Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію
Номер патенту: 38119
Опубліковано: 25.12.2008
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Коваленко Леонід Леонідович, Дурилін Дмитро Олександрович
Формула / Реферат
Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, який включає ВаСО3, SrCO3, TiO2 і Y2O3 кваліфікації "оcобливо чистий", який відрізняється тим, що він одержаний частковим заміщенням іонів титану на іони олова відповідно до формули:
(Ba1-x-ySryYx)(Ti1-y'Sny')O3; (0,002<x<0,006; 0,05≤у≤0,15; 0,05≤у'≤0,15), та додатковим введенням домішки ТіС при такому співвідношенні компонентів (мол. %):
ВаСО3
48,6-44,84
SrCO3
1,25-5,0
Y2O3
0,05-0,125
ТіО2
48,79-45,04
SnO2
1,25-5,0
ТіС
0,05-0,4.
Текст
Низьк о тем пе ра турни й поз истор ни й к ер амі чни й ма тер іа л н а о сн о ві ти тан а ту бар ію, який включає ВаСО3, SrCO3, Ti O2 і Y2O 3 кваліфікації "оcобливо чистий", я кий відрізняється тим, 3 38119 спікання та вузький температурний інтервал, в якому формуються позисторні властивості. В основу даної корисної моделі покладено завдання одержати низькоомний (≈102 Ом·см) позисторний матеріал в якому позисторний ефект проявляється при 35-40°С (відповідно, з робочою температурою 35-40°С), кратністю зміни опору в області ПТКО біля 4 порядків та малим варисторним ефектом. Поставлене завдання досягається одночасним частковим заміщенням іонів барію на іони стронцію, та іонів титану на іони олова в позисторному титанаті барію ((Ba1-x-ySr yYx)(Ti 1y’Sn y’)O3; 0.002
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюLow-temperature posistor ceramic matereial based on barium titanate
Автори англійськоюBilous Anatolii Hryhorovych, Kovalenko Leonid Leonidovych, Durylin Dmytro Oleksandrovych
Назва патенту російськоюНизкотемпературный позисторный керамический материал на основе титаната бария
Автори російськоюБелоус Анатолий Григорьевич, Коваленко Леонид Леонидович, Дурилин Дмитрий Александрович
МПК / Мітки
МПК: H01C 7/02, C04B 35/46
Мітки: позисторний, керамічний, матеріал, низькотемпературний, основі, титанату, барію
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-38119-nizkotemperaturnijj-pozistornijj-keramichnijj-material-na-osnovi-titanatu-bariyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію</a>
Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію
Номер патенту: 49335
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Коваленко Леонід Леонідович, Янчевський Олег Зігмонтович, В'юнов Олег Іванович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: C04B 35/46, C04B 35/468, H01C 7/02
Мітки: барію, титанату, основі, керамічний, матеріал, позисторний
Формула / Реферат:
Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, що включає ВаСО3, СаСО3, SrСО3, Y2О3 та ТіО2 кваліфікації "особливо чисті", взяті у співвідношенні відповідно до формули (Ва1-x-y-y'СаySrу'Yх)ТіО3 (0.002<х<0.006; 0.05y0.15; 0.05
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію неодиму
Номер патенту: 58007
Опубліковано: 15.07.2005
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12, C04B 35/468
Мітки: діелектричний, неодиму, матеріал, надвисокочастотний, титанату, основі, барію
Формула / Реферат:
Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму та барію самарію
Номер патенту: 58005
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, барію, матеріал, основі, самарію, надвисокочастотний, неодиму, титанатів
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію
Номер патенту: 58009
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, самарію, надвисокочастотний, титанату, матеріал, основі, барію
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0
Позисторний керамічний матеріал
Номер патенту: 50899
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Коваленко Леонід Леонідович, Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович
МПК: H01C 7/02
Мітки: матеріал, керамічний, позисторний
Формула / Реферат:
Позисторний керамічний матеріал, що включає BaCO3, TiO2, Y2O3, взятих у співвідношенні відповідно формули (Ba1-xYx)TiyO3 (0,001<x<0,005), який відрізняється тим, що містить додатково A1N, BN при такому співвідношенні компонентів, мол.%: BaCO3 45,93-48,63 TiO2 48,0-49,8 Y2O3 0,02-0,12 A1N 0,1-2,0 ...
Попередній патент: Колодкове електромагнітне гальмо
Наступний патент: Установка для наведення засувки на бічний відвід трубної головки фонтанної арматури під струменем
Випадковий патент: Спосіб одержання формувальних сумішей із зв`язуючим з відходів пінополістиролу