Патенти з міткою «agxgaxge1-xse2»
Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
Номер патенту: 116899
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Влох Ростислав Орестович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Горгут Галина Петрівна
МПК: C30B 11/00
Мітки: 0,250, 0,167, спосіб, x=0,333, отримання, 0,200, agxgaxge1-xse2, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...