Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Неінвазійний спосіб вимірювання товщини донорської ділянки шкіри, що включає вимірювання лінійним датчиком L 10-5 МГц, змазуючи гелем, щоб профілактувати попадання пухирців повітря, на апараті Siemens Sonoline G60S, який відрізняється тим, що наносят розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки.

Текст

Реферат: Неінвазійний спосіб вимірювання товщини донорської ділянки шкіри включає вимірювання лінійним датчиком L 10-5 МГц, змазуючи гелем, щоб профілактувати попадання пухирців повітря, на апараті Siemens Sonoline G60S, причому наносят розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки. UA 92734 U (12) UA 92734 U UA 92734 U 5 10 15 20 25 Корисна модель належить до медицини, для визначення товщини шкіри донорської ділянки шкіри, та може використовуватись у галузі комбустіології, травматології, хірургії. Відомий спосіб для вимірювання товщини шкіри здійснюється наступним чином: вимірюється лінійним датчиком L 10 - 5 МГц, змазуючи гелем, щоб профілактувати попадання пухирців повітря, на апараті Siemens Sonoline G60S [1]. Недоліком відомого способу є його недостатня інформативність. В основу корисної моделі поставлено задачу створення нового способу шляхом введення нових технологічних дій, що направлено на підвищення технологічності способу. Поставлена задача вирішується тим, що на вибраній донорській ділянці шкіри наносять розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки. Поставлена задача вирішується у способі тим, що на вибраній донорській ділянці шкіри наносять розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки. Спосіб здійснюється наступним чином: на вибраній донорській ділянці шкіри наносять розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки і здійснюють вимірювання лінійним датчиком L 10-5 МГц, змазуючи гелем, щоб профілактувати попадання пухирців повітря, на апараті Siemens Sonoline G60S. Суть корисної моделі пояснюють кресленням, де зображено: схему неінвазійного способу вимірювання товщини донорської ділянки шкіри. На кресл.: шар епідермісу - 1, шар дерми - 2, шар підшкірної жирової клітковини - 3, розмітка (у вигляді хрестиків) вимірювань товщини донорської ділянки шкіри - 4, ширина донорської ділянки шкіри - АБ, довжина донорської ділянки шкіри - БВ, відстань між розмітками по довжині донорської ділянки шкіри - ГД, відстань між розмітками по ширині донорської ділянки шкіри - ДЗ. Пропонований спосіб неінвазійного способу вимірювання товщини донорської ділянки шкіри дозволяє планувати оперативні лікувальні дії. Джерела інформації: 1. Сиду П.С., Чонг В.К. - Измерения при ультразвуковом исследовании - Практический справочник - М.: Мед. Лит., 2009. - 352 с. 30 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 35 Неінвазійний спосіб вимірювання товщини донорської ділянки шкіри, що включає вимірювання лінійним датчиком L 10-5 МГц, змазуючи гелем, щоб профілактувати попадання пухирців повітря, на апараті Siemens Sonoline G60S, який відрізняється тим, що наносят розмітку (у вигляді хрестиків) через 30,0 мм по ширині та через 30,0 мм по довжині необхідної донорської ділянки. 1 UA 92734 U Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2

Дивитися

Додаткова інформація

Автори англійською

Boliukh Olha Anatoliivna

Автори російською

Болюх Ольга Анатольевна

МПК / Мітки

МПК: A61B 17/00

Мітки: ділянки, донорської, спосіб, товщини, шкіри, вимірювання, неінвазійний

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-92734-neinvazijjnijj-sposib-vimiryuvannya-tovshhini-donorsko-dilyanki-shkiri.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Неінвазійний спосіб вимірювання товщини донорської ділянки шкіри</a>

Подібні патенти