Патенти з міткою «in45)2s300»

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: ga55, in45)2s300, монокристалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...