Спосіб підготовки насіннєвої картоплі до садіння

Реферат: UA 115324 U UA 115324 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Корисна модель належить до сільського господарства, а саме до підготовки насіннєвої картоплі до садіння, і може використовуватись у фермерських і дачних господарствах. Відомі способи підготовки картоплі до садіння шляхом прогрівання та пророщування бульб картоплі перед садінням при оптимальній температурі [1, 2]. Недоліком відомого способу є низька врожайність картоплі. В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення способу підготовки насіннєвої картоплі до садіння шляхом прогрівання та пророщування бульб у вологому середовищі, що значно прискорить фази розвитку картоплі, створить оптимальні умови для формування листкової поверхні, і в кінцевому результаті підвищить врожайність картоплі. Поставлена задача вирішується тим, що у способі підготовки насіннєвої картоплі до садіння, що включає прогрівання та пророщування насіннєвих бульб при оптимальній температурі, згідно з корисною моделлю, бульби картоплі пророщують у вологому середовищі торфу, перегною або тирси при температурному режимі 12-15 °C протягом 15-20 днів, причому довжина коренів і паростків не повинна бути більшою від діаметра бульби. В умовах західного Лісостепу через 60 днів після садіння можна мати врожай ранньої картоплі в межах 140-150 кг з 0,01 га. Для ранньої картоплі найпридатнішими є легкі піщані та супіщані, а також суглинкові ґрунти. Слід врахувати таку особливість при підготовці насіннєвого матеріалу до садіння, що крім загальної значної потреби картоплі в поживних речовинах, ранні сорти починають їх інтенсивно використовувати значно раніше. Тому необхідно дати рослинам легкодоступні елементи живлення якомога раніше. Спосіб підготовки насіннєвої картоплі до садіння здійснюється наступним чином. Бульби картоплі перед садінням пророщують у вологому середовищі. Для цього використовують торф, перегній, тирсу, причому їх вологість слід підтримувати на рівні 75-80 %. Температурний режим такий же, як при світловому пророщуванні - 12-15 °C. На дно тари насипають прогрітий до 12 °C розпушений матеріал (торф, тирсу, перегній тощо) шаром 2-3 см. Потім кладуть бульби та засипають тим же матеріалом шаром 2-3 см. Поверх першого шару в такому ж порядку кладуть наступні шари до повного заповнення тари. Термін пророщування у вологому середовищі 15-20 днів. При цьому способі важливо простежити, щоб корінці й паростки не переросли, їх довжина не повинна бути більшою діаметра бульби картоплі, тому що при вибиранні бульб для садіння перерослі паростки й корінці ламаються. Пророслі бульби картоплі вибирають з посадкового матеріалу і висаджують у підготовлений ґрунт відомими способами. Прискорений розвиток рослин при цьому способі пояснюється тим, що в бульбах картоплі створюється коренева система. Завдяки цьому рослини швидше переходять в самостійне живлення, у коренях створюються специфічні сполуки, які необхідні для розвитку стебел і листя. Крім цього коріння відіграє значну роль у мобілізації та використанні фосфору і переміщення його в стеблах. У завчасно пророщених бульбах прискорюються фази розвитку (з'являються сходи, настає бутонізація та цвітіння). Крім цього створюються оптимальні умови для формування листкової поверхні, що, в свою чергу, впливає на формування врожаю картоплі, збільшення в бульбах вітаміну С. Запропонований спосіб підготовки насіннєвої картоплі до садіння дозволяє підвищити врожайність картоплі та її якість. Джерела інформації: 1. Волков В.Д., Лисенко О.С. Агротехніка високих врожаїв картоплі. К.: Урожай, 1989. - 184 с. 2. Довідник картопляра / За заг. ред. А.А. Кучка, В.С. Куценка та інш. - К.: Урожай, 1991. 232с. 3. Теслюк П.С. Продовольча картопля. - К.: Урожай, 1989. - 200с. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 55 Спосіб підготовки насіннєвої картоплі до садіння, що включає прогрівання та пророщування насіннєвих бульб при оптимальній температурі, який відрізняється тим, що бульби картоплі пророщують у вологому середовищі торфу, перегною або тирси при температурному режимі 1215 °C протягом 15-20 днів, причому довжина коренів і паростків не повинна бути більшою діаметра бульби. 1 UA 115324 U Комп’ютерна верстка Л. Бурлак Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2