Термоелектрична координатно-чутлива матриця

Термоелектрична координатно-чутлива матриця, що складається з діелектричного термостатуючого корпусу, електровиводів і термоелемента у вигляді термоелектричного шару довжиною а, шириною b та товщиною d, яка відрізняється тим, що верхня робоча грань (а х Ь) містить послідовно Корисна модель відноситься до термоелектричних приладів і знайде застосування в теплопірокалориметрії", ІЧ- і лазерній техніках, електроніці та теплобаченні. Він призначений для визначення розподілу променевих потоків в їх поперечному перерізі у широкому спектральному та енергетичному діапазонах. Відомі пристрої [1], що містять тепловирівнюючі та тепловіддаючі деталі, а також анізотропні елементи. Вони дозволяють визначати геометричні координати точкових променевих потоків по площині як в неперервному, так і в імпульсному режимах. Із існуючих аналогів найбільш близьким по технічній суті є анізотропний термоелектричний координатночутливий приймач неселективного випромінювання, який може застосовуватися у якості координатно-чутливої матриці, що працює в режимах поверхневого і об'ємного поглинаннях, а також оптичної прозорості [2]. Вона складається з анізотропного термоелемента у вигляді чотиригранної прямокутної призми, чотирьох електричних виводів та термостатуючого корпусу з діафрагмою. Така матриця дозволяє визначати координати теплової плями, яка викликана випромінюванням у випадку, коли площа поперечного перерізу теплового потоку, що викликає цю пляму, значно розташовані поглинаючий та електропровідний, з'єднаний з загальним електровиводом, шари, а нижня робоча грань (а х Ь) за допомогою точкових мікроконтактів, що рівномірно та симетрично через відстані с розташовані вздовж довжини а і ширини Ь, за допомогою струмопровідних елементів, які електроізольовані від нижньої грані термоелектричного шару додатковим шаром діелектрика, електрично з'єднана з вихідними електровиводами, розташованими по периферії верхньої поверхні діелектричного термостатуючого корпусу. менша за площу робочої грані анізотропного термоелемента. Визначати енергетичні параметри випромінювання та розподіл його густини у випадку опромінювання всієї площини робочої грані цей прилад не спроможний. Тому досить актуальним є завдання підвищення дозволяючої здатності термоелектричної матриці для визначення розподілу неселективного або когерентного випромінювань по всій площині її робочої грані. Вказане завдання розв'язується тим, що термоелектрична координатно-чутлива матриця складається з діелектричного термостатуючого корпусу, електровиводів і термоелемента у вигляді термоелектричного шару довжиною а шириною b та товщиною d, при цьому верхня робоча грань (axb) містить послідовно розташовані поглинаючий та електропровідний, з'єднаний з загальним електровиводом, шари, а нижня робоча грань (axb) за допомогою точкових мікроконтактів, що рівномірно та симетрично через відстані с розташовані вздовж довжини а і ширини Ь, за допомогою струмопровідних елементів, які електроізольовані від нижньої грані термоелектричного шару додатковим шаром діелектрика, електричне з'єднана з вихідними електровиводами, розташованими по ю CM 4925 периферії верхньої поверхні діелектричного термостатуючого корпусу. Відповідність критерію "новизна" запропонованому пристрою забезпечує та обставина, що заявлена сукупність ознак не міститься ні в одному з об'єктів існуючого рівня техніки. У корисній моделі запропоновано принципово нове рішення для термоелектричної координатночутливої матриці, яке полягає в тому, що вона складається з діелектричного термостатуючого корпусу, електровиводів і термоелемента у вигляді термоелектричного шару довжиною а шириною b та товщиною d, при цьому верхня робоча грань (axb) містить послідовно розташовані поглинаючий та електропровідний, з'єднаний з загальним електровиводом. шари, а нижня робоча грань (axb) за допомогою точкових мікроконтактів, що рівномірно та симетрично через відстані с розташовані вздовж довжини а і ширини Ь, за допомогою струмопровідних елементів, які електроізольовані від нижньої грані термоелектричного шару додатковим шаром діелектрика, електричне з'єднана з вихідними електровиводами, розташованими по периферії верхньої поверхні діелектричного термостатуючого корпусу. Тому ознака, яка не зустрічається ні в одному з аналогів - "верхня робоча грань (axb) містить послідовно розташовані поглинаючий та електропровідний, з'єднаний з загальним електровиводом, шари, а нижня робоча грань (axb) за допомогою точкових мікроконтактів, що рівномірно та симетрично через відстані с розташовані вздовж довжини а і ширини Ь, за допомогою струмопровідних елементів, які електроізольовані від нижньої грані термоелектричного шару додатковим шаром діелектрика, електричне з'єднана з вихідними електровиводами, розташованими по периферії верхньої поверхні діелектричного термостатуючого корпусу" забезпечує заявленому пристрою необхідний "винахідницький рівень." Промислове використання запропонованої корисної моделі не вимагає спеціальних технологій і матеріалів, його реалізація можлива на існуючих підприємствах електронної і приладобудівної промисловості. На Фіг.1 і 2 представлено схематичну конструкцію запропонованого пристрою. Термоелектрична координатно-чутлива матриця (Фіг.1, Фіг.2) містить термоелемент 4 довжиною а, шириною b та товщиною d (a=b»d), який своєю нижньою робочою гранню (axb) знаходиться в тепловому контакті з діелектричним корпусом-термостатом 8. Термоелемент 4 виконано з термоелектричного матеріалу у вигляді прямокутного шару. Верхня робоча грань (axb) містить послідовно розташовані поглинаючий шар 1 з піровуглецю та електропровідний шар 2 товщиною di з металу, який за допомогою мікродроту 3 з'єднаний з електровиводом 6. Нижня робоча грань (axb) термоелементу 4 містить точкові мікро контакти 5, що рівномірно та симетрично через відстані с розташовані відповідно вздовж довжини а та ширини Ь. Ці мікроконтакти послідовно з'єднано за допомогою елементів 9 з електровиводами 10, які в нашому випадку мають нумерацію 11-161. Елементі 9 разом з електровиводами 10 нанесені на верхню поверхню термостата 8 з кераміки. Електроізоляція елементів 9 від нижньої 4 грані термоелемента 4 виконується за допомогою діелектричного шару 7. Розподіл термо.ерс по поверхні, який викликаний падаючим випромінюванням Q та генерується об'ємом термоелемента 4 вимірюється між загальним електровиводом 6 та вихідними електровиводами 10 з нумерацією 11-161. Число N необхідних мікроконтактів 5, які знаходяться на нижній грані термоелемента 4, визначається величиною дозволяючої здатності термоелектричної координатно-чутливої матриці по площі А = АахДЬ. Проведені дослідження показали, що мінімальне значення цієї величини визначається радіусом г точкового електричного мікроконтакта 5, яке при виконанні співвідношення r « d вибирається не меншим 10г(Да = ДЬ