Олексеюк Іван Дмитрович

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, монокристалу, ga5,94ln3,96er0,1se15, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб, монокристалу, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: in45)2s300, ga55, монокристалів, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: халькогінідних, напівпровідникових, спосіб, монокристалів, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 26253

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Олексеюк Іван Дмитрович, Волков Сергій Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Пехньо Василь Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Янко Олег Георгійович, Харькова Людмила Борисівна, Шпак Анатолій Петрович, Романюк Ярослав Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, cu2cdges4, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів Cu2CdGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів, попереднє проведення синтезу сплаву протягом 10-15 хв., обертання ампули зі сплавом та його витримування при температурі розплаву для примусової гомогенізації, охолодження до кімнатної температури, подрібнення сплаву до порошкоподібного стану, перевантаження шихти в ростову ампулу, отримання з неї гомогенного розплаву, нарощування...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Піскач Людмила Василівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Пехньо Василь Іванович, Шпак Анатолій Петрович, Харькова Людмила Борисівна, Юрченко Оксана Миколаївна, Панкевич Володимир Зіновійович, Парасюк Олег Васильович, Уваров Віктор Миколайович, Волков Сергій Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: aggages4, отримання, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...

Номер патенту: 28492

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Панкевич Володимир Зіновієвич, Олексеюк Іван Дмитрович, Горгут Галина Петрівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: aggage3se8, вирощування, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...

Номер патенту: 24447

Опубліковано: 17.07.1998

Автори: Федонюк Анатолій Ананійович, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: вирощування, контейнер, монокристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для вирощування монокристалів, виконаний у формі циліндричної ампули з конусоподібним днищем та розташованою у вершині конуса днища грушеподібною камерою, яка з'єднана порожнинною шийкою з вершиною конуса днища, який відрізняється тим, що тигель додатково оснащений другою грушеподібною камерою, яка розташована під першою грушеподібною камерою і з'єднана з нею порожнинною шийкою, а кут при вершині конуса конусоподібного днища...

Номер патенту: 23481

Опубліковано: 02.06.1998

Автори: Олексеюк Світлана Теодорівна, Федонюк Анатолій Ананійович, Падалко Анатолій Михайлович, Давидюк Георгій Євлампійович, Олексеюк Іван Дмитрович

МПК: C03B 11/04

Мітки: тl3рвсl5, спосіб, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ТІ3РbСІ5, включаючий компонування шихти з ТІСІ І РbСІ2 у відповідності iз стехіометричним складом, попередню очистку компонентів шихти, розплавлення останньої і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез І ріст проводять в одному І тому ж ростовому циліндричному тиглі з конусоподібним днищем, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристала ведуть при слідуючих...