Патенти з міткою «поруватого»

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00, C30B 29/06 ...

Мітки: використанням, елементів, сонячних, монокристалічному, спосіб, кремнії, кремнію, отримання, нанорозмірного, поруватого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 109647

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Оленич Ігор Богданович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/20, H01L 31/00, H01L 21/04 ...

Мітки: кремнію, основі, поруватого, фоточутлівих, спосіб, отримання, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять монокристалічний кремній у водно-етанольному розчині фтористоводневої кислоти при густині струму 40-180 мА/см2 упродовж 6-10 хвилин і на поверхні утвореного поруватого шару синтезують наноструктури ZnO, який відрізняється тим, що на поруватий кремній електрохімічно осаджують оксид цинку з водного розчину 0,05 М Zn(NO3)2 і 0,1 М NaNO3 при...

Номер патенту: 100132

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Оленич Ігор Богданович, Монастирський Любомир Степанович, Аксіментьєва Олена Ігорівна

МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 29/861 ...

Мітки: структур, основі, кремнію, спосіб, сенсорних, отримання, поруватого, фотовольтаїчних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію, за яким фотоелектрохімічно травлять пластину монокристалічного кремнію в розчині C2H5OH:HF:H2O=1:1:1 при густині струму 10-60 мА/см2 упродовж 10-30 хвилин і на отриманий поруватий шар кремнію електрохімічно осаджують пасивуючий шар полімеру, який відрізняється тим, що як полімер використовують полі-3,4-етилендіокситіофен, а пасивуючий шар отримують...

Номер патенту: 80524

Опубліковано: 10.06.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 33/10, C25F 3/00

Мітки: поруватого, індію, оксидних, фосфіду, поверхні, кристалітів, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалічного оксиду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу у розчині кислоти протягом 5-15 хвилин.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що розчин готовлять за формулою: плавикова кислота (HF), етиловий спирт (С2Н5ОН) та вода (Н2О) у співвідношенні 1:2:1.3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що травлення проводять при...

Номер патенту: 80522

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Коноваленко Анатолій Анатольович

МПК: C23C 26/00

Мітки: кремнію, отримання, поруватого, спосіб

Формула / Реферат:

 Спосіб отримання поруватого кремнію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять в розчині соляної кислоти (5-15 %) у темряві при проходженні постійного струму щільністю (0,5-2) мА/см2.

Номер патенту: 79850

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Кідалов Валерій Віталійович, Сімченко Сергій Володимирович

МПК: H01L 21/306, C30B 33/08

Мітки: спосіб, поруватого, шару, шляхом, травлення, отримання, електрохімічного, n-gaas

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.

Номер патенту: 101066

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: де Надаї Аксель, Кюе Фредерік

МПК: G21F 9/30, E04G 23/02, C04B 41/72 ...

Мітки: середовища, поруватого, дезактивації, електрокінетичної, твердого, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб електрокінетичної дезактивації твердого поруватого середовища, який містить:a) виділення забруднюючих речовин, присутніх в цьому твердому середовищі, в електроліт, головним чином неорганічний гель, причому це виділення здійснюють шляхом пропускання електричного струму між двома електродами, розташованими на поверхні і/або усередині твердого середовища, причому контакт між принаймні одним з цих електродів і вказаним твердим...

Номер патенту: 61059

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Шендрик Тетяна Георгіївна, Кучеренко Володимир Олександрович, Тамаркіна Юлія Володимирівна, Хабарова Тетяна Вікторівна

МПК: C01B 31/08

Мітки: спосіб, бурого, матеріалу, вугілля, поруватого, отримання, вуглецевого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого вуглецевого матеріалу з бурого вугілля, що включає подрібнення бурого вугілля до фракції 1-2 мм, змішування вугілля з гідроксидом калію у твердому вигляді, карбонізацію та активацію суміші при 600-800 °С, відмивку водою та сушіння, який відрізняється тим, що на змішування подають буре вугілля та гідроксид калію у масовому співвідношенні, рівному 1:0,6-1:1, і активацію ведуть в режимі теплового удару.

Номер патенту: 58008

Опубліковано: 25.03.2011

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C03C 15/00

Мітки: por-inp, видалення, спосіб, поверхні, поруватого, шару

Формула / Реферат:

Спосіб видалення поруватого шару з поверхні por-ІnР, що включає електрохімічну обробку пластин в розчині плавикової кислоти при відношенні компонентів електроліту H2O:HF= 1:1, який відрізняється тим, що травлення проводиться у два етапи:1) електрохімічна обробка проводиться при середніх значення щільності струму (близько 80 мА/см2) протягом 3 хвилин;2) другий етап реалізується травленням у тому самому електроліті при щільності...

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Кірілаш Олександр Іванович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C01G 15/00

Мітки: спосіб, електрохімічного, травлення, шляхом, отримання, поруватого, p-gaas, шару

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...

Номер патенту: 57697

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Волощук Анатолій Григорович, Воробець Георгій Іванович, Воробець Марія Михайлівна

МПК: C30B 33/00, H01L 21/02, C25D 11/00 ...

Мітки: пасивованого, поруватого, виготовлення, поверхневої, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення поверхнево пасивованого поруватого кремнію, який включає механічне полірування, попередню хімічну обробку, електрохімічне анодування кремнієвих пластин р-типу провідності в електроліті HF(48 %):C2H5OH=1:1 за густини струму 4÷40 мА/см2 з часом анодування від 10 до 30 хв при кімнатній температурі та пасивування сформованого поруватого кремнію, який відрізняється тим, що відразу після завершення процесу...

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Мараховський Олександр Вікторович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: H01L 21/3063

Мітки: лазером, отримання, електрохімічного, спосіб, n-типу, методом, травлення, шару, поруватого, зразків, освітленні

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Номер патенту: 54800

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Балан Олександр Сергійович, Сичікова Яна Олександрівна, Коноваленко Анатолій Анатольович, Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Вітальович

МПК: H01L 21/00

Мітки: поруватого, плівки, отримання, підкладці, спосіб, шару

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівки InN на підкладці з поруватого шару InP, що здійснюють методом радикало-променевої епітаксії, який відрізняється тим, що плівку InN отримують методом радикало-променевої епітаксії у потоці чистого аміаку при температурі 300-400 °С протягом 1,5 години на підкладках поруватого фосфіду індію, отриманого електрохімічним травленням.

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: шару, плівки, підкладці, отримання, поруватого, кубічного, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...