Спосіб виробництва насіння моркви за краплинного зрошування
Номер патенту: 72956
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Вітанов Олександр Дмитрович, Герман Людмила Леонідівна, Кирюхін Сергій Олександрович
Формула / Реферат
Спосіб виробництва насіння моркви за краплинного зрошування, який відрізняється тим, що використовують літні строки сівби насіння (І-ІІ декада червня), гідросівбу пророщеним у воді насінням та стрічкові схеми розміщення маточних рослин (50+90 см або 24+24+24+68 см), локальне удобрення і фертигації у перший та другий роки вирощування, маточники стандартної фракції (111-150 мм) і штеклінги (71-110 мм), які висаджують за схемами 70´20 см та 70×10 см відповідно з густотою рослин 70 тис. шт./га та 140 тис. шт./га відповідно.
Текст
Реферат: Спосіб виробництва насіння моркви за краплинного зрошування, у якому використовують літні строки сівби насіння, гідросівбу пророщеним у воді насінням та стрічкові схеми розміщення маточних рослин, локальне удобрення і фертигації у перший та другий роки вирощування. UA 72956 U (54) СПОСІБ ВИРОБНИЦТВА НАСІННЯ МОРКВИ ЗА КРАПЛИННОГО ЗРОШУВАННЯ UA 72956 U UA 72956 U 5 10 15 20 25 30 35 40 Корисна модель належить до галузі сільськогосподарського виробництва, зокрема до технології вирощування насіння сільськогосподарських культур. Враховуючи потребу насіння моркви до підвищеної вологості ґрунту в фазу його проростання за загальноприйнятою технологією, моркву на маточник висівають як можна раніше (одночасно з ранніми зерновим) широкосмуговим способом з міжряддям 45 см за ширини смуги 6-8 см, або з міжряддям 70 см за ширини смуги 10-12 см; норма висіву насіння становить 4-5 кг/га; спосіб сівби - сухим насінням овочевими сівалками; мінеральні добрива під маточник та насінники вносять під зяблеву оранку врозкид з розрахунку N90-120P60-90K60-90; вологість ґрунту підтримують на рівні 70-65 % НВ вегетаційними поливами дощуванням нормою 3 до 450-600 м /га; при цьому поливи на маточниках припиняють за 20-25 діб до збирання коренеплодів; на зимове зберігання закладають маточні коренеплоди стандартної фракції (довжиною 111-150 мм), які навесні висаджують за схемою 7020 см з густотою 70 тис. шт./га [1, 2, 3, 4, 5, 6]. Однак ефективність даного способу вирощування у підвищенні врожайності недостатня. Середня врожайність насіння моркви в Україні за останні роки доволі низька і становить 103-140 кг/га, при низькій рентабельності виробництва та високій собівартості продукції. В основу корисної моделі поставлена задача підвищити ефективність виробництва насіння моркви за рахунок підвищення врожайності та зниження енерго- та ресурсовитрат. Поставлена задача вирішується тим, що при вирощуванні маточників застосовують літній строк сівби (І-ІІ декади червня), схеми розміщення рослин 50+90 см (у цьому випадку поливний трубопровід вкладається тільки по середині вузького міжряддя (50 см) та зрошує два рядки рослин) або 24+24+24+68 см (поливний трубопровід вкладається між першим та другим і третім та четвертим рядком у вузьких міжряддях (24 см) смуги); спосіб сівби - гідросівба пророщеним у воді насінням; норма висіву насіння - 3,0-3,5 кг/га; густота рослин 1,0-1,2 млн. шт./га; при збиранні врожаю крім маточних коренеплодів стандартної фракції (довжиною 111-150 мм) відбирають і коренеплоди-штеклінги (71-110 мм). При вирощуванні насінників схема розміщення рослин 70 см з густотою 70 тис. шт./га (для коренеплодів стандартної фракції) та 140 тис. шт./га (для коренеплодів-штеклінгів). Як на маточниках, так і на насінниках застосовують краплинне зрошування та локальне удобрення. Все це дає змогу зменшувати норму висіву насіння на 4050 %, економити поливну воду та добрива на 30-50 %, збільшити кількісний вихід маточних коренеплодів з одиниці площі на 50 %. Спосіб здійснюється наступним чином. Вирощування маточників. Після збирання попередника поле дискують лущильником або дисковими боронами на глибину 6-8 см у двох взаємоперпендикулярних напрямках. Глибина зяблевої оранки на супіщаних ґрунтах 22-25 см, на чорноземах - не менше ніж 25-30 см, на підзолистих - не повинна перевищувати глибину гумусового шару. Для знищення сходів бур'янів восени проводять культивацію на глибину 10-12 см паровими культиваторами з боронуванням. Рано навесні поле боронують важкими зубовими боронами БЗТС-1,0. Мінеральні добрива вносять локально культиватором-рослинопідживлювачем під майбутні рядки рослин моркви. Доза фосфорних та калійних добрив становить 1 від дози, рекомендованої для внесення 3 врозкид, азотних 1 45 50 55 6 або азотні не вносять зовсім. Наприклад, на чорноземі звичайному вносять N15P30К30 або Р30К30. Для знищення бур'янів до сівби насіння моркви проводять 1-2 суцільні культивації з боронуванням (останню на глибину загортання насіння - 2,5-3,0 см). Сівбу проводять гідросівалкою у літні строки (І-ІІ декада червня) насінням, пророщеним у воді. Норма висіву насіння 3,0-3,5 кг/га. Схеми розміщення рослин 50+90 см, 24+24+24+68 см та інші стрічкові. Густота рослин моркви 1,0-1,2 млн. шт./га. Міжрядні обробітки проводять за необхідності культиватором-рослинопідживлювачем. Глибина першого становить 5-6 см, з кожним наступним обробітком її збільшують на 2 см. Розпушують ґрунт у лише широких міжряддях. У вузьких міжряддях посередині лежить поливний трубопровід, який зрошує відразу два рядки, в них ґрунт не ущільнюється і тому немає необхідності його розпушувати. Захист від бур'янів, шкідників та хвороб здійснюють препаратами, внесеними до діючого, "Переліку пестицидів і агрохімікатів дозволених до використання в Україні". Передполивну вологість ґрунту підтримують на рівні 70-65 % НВ. Спосіб зрошування - краплинний. Поливи проводять 3 3 нормою 140-170 м /га (від сівби до утворення коренеплодів) та 180-200 м /гa (від утворення коренеплодів до технічної стиглості). Припиняють їх за 5-7 діб до збирання коренеплодів. Через систему краплинного зрошування за вегетаційний період рослин моркви вносять водорозчинні азотні добрива разом з поливною водою (фертигація). Доза добрив становить 1 від дози, 3 рекомендованої для внесення врозкид (якщо добрива до сівби локально не вносилися), або 1 1 6 UA 72956 U від дози рекомендованої для внесення врозкид (якщо 1 5 10 15 20 25 30 35 6 добрив внесли локально навесні). Наприклад, при вирощуванні моркви на чорноземі звичайному фертигацію проводять два рази: при появі 2-3 пари справжніх листків та на початку утворення коренеплодів, доза добрив для одного внесення N15, або N7,5 відповідно до вищезазначених рекомендацій. Протягом вегетаційного періоду виконують сортові і фітопатологічні прочистки, видаляючи при цьому хворі, нетипові для сорту рослини, а також "цвітушні". Обстеження посівів проводять відповідно "Інструкції з апробації сортових посівів овочевих і баштанних культур", 2002. Апробацію насінницьких посівів моркви проводять в фазу технічної стиглості, після чого розпочинають масове збирання коренеплодів з таким розрахунком, щоб закінчити його до настання осінніх приморозків. Збирання проводять вручну, попередньо підкопуючи коренеплоди скобою, одночасно з сортуванням на товарну продукцію та маточники (стандартної фракції довжиною 111-150 мм та штеклінги - 71-110 мм). У період закладання на зимове зберігання проводять заключний добір маточних коренеплодів. Використання штеклінгів рекомендується лише в виробництві репродукційного насіння. Для зменшення об'ємів зберігання маточні коренеплоди закладають у поліетиленові мішки з перфорацією, ємкістю до 30 кг. Впродовж зберігання мішки з морквою утримують відкритими (ДСТУ 26767-85), а температуру в сховищі підтримують в межах 0…+1 °C. Зниження температури до мінус 2 °C є критичною для життєздатності центральної бруньки. Під час зберігання періодично обстежують мішки з маточними коренеплодами з метою своєчасного видалення хворих. Маточні коренеплоди готують до висадки за 6-8 діб. Вирощування насінників. Після збирання попередника проводять лущення в два сліди та оранку на глибину 20-22 см. Передвисадковий обробіток ґрунту включає ранньовесняне боронування та культивацію на глибину 10-12 см. Мінеральні добрива вносять локально культиватором-рослинопідживлювачем під культивацію. Доза фосфорних та калійних добрив становить 1 від дози, рекомендованої для внесення врозкид, азотних 1 , або азотні не 2 4 вносять зовсім. Наприклад, на чорноземі звичайному вносять N 22P45K45, або Р45К45. Висаджують маточники в нарізані борозни за схемою 7020 см (густота 70 тис.шт./га) - для стандартних коренеплодів та 7010 см (густота 140 тис. шт./га) - для коренеплодів-штеклінгів. При висадці коренеплодів обов'язково точку росту присипають шаром ґрунту до 2-3 см, а головку коренеплоду щільно обтискують землею. Захист від бур'янів, шкідників та хвороб здійснюють препаратами, внесеними до діючого "Переліку пестицидів і агрохімікатів дозволених до використання в Україні". Передполивну вологість ґрунту підтримують на рівні 70-65 % НВ. 3 Спосіб зрошування - краплинний. Поливи проводять нормою 140-170 м /га (від висаджування 3 коренеплодів до початку цвітіння) та 180-200 м /га (від початку цвітіння до збирання врожаю). Припиняють їх за 10-12 діб до збирання насіння. Через систему краплинного зрошування за вегетаційний період насінників моркви вносять водорозчинні азотні добрива разом з поливною водою (фертигація). Доза добрив становить 1 від дози, рекомендованої для внесення врозкид 2 (якщо добрива локально не вносилися), або 1 (якщо 1 40 45 50 55 4 4 від дози, рекомендованої для внесення врозкид добрив внесли локально навесні). Наприклад, при вирощуванні насінників моркви на чорноземі звичайному фертигацію проводять два рази: на початку відростання коренеплодів та на початку цвітіння, доза добрив для одного внесення N22 або N11 відповідно до вищезазначених рекомендацій. Перше міжрядне рихлення ґрунту проводять на глибину 5-7 см на початку відростання розетки листків, наступні - на 10-12 см. Остання культивація (перед змиканням рядків) - з застосуванням лап-відвальників чи підгортачів. Протягом вегетаційного періоду - сортові та фітопатологічні прочистки з метою видалення нетипових для сорту рослин, "упрямців" та уражених хворобами. Перед цвітінням - сортове обстеження на предмет дотримання просторової ізоляції та технології вирощування. Збирання насінників починають в той час, коли більша половина зонтиків набула бурого кольору, а їх краї загинаються до центру. Вологість насіння в центральних зонтиках становить 45-50 %, вік насіння 60-70 діб. Після обмолоту насіння потребує досушування і доочищення. Посівні якості одержаного насіння повинні відповідати вимогам ДСТУ 7160:2010. Тобто, вирощування маточників та насіння моркви за розробленою технологією передбачає: - літні строки сівби насіння моркви (І-ІІ декади червня) на маточник; - схеми розміщення рослин у перший рік життя 50+90 см та 24+24+24+68 см, що дозволяє у два рази зменшити витрати поливних трубопроводів системи краплинного зрошування; 2 UA 72956 U 5 10 15 20 25 - використання для висадки, крім маточників стандартної фракції (довжиною 111-150 мм), коренеплодів-штеклінгів (71-110 мм); - висаджування маточників за схемою 7020 см (густота 70 тис. шт./га) - для стандартних коренеплодів та 7010 см (густота 140 тис. шт./га) - для коренеплодів-штеклінгів; - застосування локального способу удобрення; - краплинне зрошування з рівнем передполивної вологості ґрунту 70-65 % НВ. Запропонований спосіб забезпечує в порівнянні з загальноприйнятим способом вирощування насіння моркви: зменшення норми висіву насіння на 40-50 %, економію поливної води та добрив на 30-50 %, зниження витрат маточних коренеплодів - на 15-20 %. При цьому урожайність насіння знаходиться на рівні 600 кг/га; прибуток - до 40 тис.грн./га, рентабельність виробництва - 80 %; посівні якості одержаного насіння повністю відповідають вимогам ДСТУ 7160:2010. Таким чином, вищенаведені показники свідчать про доцільність застосування запропонованого способу для виробництва насіння моркви. Джерела інформації: 1. Насінництво овочевих і баштанних культур / [О.Ю. Барабаш, С.Т. Гармалюк, Ф.А. Ткаченко та ін.], під ред. О.Ю. Барабаша. -К.: Урожай, 1982. - С. 84-87. 2. Боос Г.В. Выращивание семян овощных культур / Г.В. Боос. -Л.: Колос, 1972. - С. 40-41. 3. Лудилов В.А. Семеноводство овощных и бахчевых культур// В.А Лудилов. -М.: Агропромиздат, 1987. - С. 98-104. 4. Ткаченко Н. Семена овощных и бахчевых культур// Н.М. Ткаченко, Ф.А Ткаченко. -М.: Колос, 1977. - С. 25-32 5. Орошаемое овощеводство// [С.А. Дудник, А.В. Антонов, Г.Е. Березкина и др.] под ред. С.А. Дудника. -К.: Урожай, 1990.-240 с. 6. Жук О.Я. Довідник з насінництва овочевих і баштанних культур// О.Я. Жук, В.Ю. Жук, В.П. Роєнко. – К: Аграрна наука, 2002. - С. 26-27. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 30 Спосіб виробництва насіння моркви за краплинного зрошування, який відрізняється тим, що використовують літні строки сівби насіння (І-ІІ декада червня), гідросівбу пророщеним у воді насінням та стрічкові схеми розміщення маточних рослин (50+90 см або 24+24+24+68 см), локальне удобрення і фертигації у перший та другий роки вирощування, маточники стандартної фракції (111-150 мм) і штеклінги (71-110 мм), які висаджують за схемами 7020 см та 70×10 см відповідно з густотою рослин 70 тис. шт./га та 140 тис. шт./га відповідно. 35 Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for growing carrot seeds at drip irrigation
Автори англійськоюVitanov Oleksandr Dmytrovych, Herman Ludmyla Leonidivna, Kiriukhin Serhii Oleksandrovych
Назва патенту російськоюСпособ производства семян моркови при капельном орошении
Автори російськоюВитанов Александр Дмитриевич, Герман Людмила Леонидовна, Кирюхин Сергей Александрович
МПК / Мітки
МПК: A01G 1/00, A01G 25/00
Мітки: виробництва, насіння, краплинного, спосіб, моркви, зрошування
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-72956-sposib-virobnictva-nasinnya-morkvi-za-kraplinnogo-zroshuvannya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виробництва насіння моркви за краплинного зрошування</a>
Попередній патент: Спосіб лікування розсіяного склерозу
Наступний патент: Спосіб виявлення патогенів у шапинкових грибів (basidiomicetes)
Випадковий патент: Лист полімеру, який містить біфункціональний модифікатор поверхні