Патенти з міткою «позисторний»

Позисторний матеріал на основі титанату барію-натрію-вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 81649

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович, Плутенко Тетяна Олександрівна

МПК: H01C 7/02, C04B 35/00

Мітки: титанату, позисторний, барію-натрію-вісмуту, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Позисторний матеріал на основі титанату барію-натрію-вісмуту, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і зменшення втрат летких компонентів, при його синтезі використовували попередньо приготований оксалатним методом титанат барію, що включає ВаО, Ві2О3, Na2O і ТіО2, у співвідношенні відповідно до формули (1-x)BaTiO3-xNa0,5Bi0,5TiO3 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): Na2O ...

Позисторний матеріал на основі титанату барію-літію-вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 76005

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Плутенко Тетяна Олександрівна, Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович

МПК: H01C 7/02, C04B 35/00

Мітки: матеріал, основі, титанату, барію-літію-вісмуту, позисторний

Формула / Реферат:

Позисторний матеріал на основі титанату барію-літію-вісмуту, який включає ВаО, Ві2О3, Li2O і ТіО2, який відрізняється тим, що для зниження питомого опору при кімнатній температурі барій частково заміщений іонами літію та вісмуту у співвідношенні відповідно до формули (1-x)ВаТіО3-хLі0,5Ві0,5ТіО3 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): Li2O 0,26-0,66 Вi2О3 ...

Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію

Завантаження...

Номер патенту: 38119

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Коваленко Леонід Леонідович

МПК: H01C 7/02, C04B 35/46

Мітки: титанату, матеріал, барію, низькотемпературний, керамічний, основі, позисторний

Формула / Реферат:

Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, який включає ВаСО3, SrCO3, TiO2 і Y2O3 кваліфікації "оcобливо чистий", який відрізняється тим, що він одержаний частковим заміщенням іонів титану на іони олова відповідно до формули: (Ba1-x-ySryYx)(Ti1-y'Sny')O3; (0,002<x<0,006; 0,05≤у≤0,15; 0,05≤у'≤0,15), та додатковим введенням домішки ТіС при такому співвідношенні...

Позисторний керамічний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 50899

Опубліковано: 15.11.2002

Автори: Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович, Коваленко Леонід Леонідович

МПК: H01C 7/02

Мітки: матеріал, позисторний, керамічний

Формула / Реферат:

Позисторний керамічний матеріал, що включає BaCO3, TiO2, Y2O3, взятих у співвідношенні відповідно формули (Ba1-xYx)TiyO3 (0,001<x<0,005), який відрізняється тим, що містить додатково A1N, BN при такому співвідношенні компонентів, мол.%: BaCO3 45,93-48,63 TiO2 48,0-49,8 Y2O3 0,02-0,12 A1N 0,1-2,0 ...

Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію

Завантаження...

Номер патенту: 49335

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович, Коваленко Леонід Леонідович, Янчевський Олег Зігмонтович

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02, C04B 35/468 ...

Мітки: матеріал, титанату, позисторний, барію, основі, керамічний

Формула / Реферат:

Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, що включає ВаСО3, СаСО3, SrСО3, Y2О3 та ТіО2 кваліфікації "особливо чисті", взяті у співвідношенні відповідно до формули (Ва1-x-y-y'СаySrу'Yх)ТіО3 (0.002<х<0.006; 0.05y0.15; 0.05

Високотемпературний позисторний керамічний матеріал

Завантаження...

Номер патенту: 43550

Опубліковано: 17.12.2001

Автори: В'юнов Олег Іванович, Янчевський Олег Зігмонтович, Білоус Анатолій Григорович, Коваленко Леонід Леонідович

МПК: C03C 3/062, C04B 35/00, C04B 35/46 ...

Мітки: керамічний, позисторний, високотемпературний, матеріал

Формула / Реферат:

Високотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі твердого розчину Ва1-хРbхТіО3, де незначна частина іонів барію заміщена іонами РЗЕ, наприклад іонами ітрію, який відрізняється тим, що додатково містить скло хімічного складу Рb9В16Si3О39 при такому співвідношенні компонентів, мол. %: ВаСО3 46,10-30,02 ТіО2 48,54-32,43 Y2O3 ...