Юрченко Оксана Миколаївна

Номер патенту: 116899

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: x=0,333, 0,200, agxgaxge1-xse2, отримання, монокристалів, 0,167, 0,250, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...

Номер патенту: 116036

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgcl3, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgCl3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей складових, вирощування у запаяних вакуумованих кварцових ампулах в печі шахтного типу монокристалів завданого складу за методом Бріджмена-Стокбаргера, відпал отриманого монокристалу та остаточне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що перед операцією вирощування монокристалу спочатку одержують...

Номер патенту: 116022

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tl3pbі5

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbІ5 з розплаву, який включає компоновку стехіометричної шихти із бінарних йодидів ТlI і РbІ2, синтез Тl3РbІ5 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній ампулі, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез і вирощування Тl3РbІ5 проводять в одній і тій же ростовій кварцовій ампулі з грушоподібним днищем, а...

Номер патенту: 116020

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Левковець Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, тl3рbвr5, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Тl3РbВr5 з розплаву, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених 30-кратно зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці Бріджмена-Стокбаргера бінарних бромідів ТlВr і РbВr2, синтез Tl3PbBr5 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом...

Номер патенту: 116019

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, тlpbi3

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів ТlРbI3 з розплаву, який включає стехіометричну компоновку шихти із бінарних йодидів ТlI і РbI2, попередньо очищених зонною плавкою, синтез ТlРbI3 безпосереднім сплавлянням йодидів у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі в печі шахтного типу, вирощування, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що процес синтезу ТlРbI3 і вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115603

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: tlhgbr3, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів TlHgBr3, що включає складання шихти із розрахованих стехіометричних кількостей компонентів, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури, які здійснюють за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо очищені 30-кратним зонним плавленням бінарні броміди ТlВr і HgBr2, піддають синтезу для отримання TlHgBr3 безпосереднім сплавлянням бромідів у вакуумованій...

Номер патенту: 115226

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Юрченко Оксана Миколаївна, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, tl10hg3cl16

Формула / Реферат:

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16, що включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що шихту складають із сполук,...

Номер патенту: 115210

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Левковець Сергій Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, tl3pbbr2,5i2,5, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl3PbBr2,5I2,5, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зоннимплавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та...

Номер патенту: 115209

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, tl4hgbr6, отримання, монокристалів, розчину-розплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням...

Номер патенту: 115208

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, рbвr1,2і0,8, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів РbВr1,2І0,8, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу...

Номер патенту: 115207

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Фочук Петро Михайлович, Левковець Сергій Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, tlpb2bri4, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів ТlРb2ВrІ4, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з...

Номер патенту: 111911

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Когут Юрій Миколайович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, ag0,5pb1,75ges4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag0,5Pb1,75GeS4 з розплаву, який включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах:температура...

Номер патенту: 70719

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, ag2hgsns4, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2HgSnS4 з розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Sn, S та попередньо синтезованого HgS, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що до складу шихти вводиться надлишок HgS, синтез та ріст суміщені в одній ампулі з грушоподібним дном, при цьому попередньо проводять синтез...

Номер патенту: 70718

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Федорчук Анатолій Олександрович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спосіб, отримання, cu2zngese4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2ZnGeSe4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cu, Zn, Ge, Se, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Cu2GeSe3-ZnSe, вводячи до складу шихти 75 мол. % Сu2SnSе3 та 25 мол. % ZnSe, а синтез і...

Номер патенту: 70717

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Федорчук Анатолій Олександрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, ag2cdsns4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Ag2CdSnS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Sn, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури з використанням горизонтального варіанту методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації тетрарної сполуки в системі Ag2SnS3-CdS, вводячи до складу шихти 58 мол. % Ag2SnS3...

Номер патенту: 63598

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенович, Марушко Лариса Петрівна, Лавринюк Зоряна Володимирівна, Парасюк Олег Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, розчинів, g-твердих, монокристалів, спосіб, основі, системі, взаємній, cu,cd,in, утворюються

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe та утвердих розчинів на його основі, що утворюються у взаємній системі Cu,Cd,In||Se,Te, який включає складання шихти, синтез у тепловому потоці з джерела тепла та вирощуванні монокристалів із розплаву з подальшою кристалізацією та охолодженням до кімнатної температури за модифікованим варіантом методу Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що синтез проводять у два етапи, перший з яких полягає у...

Номер патенту: 58626

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Волков Сергій Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Парасюк Олег Васильович, Харькова Людмила Борисівна, Пехньо Василь Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Шпак Анатолій Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, agcd2gas4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgCd2GaS4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Cd, Ga, S, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з області первинної кристалізації AgCd2GaS4, що становить 38-40 мол. % AgGaS2 та 60-62 мол. % CdS, попередньо проводять синтез сплаву спочатку...

Номер патенту: 54444

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Сосовська Світлана Миколаївна, Парасюк Олег Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Романюк Ярослав Євгенійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, cdga2se4, розчин-розплавним, спосіб, методом

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти із елементарних компонентів Cd, Ga, Se, Sn, Bi, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Bi2Se3, що нижче фазового перетворення і складає...

Номер патенту: 43929

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Парасюк Олег Васильович, Романюк Ярослав Євгенійович, Піскач Людмила Василівна, Сосовська Світлана Миколаївна, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, cdga2se4, розчину-розплаву, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sb, синтез сплаву, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають з поля первинної кристалізації низькотемпературної модифікації тетрарної сполуки в системі CdGa2Se4-Sb2Se3, що нижче фазового перетворення і складає близько...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, отримання, спосіб, cdga2se4

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Пехньо Василь Іванович, Романюк Ярослав Євгенович, Піскач Людмила Василівна, Янко Олег Георгійович, Харькова Людмила Борисівна, Волков Сергій Васильович, Парасюк Олег Васильович, Олексеюк Іван Дмитрович, Уваров Віктор Миколайович, Юрченко Оксана Миколаївна, Шпак Анатолій Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: cu2cdges4, отримання, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Парасюк Олег Васильович, Піскач Людмила Василівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Волков Сергій Васильович, Юрченко Оксана Миколаївна, Шпак Анатолій Петрович, Пехньо Василь Іванович, Уваров Віктор Миколайович, Харькова Людмила Борисівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: aggages4, спосіб, отримання, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...