H01L 29/88 — тунельні діоди
Діод на основі квантових точок, упорядкованих за розміром вздовж однієї з осей просторових координат
Номер патенту: 67834
Опубліковано: 12.03.2012
Автори: Семененко Микола Олександрович, Манойлов Едуард Геннадійович, Романюк Володимир Романович, Бачеріков Юрій Юрійович, Жук Антон Геннадійович, Охріменко Ольга Борисівна
МПК: H01L 29/88
Мітки: координат, осей, основі, діод, упорядкованих, вздовж, однієї, квантових, точок, розміром, просторових
Формула / Реферат:
Діод, що містить два контакти, який відрізняється тим, що він виконаний у вигляді діелектричної матриці, яка містить квантові точки, розташовані впорядковано за розміром між контактами, за зростанням розміру від анода до катода.
Напівпровідниковий тунельний n-діод
Номер патенту: 92219
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 29/88
Мітки: n-діод, тунельній, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий германієвий тунельний N-діод, який містить підкладку n-типу провідності, шар р-типу провідності, омічні контакти та електроди, який відрізняється тим, що додатково містить сформований на підкладці n-типу провідності епітаксіальним нарощуванням із рідинної фази з одночасним легуванням донорною домішкою - миш'яком і акцепторною домішкою - галієм у однаковій концентрації, яка складає 6·1019 атомів/см-3, компенсований шар...
Напівпровідниковий n-діод (тунельний)
Номер патенту: 41727
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 29/88
Мітки: n-діод, напівпровідниковий, тунельній
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий N-діод, що містить підкладинку n-типу (n-область), шар р-типу (р-область), омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що між n- і р- областями сформований вироджений компенсований епітаксіальний шар с-типу, легований одночасно донором і акцептором з рівними концентраціями.
Пристрій з тунельним переходом
Номер патенту: 16680
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Черепков Олексій Іванович, Дубоносов Володимир Леонідович, Булдовський Володимир Олександрович, Клембек Сергій Петрович
МПК: H01L 29/88
Мітки: тунельним, переходом, пристрій
Формула / Реферат:
Устройство с туннельным переходом, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллической алмазной пленки.