Патенти з міткою «0,200»
Спосіб отримання монокристалів agxgaxge1-xse2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
Номер патенту: 116899
Опубліковано: 12.06.2017
Автори: Юрченко Оксана Миколаївна, Горгут Галина Петрівна, Влох Ростислав Орестович, Парасюк Олег Васильович
МПК: C30B 11/00
Мітки: agxgaxge1-xse2, отримання, спосіб, монокристалів, 0,167, x=0,333, 0,200, 0,250
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0.333; 0.250; 0.200; 0.167) з розплаву, що включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при наступних...