Патенти з міткою «0,167»

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Влох Ростислав Орестович, Горгут Галина Петрівна, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: 0,167, 0,200, отримання, agxgaxge1-xse2, x=0,333, монокристалів, 0,250, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...