Спосіб вирощування соняшнику
Номер патенту: 119473
Опубліковано: 25.09.2017
Формула / Реферат
Спосіб вирощування соняшнику, що включає зяблевий і ранньовесняний обробіток ґрунту, сівбу, догляд за рослинами, який відрізняється тим, що сівбу соняшнику проводять одночасно з озимою викою з нормою висіву 400 тис шт. насіння на га, без застосування гербіцидів по сходах соняшнику та міжрядної обробки.
Текст
Реферат: UA 119473 U UA 119473 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до галузі сільського господарства, зокрема до способів вирощування соняшнику. В умовах перенасичення сівозміни соняшником, що сьогодні спостерігається в Україні, коли щорічно висівається біля 6 млн. га цієї культури, виникає питання зменшення негативного впливу соняшнику на ґрунт. Відомо, що після вирощування соняшнику ґрунт збіднюється на елементи живлення, зменшуються запаси вологи в ґрунті, погіршується його мікробіологічний стан та зростає інфікування специфічними хворобами. Відомий спосіб вирощування, згідно з яким соняшник висівають у суміші з викою озимою [Євдокімов В.М., Єршова В.А., Кіракосян О.В., Лисенко Ф.Т. Зимостійкість і продуктивність озимої вики сорту Сіверська 2. Сб. Нове в технологіях вирощування кормових культур, картоплі та овочів на Північному - Заході Росії. С.-Пітербург. 1993. С. 11-18] передбачає використання суміші на силос, з міжрядним обробітком ґрунту від бур'янів. Але відомий спосіб не забезпечує зменшення негативного впливу соняшнику на ґрунт. Навесні роботу починають із закриття вологи важкими боронами, волокушами по діагоналі до зяблевого обробітку. Якщо зяб не вирівняний, треба одночасно з підготовкою ґрунту під ранні ярі культури провести першу культивацію на глибину 10-12 см, а другу - після масового проростання бур'янів перед сівбою соняшнику культиваторами, обладнаними стрілчастими лапами, на глибину 6-8 см. До культиватора приєднують борони БЗСС-1,0 для вирівнювання і кришіння ґрунту. На вирівняних полях можна обмежитись однією передпосівною культивацією на 6-8 см, соняшник висівають сівалкою з кількістю насіння 5-6 шт. на метр на глибину 6-8 см що є загально, відомо в технології вирощування соняшника [Ткалич И.Д. Цветок солнца (основы биологии и агротехники подсолнечника): монография /И.Д. Ткалич, Ю.И. Ткалич, С.Г. Рычик //под. ред. доктора с.-х. наук, проф. И.Д. Ткалича. - Днепропетровск, 2011. - 172 с]. В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення способу вирощування соняшнику шляхом одночасного посіву соняшнику з викою озимою з нормою висіву 400 тис шт. насіння на га, гербіциди по сходах соняшнику не застосовують, міжрядний обробіток не проводять. Поставлена задача вирішується тим, що спосіб вирощування соняшнику включає зяблевий і ранньовесняний обробіток ґрунту, сівбу, догляд за рослинами. Сівбу соняшнику проводять одночасно з озимою викою з нормою висіву 400 тис шт. насіння на га, без застосування гербіцидів по сходах соняшнику та міжрядної обробки. Озима вика, посіяна весною не формує насіння, тому у посівах соняшнику підвищує забезпеченість ґрунту сполуками мінерального азоту, рухомого фосфору, обмінного калію, покращує мікробіологічний стан ґрунту та пригнічує розвиток хвороб, особливо вовчка. Рослини озимої вики сприяють зниженню температури верхнього шару ґрунту, внаслідок затінення. До дозрівання кошиків соняшнику озима вика закінчує свою вегетацію і далі захищає ґрунт, як мульча від випаровування вологи. На період збирання культури запаси продуктивної вологи є вищими, підвищується запас мінерального азоту, рухомого фосфору і обмінного калію, що є позитивним фактором для подальшої культури сівозміни. В запропонованій корисній моделі нові (відмінні) ознаки: сівбу соняшнику проводять одночасно з озимою викою з нормою висіву 400 тис шт. насіння на га; гербіциди по сходах соняшнику не застосовують; міжрядний обробіток не проводять. Нові (відмінні) ознаки при взаємодії з відомими ознаками забезпечують виявлення нових технічних властивостей корисної моделі. А саме, зменшення негативного впливу соняшнику на ґрунт. Вирощування соняшнику в бінарному посіві з озимою викою, яка в процесі росту накопичує біологічний азот, який залишається в ґрунті, так як при посіві озимої вики весною вона не формує зерно. Вегетативна маса останньої є доброю мульчею, що сприяє збереженню вологи в ґрунті. Використання пропонованої корисної моделі забезпечує зменшення негативного впливу соняшнику на родючість ґрунту, зниження забур'яненості та суттєве зменшення розвитку заразихи (вовчком). ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ Спосіб вирощування соняшнику, що включає зяблевий і ранньовесняний обробіток ґрунту, сівбу, догляд за рослинами, який відрізняється тим, що сівбу соняшнику проводять одночасно з озимою викою з нормою висіву 400 тис. шт. насіння на га, без застосування гербіцидів по сходах соняшнику та міжрядної обробки. 1 UA 119473 U Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Міністерство економічного розвитку і торгівлі України, вул. М. Грушевського, 12/2, м. Київ, 01008, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: A01B 79/00
Мітки: спосіб, соняшнику, вирощування
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-119473-sposib-viroshhuvannya-sonyashniku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування соняшнику</a>
Попередній патент: Спосіб розмноження стевії медової (stevia rebaudiana bertoni)
Наступний патент: Пристрій для клеймування ювелірних виробів лазерним променем
Випадковий патент: Пломба