Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач широкова

Номер патенту: 102751

Опубліковано: 12.08.2013

Автор: Широков Ігор Борисович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач, що містить польовий транзистор, конструктивну індуктивність, блокуючий конденсатор, клему подачі і знімання сигналів, клему подачі напруги живлення, який відрізняється тим, що конструктивна індуктивність виконана або як котушка індуктивності з виводами відомого діаметра, відомої довжини і з відомою кількістю витків, або як відрізок мікросмужкової лінії з виводами відомої ширини, відомої товщини підкладки і відомої довжини, при цьому конструктивна індуктивність має чотири виводи, причому перший вивід конструктивної індуктивності з'єднаний зі спільним дротом, другий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з витоком польового транзистора, третій вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з клемою подачі та знімання радіочастотних або мікрохвильових сигналів, четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, при цьому стік польового транзистора з'єднаний з першим виводом блокувального конденсатора і з клемою подачі напруги живлення, а другий вивід блокувального конденсатора з'єднаний із спільним дротом, причому виводи конструктивної індуктивності та параметри польового транзистора підібрані так, щоб не виконувалася умова самозбудження схеми та генерації сигналів.

2. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, який відрізняється тим, що, як польовий транзистор, використаний двозатворний польовий транзистор, причому його перший затвор з'єднаний з четвертим виводом конструктивної індуктивності, а його другий затвор з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму.

3. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, який відрізняється тим, що в схему додані розділовий конденсатор і розв'язуючий опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з першим виводом розв'язуючого опору і із затвором польового транзистора, а другий вивід розв'язуючого опору з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму.

4. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 3, який відрізняється тим, що в схему доданий баластний опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, а її другий вивід з'єднаний з першим виводом баластного опору і з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з другим виводом баластного опору, з витоком польового транзистора і з першим виводом розв'язуючого опору, другий вивід якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму.

5. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що в схему підсилювача доданий резонансний конденсатор, перша обкладинка якого з'єднана зі спільним дротом, а його друга обкладинка з'єднана з четвертим виводом конструктивної індуктивності.

Текст

Реферат: Винахід належить до області радіотехніки і може бути використаний при побудові радіотехнічних систем різного призначення. Транзисторний підсилювач містить позитивний зворотний зв'язок для підсилення сигналів в області мікрохвиль і радіочастот, причому позитивний зворотний зв'язок формується за рахунок виконання конструктивної індуктивності або як котушки індуктивності з виводами відомого діаметра, відомої довжини і з відомою кількістю витків, або як відрізок мікросмужкової лінії з виводами відомої ширини, відомої товщини підкладки і відомої довжини, перший вивід конструктивної індуктивності з'єднаний зі спільним дротом, а її другий вивід з'єднаний по змінному струму з витоком польового транзистора, на третій вивід конструктивної індуктивності подають вхідний мікрохвильовий або радіочастотний сигнал, при цьому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний по змінному струму з затвором польового транзистора, що забезпечує формування позитивного зворотного зв'язку, стік польового транзистора з'єднаний по змінному струму через блокувальний конденсатор зі спільним дротом, а по постійному струму з клемою подачі напруги живлення. Додатково є можливість подавати напругу керування постійного струму на перший або другий затвор польового транзистора або на його витік. Технічним результатом що досягається, є спрощення конструкції та підвищення стабільності роботи однопортового резонансного транзисторного підсилювача. UA 102751 C2 (12) UA 102751 C2 UA 102751 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Винахід належить до області радіотехніки і може бути використаний при побудові радіотехнічних систем різного призначення. Особливо корисним є використання однопортового підсилювача при побудові активних транспондерів, що здійснюють прийом, обробку і зворотне випромінювання прийнятого і підсиленого по амплітуді радіочастотного або мікрохвильового сигналу. Добре відомі однопортові підсилювачі радіочастотних або мікрохвильових сигналів, побудовані, наприклад, на тунельних діодах, діодах Ганна й інших активних двополюсниках, що мають спадаючу ділянку вольтамперної характеристики. Проте, підсилення, яке можуть забезпечувати подібні підсилювачі, зазвичай, не перевищує декількох децибел. Окрім цього, подібні підсилювачі надто нестійкі в роботі та схильні до самозбудження. Для стабілізації параметрів такого підсилювача потрібні спеціальні стабілізуючі ланцюги, що ускладнює конструкцію підсилювача в цілому. Найбільш близьким до винаходу бачиться однопортовий мікрохвильовий транзисторний підсилювач, описаний в A. P. Venguer, J. L. Medina, R. A. Chavez, A. Velazquez, A. Zamudio, G. N. I1’in "The Teoretical and Experimental Analysis of Resonant Microwave Reflection Amplifiers", Microwave Journal, vol. 47, no. 10, pp. 80-93, October, 2004, або A. P. Venguer, J. L. Medina, R. A. Chavez, A. Velazquez, "Low Noise One-Port Microwave Transistor Amplifier", Microwave and Optical Technology Letters, vol. 33, no. 2, pp. 100-104, April 20, 2002. Підсилювач побудований з використанням польового транзистора, в ланцюзі якого включений послідовний позитивний зворотний зв'язок. У роботах приведено теоретичне обґрунтування функціювання підсилювача, а також результати експериментальних досліджень однопортового транзисторного підсилювача. Проте всі теоретичні розрахунки і висновки і, очевидно, сама робота описаного підсилювача засновані на використанні паразитних ємностей і індуктивностей польового транзистора, які, у поєднанні з використанням зовнішніх конструктивних і внутрішніх паразитних реактивностей, забезпечують формування послідовного позитивного зворотного зв'язку, що забезпечує підсилення мікрохвильового сигналу. Очевидно, що паразитні реактивні елементи самого транзистора і монтажу позначаються виключно в області мікрохвиль. У радіочастотній області впливом цих паразитних елементів можна нехтувати, що приводить до того, що добитися підсилення сигналу в цьому випадку не є можливим. До того ж, налаштування подібного підсилювача - процес достатньо трудомісткий, оскільки врахувати і розрахувати заздалегідь вплив паразитних реактивних елементів на параметри підсилювача в цілому практично неможливо. І останнє, схема містить в різних варіантах до чотирьох конструктивних індуктивностей і до п'яти дискретних блокувальних, розділових і частотнозадавальних конденсаторів, що ускладнює конструкцію і додатково ускладнює процес налаштування підсилювача. У той же час украй необхідно при побудові різного виду транспондерів мати стабільний, простий і надійний однопортовий підсилювач, здатний підсилювати сигнали не лише в області мікрохвиль, але і в радіочастотній області і навіть нижче. До того ж такий підсилювач не повинен вимагати спеціального налаштування, що дозволить використовувати його у радіотехнічних системах при їх масовому виробництві. У основу винаходу поставлено задачу спрощення конструкції та підвищення стабільності роботи однопортового резонансного транзисторного підсилювача, що не вимагає спеціального налаштування, і що працює як в області мікрохвиль, так і в області радіочастот. Поставлена задача вирішується тим, що: 1. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач, що містить польовий транзистор, конструктивну індуктивність, блокуючий конденсатор, клему подачі та знімання сигналів, клему подачі напруги живлення, що відрізняється тим, що конструктивна індуктивність виконана або як котушка індуктивності з відводами (виводами) відомого діаметра, відомої довжини і з відомою кількістю витків, або як відрізок мікросмужкової лінії з відводами (виводами) відомої ширини, відомої товщини підкладки і відомої довжини, при цьому конструктивна індуктивність має чотири виводи, причому перший вивід конструктивної індуктивності з'єднаний зі спільним дротом, другий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з витоком польового транзистора, третій вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з клемою подачі та знімання радіочастотних або мікрохвильових сигналів, четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, при цьому стік польового транзистора з'єднаний з першим виводом блокувального конденсатора і з клемою подачі напруги живлення, а другий вивід блокувального конденсатора з'єднаний із спільним дротом, причому виводи конструктивної індуктивності та параметри польового транзистора підібрані так, щоб не виконувалася умова самозбудження схеми та генерації сигналів. 1 UA 102751 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 2. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, що відрізняється тим, що, як польовий транзистор, використаний двозатворний польовий транзистор, причому його перший затвор з'єднаний з четвертим віводом конструктивної індуктивності, а його другий затвор з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму, причому установкою необхідної напруги керування постійного струму досягають виконання умови відсутності самозбудження схеми та генерації сигналів. 3. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, що відрізняється тим, що в схему додані розділовий конденсатор і розв'язуючий опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з першим виводом розв'язуючого опору і із затвором польового транзистора, а другий вивід розв'язуючого опору з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму, причому установкою необхідної напруги керування постійного струму, добиваються виконання умови відсутності самозбудження схеми і генерації сигналів. 4. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 3, що відрізняється тим, що в схему доданий баластний опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, а її другий вивід з'єднаний з першим виводом баластного опору і з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з другим виводом баластного опору, з витоком польового транзистора і з першим виводом розв'язуючого опору, другий вивід якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму, причому установкою необхідної напруги керування постійного струму, добиваються виконання умови відсутності самозбудження схеми і генерації сигналів. 5. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, 2, 3 і 4, що відрізняється тим, що в схему підсилювача доданий резонансний конденсатор, перша обкладинка якого з'єднана зі спільним дротом, а його друга обкладинка з'єднана з четвертим виводом конструктивної індуктивності. Порівняння винаходу зі вже відомими прототипами показує, що пристрій, що заявляється, виявляє нові технічні властивості, що полягають у простоті конструкції, її малих габаритах, малому споживанні енергії і низькій вартості, що дозволяє встановлювати однопортовий резонансний транзисторний підсилювач у різного роду активні транспондери. Стабільність роботи однопортового підсилювача при цьому буде високою, оскільки підсилення схеми забезпечується не за рахунок паразитних реактивностей підсилювального елемента і паразитних реактивностей монтажу схеми, а за рахунок позитивного зворотного зв'язку, що формується за допомогою відводів (виводів) конструктивної індуктивності. Вплив при цьому самих паразитних реактивностей на глибину позитивного зворотного зв'язку малий. Глибина позитивного зворотного зв'язку розраховується один раз з урахуванням параметрів активного елемента і/або напруги керування постійного струму, і в процесі експлуатації не змінюється, що забезпечує стабільність роботи схеми. Можна розрахувати і забезпечити необхідну глибину позитивного зворотного зв'язку як в мікрохвильовому, так і в радіочастотному діапазоні довжин хвиль, при цьому абсолютно не спираючись на значення паразитних реактивностей схеми. Підсилення радіочастотного або мікрохвильового сигналу, що приймається, і його зворотне випромінювання дозволить поліпшити якісні показники радіотехнічної системи в цілому. Зокрема, можна істотно збільшити дальність дії радіотехнічної системи. Крім того, розрахувавши і перевіривши експериментально один раз розташування виводів конструктивної індуктивності і вибравши один раз параметри самого польового транзистора і/або параметри напруги керування постійного струму, можна уникнути процедури налаштування підсилювача при його масовому виробництві. Ці властивості винаходу є новими, оскільки в пристрої-прототипі через властиві йому недоліки, що полягають у формуванні параметрів підсилювача за рахунок паразитних реактивностей підсилювального елемента і паразитних реактивностей монтажу схеми, неможливо забезпечити стабільну роботу схеми і повторюваність результатів. Кожен підсилювач-прототип при цьому вимагає індивідуального налаштування, що є абсолютно непридатним при його масовому виробництві. Окрім цього, вказаний підсилювач-прототип можна реалізувати тільки в мікрохвильовому діапазоні довжин хвиль, де вплив паразитних реактивностей великий. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач, що заявляється, можна реалізувати по схемі, показаній на фіг. 1 а, б, в і г. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач складається з клеми подачі і знімання радіочастотних або мікрохвильових сигналів 1 (фіг. 1 а, б, в і г), конструктивної індуктивності з відводами (виводами) 2 (фіг. 1 а, б, в і г), польового транзистора 3 з одним затвором (фіг. 1 а, в і г), або двома затворами (фіг. 1 б), блокувального конденсатора 4 (фіг. 1 а, 2 UA 102751 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 б, в і г), клеми подачі напруги живлення 5 (фіг. 1 а, б, в і г), резонансного конденсатора 6, встановлюваного опционально (фиг. 1 а, б, в і г), клеми подачі напруги керування постійного струму 7 (фіг. 1 б, в і г), розв'язуючого опору 8 (фіг.1 в і г), розділового конденсатора 9 (фіг. 1 в і г) і баластного опору 10 (фіг. 1 г), причому конструктивна індуктивність виконана або як котушка індуктивності з відводами (виводами) відомого діаметра, відомої довжини і з відомою кількістю витків, або як відрізок мікросмужкової лінії з відводами (виводами) відомої ширини, відомої товщини підкладки і відомої довжини, при цьому конструктивна індуктивність має чотири виводи. При цьому перший вивід конструктивної індуктивності 2 з'єднаний зі спільним дротом (фіг. 1 а, б, в і г), другий вивід конструктивної індуктивності 2 з'єднаний або з витоком польового транзистора 3 (фіг. 1 а, б і в), або з першим виводом баластного опору 10 і з першим обкладанням розділового конденсатора 9, друга обкладинка якого з'єднана з другим виводом баластного опору 10, з витоком польового транзистора 3 і з першим виводом розв'язуючого опору 8, другий вивід якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму 7 (фіг.1 г), третій вивід конструктивної індуктивності 2 з'єднаний з клемою подачі і знімання радіочастотних або мікрохвильових сигналів 1 (фіг. 1 а, б, в і г), при цьому четвертий вивід конструктивної індуктивності 2 з'єднаний затвором польового транзистора 3 (фіг. 1 а і г), або з першим затвором польового транзистора 3, другий затвор якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму 7 (фіг. 1 б), або з першим виводом роздільного конденсатора 9, другий вивід якого з'єднаний з затвором польового транзистора 3 і з першим виводом розв'язуючого опору 8, другий вивід якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму 7 (фіг. 1 в), при цьому стік польового транзистора 3 з'єднаний з першим виводом блокувального конденсатора 4 і з клемою подачі напруги живлення 5, а другий вивід блокувального конденсатора 4 з'єднаний зі спільним дротом (фіг. 1 а, б, в і г), при цьому опціонально, перша обкладинка резонансного конденсатора 6 з'єднана зі спільним дротом, а його друга обкладинка з'єднана з четвертим виводом конструктивної індуктивності 2 (фіг. 1 а, б, в і г). Працює однопортовий резонансний транзисторний підсилювач таким чином. Радіочастотний або мікрохвильовий сигнал через клему 1 надходить на третій вивід конструктивної індуктивності 2, перший вивід якої з'єднаний зі спільним дротом (фіг. 1 а, б, в і г). На четвертий вивід конструктивної індуктивності 2 наводиться при цьому збільшений по амплітуді радіочастотний або мікрохвильовий сигнал (напруга), синфазний зі вхідним сигналом, який надходить на затвор польового транзистора 3 (перший затвор двозатворного польового транзистора 3) або безпосередньо (фіг. 1 а, б і г), або через роздільний конденсатор 9 (фіг. 1 в). Ця напруга радіочастотного або мікрохвильового діапазону спричиняє появу синфазного струму через канал польового транзистора 3, який частково протікає через конструктивну індуктивність 2 за рахунок з'єднання витоку польового транзистора 3 з другим виводом конструктивної індуктивності 2, або безпосередньо (фіг. 1 а, б і в), або через розділовий конденсатор 9, паралельно якому підключений баластний опір 10 (фіг. 1 г). При цьому струм через конструктивну індуктивність 2 в її частині між першим і другим виводами, виявляється синфазним зі вхідним сигналом (напругою). Іншими словами реалізується позитивний зворотний зв'язок і відбувається підсилення сигналів радіочастотного або мікрохвильового діапазонів довжин хвиль. Максимальної величини підсилення схема досягає на резонансі коливальної системи, створеної конструктивною індуктивністю 2 і вхідною ємністю польового транзистора 3. Вихідний підсилений радіочастотний або мікрохвильовий сигнал знімають з того ж третього виводу конструктивної індуктивності 2 і подають на клему 1. При цьому положення третього виводу конструктивної індуктивності 2 вибирають з погляду узгодження вхідного/вихідного опору підсилювача з хвилевим опором вхідного/вихідного фідера і/або опором навантаження. Вхідні і вихідні радіочастотні або мікрохвильові сигнали або не розділяють між собою зовсім, у разі, коли до клеми 1 підключено, наприклад, прийомо-передавальну антену радіотехнічної системи, або розділяють будь-яким відомим методом, наприклад за допомогою спрямованого відгалужувача або циркулятора. Блокувальний конденсатор 4 служить для з'єднання стоку польового транзистора 3 по змінному струму зі спільним дротом. Напругу живлення підсилювача подають через клему 5 на стік польового транзистора 3. Принципова схема однопортового підсилювача, що заявляється, нагадує традиційний генератор високочастотних коливань, побудований по схемі індуктивної триточки. Проте, в підсилювачі, що заявляється, відводи конструктивної індуктивності 2 і параметри польового транзистора 3 підібрані так, щоб умова самозбудження схеми не виконувалася і генерація 3 UA 102751 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 сигналів, отже, не наставала (фіг. 1 а). Іншим способом зриву процесу генерації сигналів (невиконання умови самозбудження схеми) може бути подача напруги керування постійного струму через клему 7 на другий затвор польового транзистора 3 (фіг. 1 б), або подача напруги керування постійного струму через клему 7 і через розв'язуючий опір 8, за умови наявності роздільного конденсатора 9, на затвор польового транзистора 3 (фіг. 1 в), або подача напруги керування постійного струму через клему 7 і через розв'язуючий опір 8, за умови наявності роздільного конденсатора 9 і баластного опору 10, на витік польового транзистора 3 (фіг. 1 г). При цьому, чим точніше і ближче само розташування другого вивода конструктивної індуктивності 2, параметри польового транзистора 3 і значення напруги керування, що подається на клему 7, відповідають виконанню умові самозбудження підсилювача, тим більший коефіцієнт підсилення підсилювача. Представляється наступний шлях вибору вказаних параметрів. Визначається критичний режим роботи схеми підсилювача, при якому починає виконуватися умова самозбудження схеми, після чого один з вказаних параметрів, якщо це можливо, змінюють, наприклад, на 10 % у бік зриву процесу генерації. При цьому забезпечують стабільну роботу підсилювача в широкому діапазоні зміни дестабілізуючих факторів і при широкому розкиді параметрів електронних компонентів схеми підсилювача при його масовому виробництві. Експериментально було встановлено, що коефіцієнт підсилення однопортового підсилювача, що заявляється, досягав величини 20…25 дБ за умови його стабільної роботи. В окремихвипадках вдавалося отримати більший коефіцієнт підсилення, проте робота такого підсилювача ставала нестабільною і спостерігався ефект залежності виконання умови самозбудження схеми від рівня вхідного сигналу. Додатково, паралельно конструктивній індуктивності 2 (до її першого і четвертого виводів) можна підключити резонансний конденсатор 6. За допомогою цього конденсатора можна забезпечити настроювання схеми підсилювача на робочу частоту, досягаючи при цьому максимального підсилення саме на цій частоті. Проте, слід мати на увазі той факт, що резонансний конденсатор 6 зменшує добротність коливальної системи, а, отже, і коефіцієнт підсилення однопортового підсилювача. В цьому випадку представляється доцільним проектувати однопортовий підсилювач без резонансного конденсатора. Народногосподарський ефект від використання винаходу пов'язаний з появою можливості будувати прості, надійні, стабільні в роботі, споживаючі малу кількість енергії, однопортові підсилювачі радіочастотних або мікрохвильових сигналів. Найдоцільніше застосовувати подібні підсилювачі, наприклад, в активних транспондерах, як це було описано, наприклад, в заявці на патент України № а201100198 від 05.01.2011 МПК G01R 29/08 "Спосіб збільшення дальності дії системи багатоабонентної радіочастотної ідентифікації". Інший аспект підвищення ефективності від використання винаходу пов'язаний з можливістю використання однопортового підсилювача, що заявляється, замість традиційних двопортових підсилювачів, підключаючи до нього в цьому випадку, наприклад, циркулятор. Простота конструкції, надійність в роботі, мале споживання енергії, у поєднанні з малим рівнем власних шумів, робить однопортовий підсилювач, що заявляється, винятково корисним у всіх областях радіотехніки. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 45 50 55 60 1. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач, що містить польовий транзистор, конструктивну індуктивність, блокуючий конденсатор, клему подачі і знімання сигналів, клему подачі напруги живлення, який відрізняється тим, що конструктивна індуктивність виконана або як котушка індуктивності з виводами відомого діаметра, відомої довжини і з відомою кількістю витків, або як відрізок мікросмужкової лінії з виводами відомої ширини, відомої товщини підкладки і відомої довжини, при цьому конструктивна індуктивність має чотири виводи, причому перший вивід конструктивної індуктивності з'єднаний зі спільним дротом, другий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з витоком польового транзистора, третій вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з клемою подачі та знімання радіочастотних або мікрохвильових сигналів, четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, при цьому стік польового транзистора з'єднаний з першим виводом блокувального конденсатора і з клемою подачі напруги живлення, а другий вивід блокувального конденсатора з'єднаний із спільним дротом, причому виводи конструктивної індуктивності та параметри польового транзистора підібрані так, щоб не виконувалася умова самозбудження схеми та генерації сигналів. 2. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, який відрізняється тим, що, як польовий транзистор, використаний двозатворний польовий транзистор, причому його 4 UA 102751 C2 5 10 15 перший затвор з'єднаний з четвертим виводом конструктивної індуктивності, а його другий затвор з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму. 3. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 1, який відрізняється тим, що в схему додані розділовий конденсатор і розв'язуючий опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з першим виводом розв'язуючого опору і із затвором польового транзистора, а другий вивід розв'язуючого опору з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму. 4. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за п. 3, який відрізняється тим, що в схему доданий баластний опір, причому четвертий вивід конструктивної індуктивності з'єднаний із затвором польового транзистора, а її другий вивід з'єднаний з першим виводом баластного опору і з першою обкладинкою розділового конденсатора, друга обкладинка якого з'єднана з другим виводом баластного опору, з витоком польового транзистора і з першим виводом розв'язуючого опору, другий вивід якого з'єднаний з клемою подачі напруги керування постійного струму. 5. Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач за одним з попередніх пунктів, який відрізняється тим, що в схему підсилювача доданий резонансний конденсатор, перша обкладинка якого з'єднана зі спільним дротом, а його друга обкладинка з'єднана з четвертим виводом конструктивної індуктивності. 5 UA 102751 C2 Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 6

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Shyrokov one-port resonant transistor amplifier

Автори англійською

Shyrokov Ihor Borysovych

Назва патенту російською

Однопортовый резонансный транзисторный усилитель широкова

Автори російською

Широков Игорь Борисович

МПК / Мітки

МПК: H03F 3/189, H03F 3/19, H03F 3/04

Мітки: підсилювач, широкова, транзисторний, резонансний, однопортовий

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/8-102751-odnoportovijj-rezonansnijj-tranzistornijj-pidsilyuvach-shirokova.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Однопортовий резонансний транзисторний підсилювач широкова</a>

Подібні патенти