Кірілаш Олександр Іванович
Спосіб отримання поруватого шару n-gaas шляхом електрохімічного травлення
Номер патенту: 79850
Опубліковано: 13.05.2013
Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Сімченко Сергій Володимирович, Кідалов Валерій Віталійович
МПК: C30B 33/08, H01L 21/306
Мітки: шару, травлення, шляхом, електрохімічного, поруватого, n-gaas, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.
Спосіб отримання поруватого шару p-gaas шляхом електрохімічного травлення
Номер патенту: 57811
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сичікова Яна Олександрівна, Кірілаш Олександр Іванович
МПК: C01G 15/00
Мітки: травлення, поруватого, p-gaas, шляхом, спосіб, електрохімічного, шару, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...