Панкевич Володимир Зіновійович

Номер патенту: 115555

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Галян Володимир Володимирович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: монокристалу, одержання, ga5,94ln3,96er0,1se15, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу, що включає складання шихти з вихідних компонентів In, Ga, Se, який відрізняється тим, що до складу шихти додають у легуючій кількості Еr (0,4 ат. %), здійснюють синтез сплаву складу Ga5.94Іn3.96Er0,1Se15 при температурі 1310-1320 К, вирощування монокристалу проводять методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті 2-3 К/мм, швидкістю вирощування монокристалу...

Номер патенту: 115554

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: ga5,46ln4,47er0,07s15, спосіб, монокристалу, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалу Ga5.46ln4.47Er0.07S15, який включає складання шихти з простих речовин Ga, In, S, Er, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що до шихти, складеної з вихідних компонентів Ga, In, S, додають легуючу домішку Еr (0,3 ат. %), а нагрівання проводять до 1190-1200 К, наступний ріст монокристалу методом Бріджмена здійснюють у ампулі з конічним дном,...

Номер патенту: 95507

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Галян Володимир Володимирович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Панкевич Володимир Зіновійович, Іващенко Інна Алімівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, монокристалів, ga55, in45)2s300, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристалів (Ga55, Іn45)2S300, який передбачає складання шихти з простих речовин, Ga, In, S, вирощування монокристалу на основі попереднього синтезованого полікристалічного зразка, до складу якого входять Ga, In, S, який відрізняється тим, що шихту складають з елементарних складових високого ступеню частоти (99,9999 %), синтезують їх сплав при температурі 1250 К, а ріст монокристалів здійснюють методом Бріджмена у...

Номер патенту: 95506

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Панкевич Володимир Зіновійович, Данилюк Ірина Вікторівна, Олексеюк Іван Дмитрович, Іващенко Інна Алімівна, Галян Володимир Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: халькогінідних, одержання, монокристалів, напівпровідникових, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів, що включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала...

Номер патенту: 87199

Опубліковано: 27.01.2014

Автори: Сомов Віктор Миколайович, Панкевич Володимир Зіновійович

МПК: G02B 27/00

Мітки: природних, пристрій, вод, вимірювання, каламутності, портативний

Формула / Реферат:

Портативний пристрій для вимірювання каламутності природних вод, що містить джерело світла та блок реєстрації інтенсивності світла, який відрізняється тим, що джерело світла виконане у вигляді світлодіоду, та спільно з блоком реєстрації інтенсивності світла вони розміщені у портативному кюветному блоці, при цьому блок реєстрації світла виконано у вигляді електричної схеми, що включає фотодіод та міліамперметр в режимі інвертованого...

Номер патенту: 43928

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Піскач Людмила Василівна, Парасюк Олег Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович, Юрченко Оксана Миколаївна

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, монокристалів, cdga2se4, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdGa2Se4, що включає складання шихти з елементарних компонентів Cd, Ge, Se, Sn, синтез у розплаві сполуки CdGa2Se4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що склад шихти вибирають із області первинної кристалізації низькотемпературної модифікації CdGa2Se4 в частині, близькій до метатектичної горизонталі системи CdGa2Se4-SnSe2,...

Номер патенту: 13783

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Пехньо Василь Іванович, Юрченко Оксана Миколаївна, Волков Сергій Васильович, Харькова Людмила Борисівна, Шпак Анатолій Петрович, Парасюк Олег Васильович, Панкевич Володимир Зіновійович, Олексеюк Іван Дмитрович, Уваров Віктор Миколайович, Піскач Людмила Василівна

МПК: C30B 11/00

Мітки: aggages4, спосіб, монокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів AgGaGeS4, що включає складання шихти із елементарних компонентів Ag, Ga, Ge, S у відповідності із стехіометричним складом, синтез у розплаві сполуки AgGaGeS4, її кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бриджмена-Стокбаргера, який відрізняється тим, що попередньо проводять порційний синтез 2-3 г сплавів стехіометричного складу AgGaGeS4 протягом 10-15 хв, обертання ампул зі...