Пристрій для телеконтролю температури

Пристрій для телеконтролю температури, який містить термочутливий елемент, джерело живлення, конденсатор, резистори, комплементарну пару польових транзисторів, витоки яких з'єднані, стік польового транзистора з каналом р-типу з'єднаний із негативною клемою джерела живлення, який відрізняється тим, що пристрій містить кількість комплементарних пар польових транзисторів, що дорівнює кількості контрольованих об'єктів, між затвором польового транзистора з каналом n-типу 42932 теру біполярного транзистора, база якого з'єднана з анодом тиристора, до резистора, приєднаного протилежним виводом до плюсової клеми основного джерела живлення, і з катодом стабілітрона, стік його - з виходом пристрою і також через перший додатковий резистор - з мінусовою клемою додаткового джерела живлення. Недоліком пристрою-прототипу є його складність, обумовлена наявністю основного і додаткового джерела живлення і великою кількістю напівпровідникових елементів, які знижують надійність, що не дозволяє використовувати його для контролю температури розосереджених об'єктів або в декількох місцях габаритного об'єкта. В основу винаходу поставлене завдання створення пристрою для телеконтролю температури, в якому забезпечується розширення функціональних можливостей відомого пристрою і за рахунок цього скорочується кількість джерел живлення до одного і зменшується електроспоживання, що дозволяє використовувати пристрій для телеконтролю температури розосереджених об'єктів або в декількох місцях об'єкта, що має значні габаритні розміри, наприклад, у теплицях, у помешканнях для утримання тварин і т. п. Поставлена задача досягається за рахунок того, що пристрій телеконтролю температури, який містить термочутливий елемент, джерело живлення, конденсатор, резистори, комплементарну пару польових транзисторів, витоки яких з'єднані, стоки польових транзисторів із каналом р-типу з'єднані з мінусовою клемою джерела живлення, відповідно до винаходу містить кількість комплементарних пар, яка дорівнює кількості контрольованих об'єктів, між затвором польового транзистора з каналом n-типу і стоком польового транзистора з каналом р-типу кожної комплементарної пари включений термочутливий елемент із позитивним температурним коефіцієнтом, між затвором польового транзистора з каналом n-типу і стоком цього польового транзистора включений регулювальний резистор, між затвором польового транзистора із каналом р-типу і стоками кожного польового транзистора, що утворюють комплементарну пару, включені резистори, стоки польових транзисторів із каналами n-типу кожної комплементарної пари приєднані до першого кінця первинної обмотки додатково введеного трансформатора, яка утворює із згаданим конденсатором паралельний резонансний LС -контур, другий кінець первинної обмотки трансформатора приєднаний до плюсової клеми джерела живлення, до вторинної обмотки трансформатора приєднаний сигнальний орган. Особливість винаходу в тому, що між затвором польового транзистора із каналом n-типу і стоком польового транзистора із каналом р-типу кожної комплементарної пари включений термочутливий елемент із позитивним температурним коефіцієнтом, між затвором польового транзистора із каналом n-типу і стоком цього польового транзистора включено регулювальний резистор, між затвором польового транзистора із каналом р-типу і стоками кожного польового транзистора, що утворюють комплементарну пару, включені резистори, що дозволяє формувати необхідну початкову вольтамперну характеристику. Стоки польових транзисторів із каналом n-типу кожної комплемен тарної пари приєднані до першого кінця первинної обмотки додатково введеного трансформатора, яка утворює із згаданим конденсатором паралельний резонансний LС-контур, необхідний для створення синусоїдальних коливань. Введення трансформатора, до вторинної обмотки якого приєднаний сигнальний орган, забезпечує відбір інформаційного сигналу та його підсилення. Кількість комплементарних пар польових транзисторів дорівнює кількості контрольованих об'єктів, що дозволяє використовувати пристрій для телеконтролю температури розосереджених об'єктів або в декількох місцях об'єкта, що має значні габаритні розміри, наприклад, у теплицях, у помешканнях для утримання тварин і т. п. Технічна сутність і принцип запропонованого пристрою для телеконтролю температури поясняється графічним матеріалом: на фіг.1 надана принципова схема запропонованого пристрою; на фіг. 2 - вольтамперна характеристика датчика температури. Пристрій містить джерело живлення 1, датчики 2 температури, кількість яких дорівнює числу контрольованих об'єктів, із виводами 3, 4, виконані за схемою аналога лямбда-діода, трансформатор 5, із первинною обмоткою 6, до кінців 7, 8 котрої паралельно приєднаний конденсатор 9, що утворює з нею паралельний резонансний LС-контур, до вторинної обмотки 10 трансформатора 5 приєднаний сигнальний орган 11. Датчик 2 температури містить комплементарну пару польових транзисторів 12, 13, витоки 14, 15 яких з'єднані, між затвором 16 польового транзистора 12 із каналом n-типу і стоком 17 польового транзистора 13 із каналом р-типу включений термочутливий елемент 18 із позитивним температурним коефіцієнтом, наприклад, позистор, між затвором 16 польового транзистора 12 із каналом n-типу і стоком 19 цього ж транзистора включений регулювальний резистор 20. Між затвором 21 польового транзистора 13 із каналом р-типу і стоками 17, 19 кожного транзистора комплементарної пари включені резистори 22, 23. Виводи 3 датчиків 2 об'єднані загальною шиною24 і приєднані до першого кінця 7 первинної обмотки 6 трансформатора 5, а другим кінцем 8 первинна обмотка 6 трансформатора 5 приєднана до плюсової клеми джерела живлення 1. Другі виводи 4 датчиків 2 температури приєднані до мінусової клеми джерела живлення 1. Пристрій працює за таким принципом. За нормальної температури контрольованих об'єктів, що не перевищує заданої величини, вольтамперна характеристика (на фіг. 2 - суцільна лінія 25), єдина для датчиків 2 температури, виконаних за схемою аналога лямбда-діода, сформованого комплементарною парою польових транзисторів 12, 13 і добором параметрів позистора 18 і резисторів 20, 22, 23. Особливістю згаданої вольтамперної характеристики 25 є наявність ділянки АВ із негативним диференціальним опором. Вольтамперна характеристика аналога лямбда-діода формується добором величини опорів позистора 18 і резисторів 20, 22, 23. Відношення величин опорів повинно задовольняти умові 2 42932 датчика 2 збільшується. Тому вольтамперна характеристика 25 аналога лямбда-діода зміщається вправо (на фіг. 2 - пунктирна лінія 26). У діапазоні напруг, обмежених точками А1, В1, що відповіда' ють напругам U'A , U'B (UB > U ж ) , виникають синусоїдальні коливання у паралельному резонансному LС-контурі, утвореному первинною обмоткою 6 трансформатора 5 і конденсатором 9. В результаті у вторинній обмотці 10 трансформатора 5 індукується електрорушійна сила (е.р.с.), і сигнальний орган спрацьовує, сигналізуючи про досягнення температури контрольованого об'єкта заданої величини. R18 R23 » . R20 R22 Послідовне вмикання датчиків 2 температури, виконаних за схемою аналога лямбда-діода, із паралельним резонансним LС - контуром на елементах 6, 9 утворює генератор синусоїдальних гармонійних коливань. За нормальної температури об'єкта напруга Uв вольтамперної характеристики 25 менша ніж напруга живлення Uж , аналог лямбдадіода закритий, і генерація синусоїдальних коливань відсутня. При підвищенні температури одного з контрольованих об'єктів опір позистора 18 відповідного Фіг. 1 3 42932 Фіг. 2 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2002 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 4