Гладкий Роман Богданович
Надвисокочастотний мдн-транзистор
Номер патенту: 93121
Опубліковано: 10.01.2011
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 21/336
Мітки: мдн-транзистор, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний МДН-транзистор, сформований на високоомній напівпровідниковій підкладці, який містить витік, стік та затвор, ізольований від каналу провідності МДН-транзистора діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що канал провідності МДН-транзистора між витоком і стоком сформований з активного, межуючого з підкладкою, і пасивного, межуючого з діелектриком SiО2, шарів, при цьому активний шар каналу...
Напівпровідниковий тунельний n-діод
Номер патенту: 92219
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 29/88
Мітки: напівпровідниковий, n-діод, тунельній
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий германієвий тунельний N-діод, який містить підкладку n-типу провідності, шар р-типу провідності, омічні контакти та електроди, який відрізняється тим, що додатково містить сформований на підкладці n-типу провідності епітаксіальним нарощуванням із рідинної фази з одночасним легуванням донорною домішкою - миш'яком і акцепторною домішкою - галієм у однаковій концентрації, яка складає 6·1019 атомів/см-3, компенсований шар...
Надвисокочастотний метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор
Номер патенту: 44829
Опубліковано: 12.10.2009
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 21/336
Мітки: надвисокочастотний, метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор
Формула / Реферат:
1. Надвисокочастотний метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор (НВЧ МДН-транзистор), що містить високоомну підкладку із напівізолюючого напівпровідника, вироджену n+-область "витік", вироджену n+-область "стік", затвор, ізольований від каналу діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що з метою збільшення крутості і розширення частотного діапазону (підвищення граничної частоти) канал...
Напівпровідниковий n-діод (тунельний)
Номер патенту: 41727
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ
МПК: H01L 29/88
Мітки: n-діод, напівпровідниковий, тунельній
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий N-діод, що містить підкладинку n-типу (n-область), шар р-типу (р-область), омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що між n- і р- областями сформований вироджений компенсований епітаксіальний шар с-типу, легований одночасно донором і акцептором з рівними концентраціями.
Спосіб діагностики дискоординації родової діяльності
Номер патенту: 31504
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Гладкий Роман Богданович, Жегулович Володимир Генріхович, Венцковський Борис Михайлович
МПК: A61B 5/0488
Мітки: діагностики, діяльності, дискоординації, родової, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб діагностики дискоординації родової діяльності , що включає реєстрацію скоротливої функції міометрію за допомогою абдомінальної електрогістерографії, який відрізняється тим, що оцінюють частоту FW хвиль електрогістерограм і при її збільшенні до 0,6Гц і вище діагностують дискоординацію родової діяльності.