Дурилін Дмитро Олександрович

Номер патенту: 113547

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Овчар Олег Вікторович, Суслов Олександр Миколайович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: матеріал, керамічний, основі, діелектричний, ніобату-танталату, мікрохвильовий, аргентуму

Формула / Реферат:

Керамічний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі твердих розчинів ніобату-танталату аргентуму Ag(Nb1-xTax)O3 (ANT) , що включає Ag2O, Nb2O5 і Та2O5, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і запобігання термічному розкладу ANT, додатково містить 1-1,5 мас. % легкоплавкої домішки борату цинку ZnB2O4 при такому співвідношенні основних...

Номер патенту: 111752

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: основі, матеріал, кобальт-ніобату, кобальтдефіцитного, барію, діелектричний, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со1/3-y,Nb1/3)О3-d, де 0,04£у£0,10, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності, а також можливості керування величиною TKe, має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 58,1-59,1 СоО ...

Номер патенту: 111751

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: мікрохвильовий, барію, діелектричний, цинкдефіцитного, матеріал, цинк-ніобату, основі

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату-барію Ba(Zn1/3-yNb1/3)O3-d, де 0,005£y£0,025, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці цинку при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 57,1-57,4 ZnO 9,4-9,9 Nb2O5 ...

Номер патенту: 111750

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12

Мітки: магній-ніобату, магнійдефіцитного, матеріал, діелектричний, мікрохвильовий, барію, основі

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-d, де 0£у£0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 110716

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович

МПК: H01B 3/12

Мітки: магнійніобату, матеріал, барію, діелектричний, барійдефіцитного, основі, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію Ba1-х(Mg1/3Nb2/3)O3-g, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,005£х£0,010, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 59,8-56,9 MgO 5,3-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 110715

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барійдефіцитного, матеріал, основі, цинкніобату, барію, діелектричний, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію Ba1-х(Zn1/3Nb2/3)O3-γ, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,010≤х≤0,020 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 56,5-56,8 ZnO 10,1-10,2 Nb2O5 ...

Номер патенту: 66139

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Ступін Юрій Дмитрович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барію, діелектричний, матеріал, самарію, композиційний, основі, титанатів, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Композиційний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі титанатів самарію та барію, що мітить BaO, Sm2O3 і ТіО2, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності та температурної компенсації діелектричних параметрів містить дві кристалічні фази: Ba6-xSm8+2x/3Ti18O54 та ВаТі4О9, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): BaO 16,5 – 20,3 Sm2O3 37,8 –...

Номер патенту: 38119

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Коваленко Леонід Леонідович, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: C04B 35/46, H01C 7/02

Мітки: барію, матеріал, основі, низькотемпературний, титанату, позисторний, керамічний

Формула / Реферат:

Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, який включає ВаСО3, SrCO3, TiO2 і Y2O3 кваліфікації "оcобливо чистий", який відрізняється тим, що він одержаний частковим заміщенням іонів титану на іони олова відповідно до формули: (Ba1-x-ySryYx)(Ti1-y'Sny')O3; (0,002<x<0,006; 0,05≤у≤0,15; 0,05≤у'≤0,15), та додатковим введенням домішки ТіС при такому співвідношенні...

Номер патенту: 78081

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Мацек-Кржманч Мар'єта, Суворов Данило, Валант Матьяж, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/00, H01B 3/12

Мітки: титанатів, кальцію, основі, діелектричний, матеріал, композиційний, надвисокочастотний, магнію

Формула / Реферат:

Композиційний надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів магнію та кальцію, що включає MgO, CaO і TiO2, який відрізняється тим, що в нього додатково вводять оксид кобальту (СоО) при такому співвідношенні компонентів (мас %): MgO 42,07 – 47,4 TiO2 48,74 – 50,35 СоО 0,85 – 6,8 CaO 1,72 – 3,53....