H01L 27/00 — Прилади, що складаються з декількох напівпровідникових або інших компонентів на твердому тілі, сформованих на одній спільній підкладці або всередині неї

Номер патенту: 123208

Опубліковано: 12.02.2018

Автор: Фіщук Сергій Віталійович

МПК: F21W 121/02, F04F 5/54, B05B 17/08 ...

Мітки: музичній, фонтан

Формула / Реферат:

1. Музичний фонтан, що містить чашу (1), засоби для викидання води, художній елемент, розташований в центрі чаші (1), елементи підсвічування фонтана, елементи музичного супроводу фонтана, при цьому на дні чаші фонтана встановлене насосне обладнання (2), яке підключають до аналогового перетворювача, виходи якого підключені до програмного пристрою, на вхід програмного пристрою підключені також таймер поточного часу, при цьому з виходу...

Номер патенту: 117377

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Азаров Олексій Дмитрович, Обертюх Максим Романович, Гарнага Володимир Анатолійович

МПК: G05F 1/08, H01L 27/00

Мітки: напруги, джерело, опорної

Формула / Реферат:

Джерело опорної напруги, що містить шину живлення, шину нульового потенціалу, два транзистора, два резистора і стабілітрон, причому стабілітрон сполучений анодом з шиною нульового потенціалу, перший резистор сполучений першим входом з емітером першого транзистора і другим входом з шиною нульового потенціалу, другий резистор сполучений першим виходом з шиною живлення, яке відрізняється тим, що введено третій транзистор, третій резистор,...

Номер патенту: 102232

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Коробіцин Борис Васильович, Вікулін Іван Михайлович, Криськів Світлана Казимирівна

МПК: H01L 27/00, G01R 31/28

Мітки: ширини, напівпровідників, зони, забороненої, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідників за вимірянням вольтамперних характеристик при двох температурах, який відрізняється тим, що на гомогенних p-n-структурах при двох невисоких температурах кімнатній та вищій на 30…50 °C, вимірюються вольт-амперні характеристики при струмах, що відповідають лінійній ділянці, з котрих екстраполяцією до нуля струму визначаються струмові напруги відсічки і по отриманій формулі...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 11/00, H01L 29/00, H01G 4/00, H01L 27/00 ...

Мітки: спіновий, високочастотний, конденсатор

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 72041

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Корнілов Євген Олександрович, Гурин Анатолій Григорович, Ложкін Руслан Сергіович

МПК: H05H 11/00, H01L 27/00, H05H 9/00 ...

Мітки: лінійного, прискорювача, індукційного, модуль

Формула / Реферат:

Модуль лінійного індукційного прискорювача, який містить корпус, індуктори, вакуумні ізолятори, центральні електроди, в яких розташовані котушки фокусування і металеві дрейфові трубки, який відрізняється тим, що індуктори розміщені по радіусу між градієнтними електродами вздовж кожного плоского вакуумного ізолятора, при цьому від джерела живлення до кожного первинного витка індукторів послідовно підведено окремий енергопровід, хвильовий опір...

Номер патенту: 69636

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: напівпровідниковий, сенсор, оптично, потужності

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, перший, другий і третій резистори, перший і другий конденсатори, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід третього резистора та другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який...

Номер патенту: 62951

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович

МПК: H01L 27/00

Мітки: акселерометра, автоемісійний, елемент, чутливий

Формула / Реферат:

Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...

Номер патенту: 55475

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: виходом, сенсор, частотним, рідини, рівня, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор рівня рідини з частотним виходом, який містить оптоволоконний розгалужувач, що має першу та другу оптоволоконну лінію та вихідні оптоволокна, джерело світла, фотодіод, причому джерело світла підключене до оптоволоконного розгалужувача через першу оптоволоконну лінію, а фотодіод підключений до оптоволоконного розгалужувача через другу оптоволоконну лінію, який відрізняється тим, що введено вимірювальне коло, яке...

Номер патенту: 55474

Опубліковано: 10.12.2010

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: потужності, сенсор, частотний, мікроелектронний, оптично

Формула / Реферат:

Мікроелектронний частотний сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело...

Номер патенту: 53867

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Колесник Костянтин Іванович, Свириденко Анатолій Олексійович, Горбулін Володимир Павлович, Конюхов Станіслав Миколайович, Яковлев Віталій Васильович, Курячий Євген Віталійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: G01D 5/00, H01L 25/00, H01L 27/00, H05K 1/00 ...

Мітки: формування, пристрій, основного, кадру

Формула / Реферат:

1. Пристрій формування основного кадру, що містить блок управління і формування, блок живлення, перший, другий, третій, четвертий, п'ятий, шостий та сьомий роз'єми для під'єднання локальних комутаторів та джерел електроживлення, при цьому перший вихід блока управління і формування з'єднано багатоканальною лінією зв'язку з входом першого роз’єму, другий вихід блока управління і формування з'єднано багатоканальною лінією зв'язку з входом...

Номер патенту: 92244

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: вимірювання, випромінювання, активним, оптичного, індуктивним, фоточутливим, елементом, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичного випромінювання з активним індуктивним фоточутливим елементом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатори, два резистори, який відрізняється тим, що додатково містить другий та третій МДН-фототранзистори, причому всі три МДН-фототранзистори виконані з прозорим затворним електродом із ауруму, чутливим до оптичного випромінювання, а поверхня підкладки, вільна від...

Номер патенту: 49691

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Ховерко Юрій Миколайович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович

МПК: H01L 27/00

Мітки: тривимірний, мон-транзистор, структурою, кремній-на-ізоляторі

Формула / Реферат:

Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...

Номер патенту: 42212

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: виходом, частотним, транзисторів, основі, вимірювання, оптично, фоточутлівих, пристрій, потужності

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два резистори, два конденсатори, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини,...

Номер патенту: 42211

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: виходом, оптичного, частотним, мікроелектронний, вимірювач, випромінювання

Формула / Реферат:

Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 42210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: сенсор, освітленням, двостороннім, фоточутливий, каналу, транзисторний

Формула / Реферат:

Транзисторний фоточутливий сенсор з двостороннім освітленням каналу, який містить напівпровідникову підкладку з областями стоку, витоку і каналу, на якій сформовано прозорий до оптичного випромінювання затворний електрод із ауруму, причому області стоку, витоку і прозорий затворний електрод із Аu розташовані на одній площині, витік зв'язаний зі стоком через канал, який відрізняється тим, що поверхня напівпровідникової підкладки, покрита...

Номер патенту: 42207

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: випромінювання, транзисторної, структури, оптичного, сенсор, основі, мікроелектронний, фоточутливої

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...

Номер патенту: 42205

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 27/00, G01J 1/44

Мітки: сенсор, частотним, виходом, оптично, потужності, мікроелектронний

Формула / Реферат:

Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...

Номер патенту: 33757

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Гасинець Вячеслав Омелянович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: G01N 21/01, H01L 33/00, H01L 27/00 ...

Мітки: сенсор, газовий, оптичний

Формула / Реферат:

Оптичний газовий сенсор, що містить корпус, оптичний елемент, який має дві робочі поверхні, джерело випромінювання, вихідне вікно, джерело живлення, який відрізняється тим, що джерело випромінювання, яке складається з не менше двох випромінюючих активних елементів, які випромінюють на одній або різних довжинах хвиль, що узгоджені з відповідною довжиною селективної смуги поглинання аналізуючого газу або компонентів в газовій суміші,...

Номер патенту: 33756

Опубліковано: 10.07.2008

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Гасинець Вячеслав Омелянович

МПК: G01N 21/01, H01L 33/00, H01L 27/00 ...

Мітки: газовий, оптичний, датчик

Формула / Реферат:

Оптичний газовий датчик, що містить корпус, оптичний елемент, який має дві робочі поверхні, джерело випромінювання, вихідне вікно, джерело живлення, який відрізняється тим, що джерело випромінювання, яке складається з  випромінюючих активних елементів, які випромінюють на одній або різних довжинах хвиль, що узгоджені з відповідною довжиною селективної смуги поглинання...

Номер патенту: 23904

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Філинюк Микола Антонович, Мірошникова Сніжана Віталіївна, Барабан Марія Володимирівна, Булига Ігор Васильович

МПК: H01L 27/00, G01R 27/28

Мітки: котушки, еквівалент, індуктивності, транзисторний

Формула / Реферат:

Транзисторний еквівалент котушки індуктивності, що містить транзистор, база якого під'єднана до першого виводу першого резистора, другий вивід першого резистора з'єднаний з шиною живлення, а емітер через другий резистор з'єднаний з шиною живлення і через перший розділовий конденсатор з вхідною клемою, між базою і загальною шиною послідовно ввімкнені другий розділовий конденсатор і третій резистор, який відрізняється тим, що як транзистор...

Номер патенту: 68632

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Онищенко Лідія Іванівна, Дмитрішин Олексій Ярославович, Гунько Віктор Іванович, Гребенников Ігор Юрійович, Перекупка Інна Андріївна

МПК: H01L 27/00, H01G 15/00

Мітки: діелектриком, чистоплівковим, конденсатор, електричний

Формула / Реферат:

Електричний конденсатор з чистоплівковим діелектриком, що містить кришку з струмовиводами, корпус з розміщеним у ньому пакетом мотаних конденсаторних секцій, що складаються з двох обкладок із шорсткуватої фольги і розташованих між ними двох наборів просоченого діелектрика із шарів полімерної односторонньо шорсткуватої плівки, який відрізняється тим, що обкладки виконані з односторонньо шорсткуватої фольги, причому кожна з фольгових обкладок...

Номер патенту: 43000

Опубліковано: 15.11.2001

Автори: Кісельов Єгор Миколайович, Костенко Віталій Леонідович

МПК: G01R 21/00, H01L 27/00

Мітки: вимірювальний, перетворювач, потужності, нвч

Формула / Реферат:

Вимірювальний перетворювач потужності на НВЧ, що включає кремнієву рамку з виконаним у ній підсилювальним елементом, діелектричну основу з розташованими на ній керуючим елементом із нижнім і верхнім електродами, чутливим елементом і міжелементні з'єднання між підсилювальним і керуючими елементами, який відрізняється тим, що діелектрична основа з керуючим елементом із нижнім і верхнім електродами і чутливим елементом розташовані послідовно над...

Номер патенту: 4831

Опубліковано: 28.12.1994

Автор: Титов Михайло Миколайович

МПК: H01L 27/00, H01G 5/00

Мітки: конденсатор

Формула / Реферат:

Конденсатор, содержащий металлические фольговые обкладки, пропитанный диэлектрик между ними и токовыводы с лепестками, примыка­ющие к обкладкам, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он снабжен двумя дополнительными металлическими фольговыми обкладками, каждая из которых расположена меж­ду токовыводами с лепестками и диэлектриком.