Патенти з міткою «n-gaas»
Спосіб отримання поруватого шару n-gaas шляхом електрохімічного травлення
Номер патенту: 79850
Опубліковано: 13.05.2013
Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Кідалов Валерій Віталійович, Сімченко Сергій Володимирович
МПК: C30B 33/08, H01L 21/306
Мітки: отримання, шару, спосіб, n-gaas, електрохімічного, травлення, шляхом, поруватого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.