковий світлодіод і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний фототранзистор і польовий транзистор, резистор, пасивну індуктивність, ємність, друге і третє джерела постійної 3 75236 4 відомому пристрої на перетворення дози швидких швидких нейтронів містить перше джерело нейтронів у частоту у запропонованому пристрої, постійної напруги 1, чутливий до радіації причому перший полюс другого джерела постійної напівпровідниковий світлодіод 2 та біполярний напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а фототранзистор 3, емітер якого з'єднаний із витодругий вивід резистора з'єднаний з базою ком польового транзистора 4, стік якого біполярного фототранзистора, колектор якого підключений через резистор 5 і друге джерело підключений до затвору польового транзистора, постійної напруги 6. Пасивна індуктивність 7 який утворює першу вихідну клему, першого вивоз'єднана з ємністю 8, яка підключена паралельно ду пасивної індуктивності, а другий вивід пасивної третьому джерелу постійної напруги 9. Вихід приіндуктивності з'єднаний з першим виводом ємності строю утворений затвором польового транзистора і першим полюсом третього джерела постійної 4 і загальною шиною. напруги, а другий полюс третього джерела Оптоелектронний пристрій для виміру дози постійної напруги підключений до другого виводу швидких нейтронів працює таким чином (див. Фіг.). ємності і стоку польового транзистора, при цьому В початковий момент часу доза швидких виток польового транзистора з'єднаний з емітером нейтронів не діє на чутливий до радіації біполярного фототранзистора, а стік польового напівпровідниковий світлодіод 2. Підвищенням транзистора підключений до другого полюсу друнапруги джерел постійної наруги 6 і 9 до величини, гого джерела постійної напруги, що утворює заколи на електродах колектор-стік біполярного фогальну шину, до якої підключена друга вихідна тотранзистора 3 і польового транзистора 4 клема. виникає від'ємний опір, який приводить до виникВикористання запропонованого пристрою для нення електричних коливань у контурі, утвореним виміру дози швидких нейтронів суттєво підвищує послідовним включенням повного опору з чутливість пристрою за рахунок виконання ємнісним характером на електродах колектор-стік ємнісного елемента коливального контуру у біполярного фототранзистора 3 і польового транвигляді біполярного фототранзистора і польового зистора 4 та індуктивним опором пасивної транзистора. Зміна величини дози швидких індуктивності 7. Ємність 8 запобігає проходженню нейтронів, яка діє на чутливий до радіації змінного струму через джерело постійної напруги напівпровідниковий світлодіод, змінює 9. При наступній дії дози швидких нейтронів на інтенсивність його світла, яке поступає на чутливий до радіації напівпровідниковий біполярний фототранзистор, що приводить до світлодіод 2, інтенсивність його світла змінюється і зміни ємності коливального контуру, що викликає поступає на біполярний фототранзистор 3, що зміну резонансної частоти, при цьому можлива змінює його повний опір, який, у свою чергу, лінеаризація функції перетворення шляхом вибору змінює величину ємнісної складової повного опору величини напруги живлення. на електродах колектор-стік біполярного фотоНа креслені подано схему оптоелектронного транзистора 3 і польового транзистора 4, а це пристрою для виміру дози швидких нейтронів. викликає зміну резонансної частоти коливального Оптоелектронний пристрій для виміру дози контуру. Комп’ютерна верстка М. Клюкін Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601