Спосіб вирощування соняшника

Спосіб вирощування соняшника, що включає систему підготовки грунту, сівбу, догляд за посівами, який відрізняється тим, що кількість операцій для весняної підготовки грунту зменшують, ґрунтообробні агрегати доповнюють знаряддями, що покращують вирівнювання, поверхні, сіють в ранні весняні строки при підвищенні середньодобової температури грунту до 4-6°С, насіння заробляють мілко, переважно на глибину від 1,5-2,0 до 3,0-4,0 см, поверхневий шар грунту вслід за сівбою додатково вирівнюють і підвищують його щільність на 20-30%, кількість механізованих операцій при догляді за посівами скорочують. Відомий спосіб вирощування соняшника, який включав систему підготовки грунту, сівбу, догляд за посівами (1). При цьому способі проводиться зяблева та весняна підготовка грунту, сівба після його прогрівання на глибині 10 см до 8 - І2°С, заробка насіння в грунт при сівбі на 6-8 см для сортів і 4-5 см для гібридів, формування оптимальної густоти рослин та система догляду за посівами, що включає культивацію, боронування та внесення гербіцидів. Однак цей спосіб вирощування соняшника включав ряд агрономічних прийомів, технологічних операцій і організаційних заходів, які недостатньо відповідають основним біологічним вимогам цієї культури та місцевим грунтово-кліматичним умовам соняшникосіючих районів України, із-за надмірної кількості весняних розпушувань грунту боронами, культиваторами та іншими знаряддями, передбачених системою його допосівної підготовки, поверхневий шар грунту до сівби здебільшого значно пересихав, що вимагає додаткового збільшення глибини заробки насіння. Внаслідок цього погіршуються температурні умови для його проростання, знижується польова схожість, зростають витрати запасних поживних речовин насіння на збільшення довжини підземної частини проростків, затримується з'явлення сходів, знижується стійкість рослин до хвороб та до інших несприятливих умов. В результаті надмірного розпушення і пересихання верхнього шару грунту в ньому значно зростає кількість повітря, яке істотно знижує його теплопровідність і ще більше погіршує температурні умови для проростання насіння та початкового росту сходів соняшника. В зв'язку з порівняно пізніми строками сівби і значною глибиною заробки насіння при відомих способах вирощування соняшника його посіви не використовують значної кількості запасів весняної вологи та ранніх ефективних температур. Це призводить до того, що в першій половині веснянолітнього періоду вони ростуть і розвиваються значно повільніше від своїх можливостей, а тому цвітіння їх здебільшого співпадає з різким підвищенням літніх температур, початком засухи і значним зниженням відносної вологості повітря. Внаслідок несприятливих погодних умов в цей період на кошиках зростає пустозерниця, знижується абсолютна вага насіння, то негативно впливав на рівень врожайності. Підвищуються втрати вологи з грунту також внаслідок того, що відомими способами вирощування передбачена значна кількість досходових і післясходових боронувань та міжрядних культивацій, а також тому, що поверхню грунту на засіяних полях залишають невирівняною, а це значно збільшує площу її випаровування. Рекомендовані механічні та хімічні способи боротьби з бур'янами при відомих способах вирощування залишаються малоефективними і не забезпечують надійної очистки посівів від забур'яненості. Всі ці недоліки призводять до того, що середньобагаторічна врожайність соняшника за останні 10 років на Україні залишається низькою і не перевищує 13,7-17,7 ц/га при врожайності в наукових установах 25-30 ц/га, посіви його не завжди достигають до осінніх заморозків, насіння см О ^г см со CM 6Г 23249 мае високу збиральну вологість і вимагає додаткових витрат на сушку і зберігання. Для прискорення достигання і зниження збиральної вологості насіння при відомих способах вирощування соняшника рекомендується десікація посівів спеціальними хімічними препаратами, яка підвищує витрати, погіршує якість продукції, не дозволяє використовувати обмолочені кошики соняшника на кормові цілі, негативно впливає на екологічні умови навколишнього середовища. В зв'язку з недостатнім рівнем теплозабезпечення соняшника при традиційних способах вирощування, його посіви здебільшого не достигають або дають дуже низькі врожаї в районах північного та західного Лісостепу і Полісся, де теплові ресурси обмежені. Завданням винаходу є прискорення росту, розвитку і достигання посівів, підвищення врожайності і якості продукції та зниження збиральної вологості насіння. Це досягається тим, що кількість операцій для весняної підготовки фунту зменшують, ґрунтообробні агрегати доповнюють знаряддями, що покращують вирівнювання поверхні, сіють в ранні весняні строки при підвищенні середньодобової температури фунту до 4 - 60С, насіння заробляють мілко, переважно на глибину від 1,5-2,0 до 3,04,0 см, поверхневий шар грунту за сівбою додатково вирівнюють і підвищують його щільність до 20-30%. Таким чином, посіви повніше використовують запаси весняної вологи, ранньовесняну сонячну радіацію, та ранні ефективні температури. Вирівнювання та ущільнення поверхні фунту дозволяє зменшити інтенсивність випаровування з нього вологи. В першій половині весняно-літнього періоду рослини ростуть і розвиваються значно швидше ніж при відомому способі, а їх цвітіння проходить до початку різкого підвищення літніх температур і до настання засухи. Досліди показали, що в порівнянні з відомим способом (прототипом) фаза з'явлення сходів соняшника наступила раніше, ніж при відомому способі на 5-7 днів, польова схожість насіння підвищується на 3-7%, фаза цвітіння відмічається раніше на 7-11, а достигання на 8-14 днів. Збиральна вологість насіння порівняно з контролем знижується на 6-9%, що забезпечує велику економію витрат на його сушіння і зберігання. Приклад виконання. Перевірка ефективності нового способу вирощування соняшника проводилась на Черкаській, Миколаївській та Кіровоградській державних сільськогосподарських дослідних станціях на чорноземних середкьосуглинкових фунтах. Попередником соняшника була озима пшениця. Для перевірки використовувались районовані сорти, інкрустоване насіння першого класу з енергією проростання не нижче 90%. Оптимальні дози мінеральних добрив під соняшник визначили на основі показників агрохімічного анапізу фунту, які вносили під зяблеву оранку. В середині листопада провели попереднє осіннє вирівнювання зябу культиваторами КПС-4 в агрегаті з важкими зубовими боронами БЗТС-1,0 на глибину 8-10 см. Систему весняного допосівного обробітку грунту обмежили вирівнюванням поверхні агрегатом ВП-5,6 з легкими зубовими боронами ВГІ-06. Сіяли соняшник в ранні строки при середньодобовій температурі грунту на глибині 5 см 4 - 6°С в період з 10 до 15 квітня. Насіння заробляли на глибину 3-4 см. Одночасно з сівбою поверхню грунту вирівнювали за допомогою шлейфрейок з кутового заліза перерізом 6x6 см, які чіпляли за сівалкою на повідках. За посівом верхній шар грунту ущільнювали кільця часто-зубчастими котками ККН-2,8, або важкими водоналивними кокотками з водою ЗКВГ-1,4. Водоналивними котками грунт обробляли в агрегаті з райборінками ОР-07. Після коткування об'ємна маса верхнього шару фунту О5 см зростала на 20-30%. В результаті такого ущільнення поверхня засіяного поля ставала порівняно вирівняною, а глибина заробки висіяного насіння зменшувалась з 3-4 до 2-3 см. Для очистки посівів соняшника від бур'янів застосовували нові високоефективні гербіциди. Зокрема, перед посівом внесли гербіцид Стомп фірми Ціанамід (США) з розрахунку 3,5 кг/га. При висоті рослин 60-80 см посіви соняшника обприскували водним розчином бюстимулятора Тріптолем з розрахунку 5 мл на гектар. При перевірці нового способу за контроль було прийнято найбільш відомий спосіб вирощування соняшника (1,2,3). Порівняльна оцінка цих способів вирощування проводилась у відповідності з методикою Б.А.Доспехова [4]. Польові досліди закладалися в чотириразовому повторенні. Попередники, дози добрив, сорти соняшника та показники якості насіння при новому і відомому способах були однакові. Підготовка грунту, процес вирощування та збирання соняшника при цих способах виконувались сільськогосподарськими машинами і знаряддями, що виробляються на Україні. Встановлено, що при новому способі вирощування соняшника на Черкаській і Миколаївській державних сільськогосподарських дослідних станціях в 1991 році фаза з'явлення сходів соняшника наступила раніше ніж при відомому способі на 5-7 днів, польова схожість насіння відповідно виявилась вищою на 3-7%, фаза цвітіння відмічалась раніше на 7-11, а достигання на 8-14 днів. Збиральня вологість насіння була нижчою порівняно з контролем на 6-9%. Новий спосіб вирощування сприяв підвищенню врожайності насіння соняшника на Черкаській дослідній станції на 3,8 і Миколаївській на 5,1 ц/га, або відповідно на 13,5 і 26,4% . Абсолютна вага і олійність вирощеного насіння при новій технології були вищими. При цьому рослини менше уражувались хворобами. Економічний ефект від нового способу вирощування за даними перевірки на станціях становить 600-800 доларів США з кожного гектара посіву. Новий спосіб вирощування може мати важливе значення для запровадження в районах Степу, південного та Центрального лісостепу і може бути перспективним для вирощування соняшника цим способом в районах з обмеженою теплозабезпеченістю, зокрема в північному та західному лісостепу і на Поліссі України. 23249 ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Бульв. Лесі Українки, 26, Київ, 01133, Україна (044) 254-42-30, 295-61-97 Підписано до друку й6*&У 2001 р. Формат 60x84 1/8. Обсяг ЦЗІ обл.-вид.арк. Тираж 50 прим. Зам. VatO УкрІНТЕІ Вул. Горького, 180, Київ, 03680 МСП, Україна (044) 268-25-22