Кідалов Валерій Віталійович

Номер патенту: 120280

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Дяденчук Альона Федорівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 31/073, C23C 14/02, G02B 1/10 ...

Мітки: підкладках, поруватих, zno:al, плівок, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки ZnO:Al на поруватих підкладках CdTe, який відрізняється тим, що дану плівку отримують методом золь-гель з наступним центрифугуванням на поверхні поруватих зразків CdTe, отриманих методом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як легуючий реактив використовують хлорид алюмінію АlСl3∙6Н2О.

Номер патенту: 118645

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: отримання, алюмінієм, легованої, плівки, прозорої, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки ZnO, легованої алюмінієм, який відрізняється тим, що дана плівка отримується за допомогою методу спрей-піролізу: для утворення плівок ZnO використовується розчин 0,15 М ацетату цинку Zn(CH3CO2)2 з сумішшю ізопропілового спирту та дистильованої води.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що отримання структури ZnO:Al здійснюється рівномірним нанесенням шарів на кремнієві підкладки при температурі...

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00, C30B 29/06 ...

Мітки: елементів, монокристалічному, поруватого, нанорозмірного, спосіб, сонячних, отримання, кремнію, кремнії, використанням

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 108200

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дяденчук Альона Федорівна

МПК: H01G 11/24

Мітки: поруватих, пластин, обкладок, суперконденсаторів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання обкладок суперконденсаторів з поруватих пластин, який відрізняється тим, що суперконденсатори виготовляють на основі поруватих сполук GaAs і GaP.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електроди суперконденсаторів використовують не наноструктурні кремнієві підкладки, а поруваті пластини GaAs і GaP.

Номер патенту: 85399

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Дем'яненко-Мамонова Вікторія Олександрівна, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 31/00

Мітки: спосіб, елементів, пористому, отримання, сонячних, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сонячних елементів на пористому кремнію методом фотолітографії, який відрізняється тим, що технологічний процес включає формування на підкладці кремнію n-типу провідності суцільного шару n-типу провідності, легованого сурмою, нарощування епітаксійного шару n-типу товщиною 0,2-0,5 мкм, формування маскуючого шару нітриду кремнію, створення в маскуючому шарі методом фотолітографії рисунка монокристалічних областей,...

Номер патенту: 79850

Опубліковано: 13.05.2013

Автори: Сімченко Сергій Володимирович, Кірілаш Олександр Іванович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/306, C30B 33/08

Мітки: травлення, поруватого, шару, n-gaas, шляхом, отримання, електрохімічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання поруватого шару n-GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала n-GaAs у розчині етилового спирту та HF у співвідношенні 1:1 відповідно при проходженні через електроліт постійного струму щільністю 70-90 мА/см2 протягом 10-15 хв.

Номер патенту: 78436

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Дяденчук Альона Федорівна, Хрипко Сергій Леонідович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: B29D 7/00

Мітки: легованої, плівки, фтором, sno2, спосіб, отримання, методом, спрей-піролізу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки SnO2, легованої фтором методом спрей-піролізу, який характеризується тим, що плівки SnO2:F на підкладинках діаметром 100 мм виготовлені з використанням технології спрей-піролізу спиртово-водного розчину на основі SnCl4 завтовшки 600 нм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що для виготовлення тонких плівок SnO2:F приготування розчину здійснюють розчиненням 2,3 г SnCl4×5H2O, 5 мл 2М НС1, 20 мл...

Номер патенту: 57811

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Кірілаш Олександр Іванович, Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: C01G 15/00

Мітки: травлення, шляхом, шару, p-gaas, електрохімічного, поруватого, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного арсеніду галію, який включає обробку поверхні монокристалічного GaAs шляхом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за такою формулою: H2O:HF:HBr=7:5:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять у розчині електроліту за формулою H2O:HF:HBr=7:5:1 протягом 10 хвилин при використанні щільності...

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Кідалов Валерій Віталійович, Мараховський Олександр Вікторович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: H01L 21/3063

Мітки: n-типу, зразків, отримання, травлення, шару, спосіб, методом, освітленні, електрохімічного, поруватого, лазером

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Номер патенту: 49947

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович, Сукач Георгій Олексійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: фосфіду, спосіб, отримання, поверхні, поруватої, методом, травлення, фотоелектрохімічного, р-типу, індію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію р-типу методом фотоелектрохімічного травлення, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ІnР у розчині 5% соляної кислоти при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2 протягом 15 хв.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять при освітленні зразків...

Номер патенту: 21939

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сукач Георгій Олексійович, Кідалов Валерій Віталійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, плівки, отримання, шару, кубічного, поруватого, підкладці

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівки кубічного GaN на підкладці з поруватого шару GaAs, що включає обробку монокристала GaAs шляхом електролітичного травлення та нарощування плівки GaN епітаксією, який відрізняється тим, що епітаксію здійснюють радикало-променевим методом у два етапи: перший - при температурі 720-820 К у потоці атомарного азоту, другий - при температурі 930-950 К та вакуумі 10-6 мм.рт.ст.2. Спосіб за п. 1, який...