Сплав на основі алюмінію

Изобретение относится к сплавам на основе алюминия* гредназчачештым для использования в микроэлектронике в качестве материалов штьфей преобразователей устройств на поверхностноакустических волнах. Цель и з о б р е т е ния - уменьшение коэффициента затухяння поверхностной волны и удельного поверхностного сопротивления при сохранении требуемой величины адгезии штгрей преобразователей к. подложке,, достигается дополнительным содержанием кислорода. Сплав на основе алюминия содержит, мяс.%: медь 1,1-3,0; маггчй 0,11-0,15; кислород 0..0010.0015; алюминий остальное. Штнри преобразователей устройств на поверх-4 постно-акустических золнах, выполненные из данного сплаве р ИМІ,ЮТ коэффициент затухания поверхностной волны 8-Ю дБ и удельное поверхностное сопротивление Qs4-0,5 Ом/кВ при адге-" а зни штырей к подложке, оавиой 200300 кг/сн2. С Изобретекие относится к металлургии сплавов на основе алюминия, предназначенных для использования в микроэлектронике в качестве материала штырей преобразователей устройств на поверхностно-акустических волнах. Цель изобретение - уменьшение'коэффициента затухания поверхностной волны ч і'р.епьио-'С поверхностного с о противления при сохранекий требуемой адгезии штырей преобразователей к подложке. В т а б л . 1 указан химический с о с тав опробованных композиций предложенного и известного сапавов. • Количественное содержание компонентов в предложенном сплапе выбрано Ї-ІСХОДЯ из следующих соображений. 4-91 Медь в количестве 1,1-3,0 мас=% существенно уменьшает величину аерна и шероховатость алюминиевой пленки, приводящей к уменьшению коэффициента затухания поверхностной волны. Магний в количестве 0 , 1 1 0,15 мас.% позволяет получать mieHKHv' с требуемой величиной адгезял к подложке j, так как при термическом испарении навески сплава в вакууме яркпоаерхностиая зона пленкк обогащается слоем маппія, обеспечиваїощим химнчесікое соединение с подложкой. Кислород в количестве OjOOl" ' 0,0015 мас.% обеспечивает значительное снижение удельного поверхностного сопротивления п'гырей преобразователей, устройств ка поверхностно-акусткчес РПФ 1625036 ном микроскопе ЭМВ-100БР. Коэффициент ких волнах. При содержании магния:, мезатухания поверхностной волны опредеди и кислорода соответственно более лялся на измерителе ХІ-АЗ. 0,15 мас.%, 3,0 мас.% и 0 9 0015 мас.% Результаты испытаний приведены в .получаются пленки с высоким удельным с табл. 2. сопротивлением, что приводит к снижеКак видно из табл. 2, штыри преоб-' нию эффективности преобразования разователей устройств па ПАВ, изготовштырей преобразователей устройств на ленные из предложенного сплава, обла-поверхностно-акустических волнах. При содержании магния, меди и кислорода ю 'дают более низким коэффициентом затухания поверхностной волны и удельсоответственно менее 0^11 мас.%, ным поверхностным сопротивлением по ї,1 мас.% її 0,,ООи мас.%,получаются сравнению с известным сплавом, при пленки с недостаточной адгезией к подэтом адгезия штырей преобразователей ложке, значительной шероховатостью, •что приводит к формированию штырей 15 к подложке практически не изменяется. преобразователей с неудовлетворительТехнология выплавки предложение- -• ными электрофизическими характеристито сплава не изменяется по сравнеками и существенному возрастанию конию с используемой для известного эффициента затухания поверхностной сплава. волны в устройствах на поверхностно- 20 Таким образом, введение кислорода акустических волнах. в известный сплав на основе алюминия, содержащий медь и магний, и выбор Из опробованных композиций предлооптимального процентного соотношения женного, и известного сплавов изготовкомпонентов в сплаве позволяет s 2лены элементы устройств на поверхностно-акустических волнах в виде встреч™ 25 3 раза уменьшить коэффициент затухания поверхностной волны и удельное ио-штыревых преобразователен (ВШП), поверхностное сопротивление штырей последние содержали 50 пар нерасщеппреобразователей устройств на ПАВ. леншлх электродов шириной 2 мкм. Для получения ВРІЇІ устройств на П В А ПЛЄХІКИ ИЗ опробованных композиций 30 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я предложенного инзвестного сплавов толСплав на основе алюминия преимущещиной 1000 А наносились из электронственно для устройств на поверхностноного 'испарителя на подложки яз ниобаакустических волнах, содержавший медь та лития со скоростью конденсации и магний, о т л и ч а ю щ и й с я 100 А/с на вакуумной установке УВН35 тем, что, с целью уменьшения коэффи74П-3. циента затухания поверхностной волны Конфигурация элементов ВІШ создаваи удельного поверхностного сопротивл а с ь методом фотолитографии с применеления при сохранении требуемой величинием плазмохимического травления. ны адгезии штырей преобразователей Толщина напыленной ялеяки измеряк подложке, он дополнительно содержит лась микроинтерферометром МИИ-П, кислор-од при следующем соотношении уделькое поверхностное сопротивление компонентов, мас о %: В Ш - потенциометром Р-363-2. Адгезия 1 пленки к подложке определялась мето1,1-3,0 Медь дом прямого отрыва на разрывной маши0,11-0,15 Магний не М 05-1. Шероховатость пленочных Р 0,001-0,0015 Кислороп; элементов ВШ измерялась на электронОстальное Алюминий 1625036 ї а б я ч ц і г 1 Содержание компонентов, мас.% Состав Медь и 1 2 3 4 (известный) 1 1. 3 ,0 т Магний | Кислород 0,0010 0,0012 0,0015 0,11 0,13 0,15 Алюминий Остальное —"— 0,13 1 ,5 Т а 5 ,і и ц а 2Состав Адгезия, кг/см 2 , К-т затухания поверхностиой волны, ДБ _. 1 2 3 4 (известный) Редактор З.Ходакова 200 250 300 Удельное У'ероховаповерхтость ностное пленки ВШЇЇ, сопротивление, Ом/кВ І 0,40 0,45 0,50 8 to 10 " 120 150 150 9 t 240 25 0,80 250 Составитель Л.Мевелева Техред М.Дидык Корректор А «Осауленко Заказ 461/ДСП Тираж Подписное ? ВНИИІЇИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР" 113035, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат " П а т е н т " , г.Ужгород, ул. Гагарина,101