Патенти з міткою «n-діод»

Номер патенту: 92219

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 29/88

Мітки: n-діод, тунельній, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий германієвий тунельний N-діод, який містить підкладку n-типу провідності, шар р-типу провідності, омічні контакти та електроди, який відрізняється тим, що додатково містить сформований на підкладці n-типу провідності епітаксіальним нарощуванням із рідинної фази з одночасним легуванням донорною домішкою - миш'яком і акцепторною домішкою - галієм у однаковій концентрації, яка складає 6·1019 атомів/см-3, компенсований шар...

Номер патенту: 41727

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович

МПК: H01L 29/88

Мітки: напівпровідниковий, тунельній, n-діод

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий N-діод, що містить підкладинку n-типу (n-область), шар р-типу (р-область), омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що між n- і р- областями сформований вироджений компенсований епітаксіальний шар с-типу, легований одночасно донором і акцептором з рівними концентраціями.