Карбідовольфрамове покриття (варіанти), спосіб їх виготовлення та композиційний матеріал (варіанти)

1. Матеріал покриття, стійкий до зносу, ерозії і корозії, який являє собою карбід вольфраму, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

2. Матеріал за п. 1, який являє собою монокарбід вольфраму WC, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

3. Матеріал за п. 1, який являє собою напівкарбід вольфраму W2C, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

4. Матеріал за п. 1, який являє собою субкарбід вольфраму W3C, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

5. Матеріал за п. 1, який являє собою субкарбід вольфраму W12C, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

6. Матеріал за будь-яким з пп. 1-5, який відрізняється тим, що він додатково містить фторвуглецеві композиції з вмістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.).

7. Матеріал покриття, стійкий до зносу, ерозії і корозії, який являє собою суміш щонайменше двох карбідів вольфраму, легованих фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

8. Матеріал за п. 7, який відрізняється тим, що суміш щонайменше двох карбідів вольфраму додатково легована фторвуглецевими композиціями з умістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.).

9. Покриття, яке відрізняється тим, що воно містить внутрішній шар із вольфраму, створюваний на підложниці, і зовнішній шар, який створюється на згаданому внутрішньому шарі і містить карбід вольфраму відповідно до пп.1 -6.

10. Покриття за п. 9, яке відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить суміш карбідів вольфраму відповідно до п. 7.

11. Покриття за п. 9 або 10, яке відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вольфрам.

12. Покриття за п. 9 або 10, яке відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вуглець.

13. Покриття за будь-яким з пунктів 9-12, яке відрізняється тим, що внутрішній шар має товщину 0,5-300 мкм, а зовнішній шар має товщину 0,5-300 мкм при співвідношенні товщини внутрішнього і зовнішнього шарів від 1:1 до 1:600.

14. Спосіб одержання карбідів вольфраму шляхом хімічного осадження з газової фази на нагрітій підложниці з використанням суміші газів, яка включає у себе гексафторид вольфраму, водень, вуглецевмісний газ, згаданий спосіб, який відрізняється тим, що вуглецевмісний газ попередньо активують шляхом нагрівання до температури 500-850°С.

15. Спосіб за п. 14, який відрізняється тим, що суміш газів додатково містить інертний газ.

16. Спосіб за п. 14 або п. 15, який відрізняється тим, що як вуглецевмісний газ використовують пропан.

17. Спосіб за будь-яким з пп. 14 - 16, який відрізняється тим, що процес ведуть при тиску 2-150 кПа, температурі підложниці 400-900°С, співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,2-1,7, співвідношенні гексафториду вольфраму до водню в межах 0,02-0,12.

18. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 1,0-1,5, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08 - 0,10, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 750 - 850°С і в результаті одержують монокарбід вольфраму WC.

19. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,75-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,06 - 0,08, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600 - 750°С і в результаті одержують напівкарбід вольфраму W2C.

20. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,05 - 0,055, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 560 - 720°С і в результаті одержують субкарбід вольфраму W3C.

21. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,35-0,45, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,040-0,045, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500 - 700°С і в результаті одержують субкарбід вольфраму W12C.

22. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,90-1,00, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,07-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 670-790°С і в результаті одержують суміш карбідів WC і W2C.

23. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,75, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,055 - 0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 580 - 730°С і в результаті одержують суміш карбідів W2C і W3C.

24. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045 - 0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 570 - 700°С і в результаті одержують суміш карбідів W2C і W12C.

25. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,45-0,60, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045 - 0,050, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 550 - 680°С і в результаті одержують суміш карбідів W2C і W12C.

26. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,65-0,70, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 570 - 710°С і в результаті одержують суміш карбідів W2C, W3C і W12C.

27. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600-720°С і в результаті одержують суміш карбіду WC і вольфраму.

28. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600-720°С і в результаті одержують суміш карбіду W2C і вольфраму.

29. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,055-0,070, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 560-700°С і в результаті одержують суміш карбіду W3C і вольфраму.

30. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,20-0,35, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,070, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500 - 680°С і в результаті одержують суміш карбіду W12C і вольфраму.

31. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,35-0,60, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,05-0,07, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500-680°С і в результаті одержують суміш карбідів W3С, W12C і вольфраму.

32. Спосіб за п. 17, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 1,50-1,70, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,10-0,12, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 750-850°С і в результаті одержують суміш карбіду WC і вуглецю.

33. Спосіб створення на підложницях, переважно на конструкційних матеріалах або виробах з них, покриття, яке містить внутрішній шар вольфраму і зовнішній шар, що містить карбід вольфраму, який відрізняється тим, що він включає у себе такі стадії:

а) вміщення підложниці в реактор для хімічного осадження з газової фази;

б) вакуумування реактора;

в) нагрівання згаданої підложниці;

г) подавання в реактор гексафториду вольфраму і водню;

д) витримування підложниці в даному газовому середовищі протягом часу, необхідного для утворення на підложниці шару вольфраму;

е) подавання в реактор вуглецевмісного газу додатково до згаданих гексафториду вольфраму і водню, причому вуглецевмісний газ попередньо термічно активують;

ж) витримування підложниці в газовому середовищі, утвореному на стадії е), протягом часу, необхідного для створення на підложниці зовнішнього шару, що містить карбіди вольфраму або їхні суміші між собою, із вольфрамом або вільним вуглецем.

34. Спосіб за п. 33, який відрізняється тим, що процес ведуть при тиску в реакторі в межах 2-150 кПа, температурі підложниці в межах 400-900°С, співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,2-1,7, співвідношенні гексафториду вольфраму до водню в межах 0,02-0,12.

35. Спосіб за п. 33, який відрізняється тим, що перед нанесенням покриття на матеріали або вироби з матеріалів, вибраних із групи, в яку входять залізо, вуглецеві сталі, нержавіючі сталі, чавуни, титанові сплави, титановмісні тверді сплави, на них створюють покриття з матеріалів, хімічно стійких у фтористому водні і, зокрема, з нікелю, кобальту, міді, срібла, золота, платини, іридію, танталу, молібдену, їхніх сплавів, сполук і сумішей шляхом електрохімічного або хімічного осадження з водних розчинів, електролізу розплавів, фізичного або хімічного осадження з газової фази.

36. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 1,00-1,50, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08-0,10, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 750-850°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить монокарбід вольфраму WC.

37. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,75-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,06-0,08, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600-750°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить напівкарбід вольфраму W2C.

38. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,050-0,055, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 560-720°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить субкарбід вольфраму W3C.

39. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,35-0,40, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,040-0,045, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500-700°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить субкарбід вольфраму W12C.

40. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,90-1,00, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,07-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 670-790°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів WC і W2C.

41. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,75, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,055-0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 580-730°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів W2C і W3C.

42. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,65-0,70, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 570-710°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів W2C, W3C і W12C.

43. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,060, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 570-700°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів W2C і W12C.

44. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,40-0,60, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,050, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 550-680°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів W3C і W12C.

45. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600-720°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбіду W2C із вольфрамом.

46. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,60-0,65, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,055-0,070, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 560-700°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбіду W3C із вольфрамом.

47. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,35-0,60, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,050-0,070, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500-690°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбідів W3C і W12C із вольфрамом.

48. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,20-0,35, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,045-0,070, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 500-680°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбіду W12C із вольфрамом.

49. Спосіб за п. 34, який відрізняється тим, що процес ведуть при співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,70-0,90, гексафториду вольфраму до водню в межах 0,08-0,09, причому вуглецевмісний газ попередньо нагрівають до температури 600-720°С і в результаті одержують зовнішній шар, що містить суміш карбіду WC з вольфрамом.

50. Спосіб за будь-яким з пунктів 33-49, який відрізняється тим, що покриття створюють на вузлах тертя.

51. Спосіб за будь-яким з пунктів 33-49, який відрізняється тим, що покриття створюють на формувальному інструменті для обробляння матеріалів тиском.

52. Спосіб за будь-яким з пунктів 33-49, який відрізняється тим, що покриття створюють на вузлах машин і механізмів, що працюють зі стиснутими газами і рідинами, або інших пневмогідравлічних систем.

53. Матеріал, який містить:

- підложницю з конструкційного матеріалу;

- створене на згаданій підложниці покриття, причому покриття містить внутрішній шар, виконаний із вольфраму, і зовнішній шар, що містить карбід вольфраму, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

54. Матеріал за п. 53, який відрізняється тим, що карбід вольфраму додатково легований фторвуглецевими композиціями з умістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.).

55. Матеріал за п. 53 або п. 54, у якому карбід вольфраму являє собою монокарбід WC.

56. Матеріал за п. 53 або п. 54, у якому карбід вольфраму являє собою напівкарбід W2C.

57. Матеріал за п. 53 або п. 54, у якому карбід вольфраму являє собою субкарбід W3C.

58. Матеріал за п. 53 або п. 54, у якому карбід вольфраму являє собою субкарбід W12C.

59. Матеріал за будь-яким з пп. 55-58, який відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вольфрам.

60. Матеріал за будь-яким з пп. 55-58, який відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вуглець.

61. Матеріал за будь-яким з пп. 55-60, який відрізняється тим, що внутрішній шар має товщину 0,5-300 мкм при співвідношенні товщини внутрішнього і зовнішнього шарів від 1:1 до 1:600.

62. Матеріал за будь-яким з пп. 55-61, який відрізняється тим, що зовнішній шар підложниці містить сплави, наприклад, інвар, ніхром, монель, з умістом нікелю вище 25% (ат.).

63. Матеріал, який містить:

- підложницю з конструкційного матеріалу,

- створене на згаданій підложниці покриття, причому покриття містить внутрішній шар із вольфраму і зовнішній шар, що містить суміш щонайменше двох карбідів вольфраму, легованих фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

64. Матеріал за п. 63, який відрізняється тим, що суміш щонайменше двох карбідів вольфраму додатково легована фторвуглецевими композиціями з умістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.).

65. Матеріал за п. 63 або п. 64, який відрізняється тим, що зовнішній шар містить суміш карбідів вольфраму WC і W2C.

66. Матеріал за п. 63 або п. 64, який відрізняється тим, що зовнішній шар містить суміш карбідів вольфраму W3C і W2C.

67. Матеріал за п. 63 або п. 64, який відрізняється тим, що зовнішній шар містить суміш карбідів вольфраму W3C і W12C.

68. Матеріал за п. 63 або п. 64, який відрізняється тим, що зовнішній шар містить суміш карбідів вольфраму W2C і W12C.

69. Матеріал за п. 63 або п. 64, який відрізняється тим, що зовнішній шар містить суміш карбідів вольфраму W2C, W3C і W12C.

70. Матеріал за будь-яким з пп. 63-69, який відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вольфрам.

71. Матеріал за будь-яким з пп. 63-69, який відрізняється тим, що зовнішній шар додатково містить вуглець.

72. Матеріал за будь-яким з пп. 63-71, який відрізняється тим, що внутрішній шар має товщину 0,5-300 мкм при співвідношенні товщини внутрішнього і зовнішнього шарів від 1:1 до 1:600.

73. Матеріал за будь-яким з пп. 63-72, який відрізняється тим, що зовнішній шар підложниці містить сплави, наприклад, інвар, ніхром, монель, з умістом нікелю вище 25% (ат.).

74. Матеріал, отриманий у спосіб за будь-яким з пп. 33-49.

75. Багатошарове покриття, виконане з шарів, що чергуються, з вольфраму і таких, що містять карбід вольфраму відповідно до пп. 1-6.

76. Багатошарове покриття за п. 75, яке відрізняється тим, що окремі його шари мають товщину від 2 до 10 мкм при співвідношенні товщини шарів, що чергуються, від 1:1 до 1:5.

77. Багатошарове покриття, виконане з шарів вольфраму, що чергуються, і шарів, що містить суміш карбідів вольфраму відповідно до п. 7.

78. Багатошарове покриття за п. 77, яке відрізняється тим, що окремі його шари мають товщину від 2 до 10 мкм при співвідношенні товщини шарів, що чергуються, від 1:1 до 1:5.

79. Спосіб створення на підложницях, переважно на конструкційних матеріалах і виробах з них, багатошарового покриття у вигляді шарів, що чергуються, з вольфраму і таких, що містять карбід вольфраму або їхні суміші між собою, з вольфрамом або з вільним вуглецем, який включає в себе такі стадії

а) вміщення підложниці в реактор для хімічного осадження з газової фази;

б) вакуумування реактора;

в) нагрівання згаданої підложниці;

г) подавання в реактор гексафториду вольфраму і водню;

д) витримування підложниці в згаданому газовому середовищі протягом часу, необхідного для утворення на підложниці шару вольфраму;

е) подавання в реактор вуглецевмісного газу додатково до згаданих гексафториду вольфраму і водню, причому вуглецевмісний газ попередньо термічно активують;

ж) витримування підложниці в газовому середовищі, утвореного на стадії е), протягом часу, необхідного для створення на підложниці шару, що містить карбід вольфраму або суміші карбідів вольфраму між собою, з вольфрамом і вуглецем, причому стадії г-ж) повторюють багаторазово для створення шарів, що чергуються, з вольфраму і таких, що містять карбіди вольфраму.

80. Спосіб за п. 79, який відрізняється тим, що процес ведуть при тиску в реакторі в межах 2-150 кПА, температурі підложниці в межах 400-900°С, співвідношенні вуглецевмісного газу до водню в межах 0,2-1,7, співвідношенні гексафториду вольфраму до водню в межах 0,02-0,12.

81. Спосіб за п. 79, який відрізняється тим, що перед створенням покриття на матеріалах або виробах з матеріалів, вибраних із групи, в яку входять залізо, вуглецеві сталі, нержавіючі сталі, чавуни, титанові сплави, титановмісні тверді сплави, на них створюють покриття з матеріалів, хімічно стійких у фтористому водні і, зокрема, з нікелю, кобальту, міді, срібла, золота, платини, іридію, танталу, молібдену, їхніх сплавів, сполук і сумішей шляхом електрохімічного або хімічного осадження з водяних розчинів, електролізу розплавів, фізичного і хімічного осадження з газової фази.

82. Спосіб за будь-яким з пунктів 79-81, який відрізняється тим, що покриття створюють на вузлах тертя.

83. Спосіб за будь-яким з пп. 79-81, який відрізняється тим, що покриття створюють на формувальному інструменті для обробляння металів тиском.

84. Спосіб за будь-яким з пп. 79-81, який відрізняється тим, що покриття створюють на вузлах машин і механізмів, що працюють зі стиснутими газами і рідинами, або інших пневмогідравлічних систем.

85. Конструкційний матеріал, який містить підложницю і багатошарове покриття, виконане з шарів, що чергуються, з вольфраму і таких, що містять карбід вольфраму, легований фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

86. Матеріал за п. 85, у якому карбід вольфраму додатково легований фторвуглецевими композиціями з умістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.).

87. Матеріал за п. 85 або п. 86, у якому карбід вольфраму являє собою монокарбід вольфраму WC.

88. Матеріал за п. 85 або п. 86, у якому карбід вольфраму являє собою напівкарбід вольфраму W2C.

89. Матеріал за п. 85 або п. 86, у якому карбід вольфраму являє собою субкарбід вольфраму W3C.

90. Матеріал за п. 85 або п. 86, у якому карбід вольфраму являє собою субкарбід вольфраму W12C.

91. Матеріал за будь-яким з пунктів 85-90, який відрізняється тим, що карбідні шари додатково містять вольфрам.

92. Матеріал за будь-яким з пунктів 85-90, який відрізняється тим, що карбідні шари додатково містять вуглець.

93. Матеріал за будь-яким з пунктів 85-92, який відрізняється тим, що окремі його шари мають товщину від 2 до 10 мкм при співвідношенні товщини шарів, що чергуються, від 1:1 до 1:5.

94. Конструкційний матеріал, який містить підложницю і багатошарове покриття, виконане з шарів, що чергуються, з вольфраму і таких, що містять суміш щонайменше двох карбідів вольфраму, легованих фтором у кількості від 0,0005 до 0,5% (мас.).

95. Матеріал за п. 94, у якому суміш щонайменше двох карбідів вольфраму додатково легована фторвуглецевими композиціями с умістом вуглецю до 15% (мас.) і фтору до 0,5% (мас.)

96. Матеріал за п. 94 або п. 95, у якому карбідні шари містять суміш карбідів вольфраму WC і W2C.

97. Матеріал за п. 94 або п. 95, у якому карбідні шари містять суміш карбідів вольфраму W2C і W3C.

98. Матеріал за п. 94 або п. 95, у якому карбідні шари містять суміш карбідів вольфраму W3C і W12C.

99. Матеріал за п. 94 або п. 95, у якому карбідні шари містять суміш карбідів вольфраму W2C і W12C.

100. Матеріал за п. 94 або п. 95, у якому карбідні шари містять суміш карбідів вольфраму W2C, W3C і W12C.

101. Матеріал за будь-яким з пунктів 94-100, який відрізняється тим, що карбідні шари додатково містять вольфрам.

102. Матеріал за будь-яким з пунктів 94-100, який відрізняється тим, що карбідні шари додатково містять вуглець.

103. Матеріал за будь-яким з пунктів 94-102, який відрізняється тим, що окремі його шари мають товщину від 2 до 10 мкм при співвідношенні товщини шарів що чергуються, від 1:1 до 1:5.

104. Конструкційний матеріал, отриманий у спосіб за будь-яким з пунктів 79-81.