Спосіб очищення газів від сірководню

Изобретение относится к процессам очистки газов от сернистых соединений окислением их до элементарной серы или оксидов серы. Для осуществ ления способа очистки газов от сернистых соединений путем их окисления до элементарной серы или оксидов серы кислородом в присутствии оксида металла, нанесенного на твердый носитель при повышенной температуре, для повышения степени очистки используют оксиды железа или меди, или ванадия в количестве 6-58,7% к массе носителя с размером частиц 0,5-30 нм в количестве 60-100 мас.%, на носителе с удельной поверхностью 50-500 м г /г. Причем процесс ведут при 20-650 С. Остаточное содержание H^S ниже 1 ррш. 1 табл. 00 to СО 1 U4O329 Изобретение относится к процессам ношение сера: железо составляет 0,5, очистки газов от сернистых соединеРегенерацию проводят потоком азота, ний окислением их до элементарной содержащим 5000 ррт кислорода серы или оксидов серы. при 200 С. Большая часть серы предЦелью изобретения является повышеставляет собой элементарную серу. ние степени очистки. После регенерации результаты обессеП р и м е р . Обессеривающие свойривания и регенерации воспроизвоства окиси железа, нанесенной на двудятся. окись кремния. В катализаторной мас- Ю В таблице представлены сравнительсе содержится 6 мас.% окиси железа. ные данные по осуществлению процесса Абсорбционную массу исследуют при очистки. помощи спектроскопии Мессбауэра и Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я электронной микроскопии. Оба метода свидетельствуют, что размер частиц 15 Способ очистки газов от сероводоокиси железа на 100% ниже 10 нм, а рода путем их окисления до элементар60% частиц имеют размер ниже 5 нм. ной серы или оксидов серы кислородом в присутствии оксида металла, нанеОбессеривающую активность исследуют при 400 С на газовой смеси, состо- ^л сенного на твердый носитель, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью ящей из 10% СО» 10% К 2 , 1% II^S и осповышени степени очистки, в качестве тальное азот. Абсорбент очень высокооксидов металлов используют оксиды активен по отношению к H^S. Константа железа или меди, или ванадия в колискорости реакции обессеривания составляет величину в 1000 раз более вы-25 честве 6-58,7% к массе носителя, причем с размером частиц 0,5-30 нм сокую, чем для окиси железа, не нанев количестве 60-100 мас.% на носитесенной на носитель. Концентрация K-^S ле с удельной поверхностью 50в отходящих газах ниже 1 ррт. После 500 м 2 /г и процесс ведут при 20проскока (возрастающее увеличение содержания HjS в отходящих газах) соот- ^д 650°С. Опыт | Состав оксидного р е а г е н т а , мас.Х Ксіличество оі.сида. Носитель Си 0 SiO, 34,2 Количество оксида, X (размером частиц, им 100 (15) Удельная Темпеptrypa. Степень очистки. поверхность носителя мг/г 200 300 Ниже 0 , 1 мг/Н S 400 500 Ai. 176 300 -"- . 400 500 SiOt 100(2) 300 _в_ 400 500 F.JOJ 100(15) 50 300 400 500 20 Fe^O, 100(15) 176 300 400 500 SiO, 20 100(2) 100 — "_ 440329 Продолжение таблицы Количество і Удельная Температура, Степ*нь> ОЧИСТКИ. оксида, Т. поверх(размером частиц, км носителя мг/г оксидного реагента. мас.Х Аэросил SiO a 100(2-20) 500 300 — 350 400,450 500 в 50 9 CuO А1,ОЭ 10 CuO siu 9,63 39 100(2-20) 500 20 Ниже 10 иг 100(80-800) 100(10,4) 100(6,1) Ниже 0,1 мг 380 176 380 ti AljO, 6,6 12 SiO a 58,7 100 20 13 ТІО„ 25,9 100 (10) 14 25,9 60 (ЗО) 176 15 50 80 (10) 380 80 (25) 100 16 50 Ниже 0,1 мг H t S -" 10 17 18 СйО SiOij 100 (0,5-1) 39 tOO (10,4) 360 0,1 РРЯ 0,1 ррш 400 ї» 6,6 100 (6,1) 176 20 58,7 100 (20) 380 25,9 100 (10) 50 0.1 25 9 60 £30) 176 0,1 РР» 50 80 (10) 380 0,1 ррт 41,1 80(25) 100 0,1 ррш 21 22 TiOij FejOj 23 SiO 24 0,1 рри . 26 (инвестний) РР т 660 мг Н^5 25 SiO, 10 100(0,5-1) 380 600 ррт 650 (80Х обессерив.) Редактор 0.Головач Составитель Е.Корниенко Техред Л.Сердюкова Корректор О.Кравцова Заказ 6091/57 Тираж 642 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4