Патенти з міткою «барію»
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію
Номер патенту: 111752
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: мікрохвильовий, барію, матеріал, основі, діелектричний, кобальт-ніобату, кобальтдефіцитного
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со1/3-y,Nb1/3)О3-d, де 0,04£у£0,10, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності, а також можливості керування величиною TKe, має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 58,1-59,1 СоО ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату барію
Номер патенту: 111751
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, барію, матеріал, цинкдефіцитного, основі, мікрохвильовий, цинк-ніобату
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату-барію Ba(Zn1/3-yNb1/3)O3-d, де 0,005£y£0,025, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці цинку при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 57,1-57,4 ZnO 9,4-9,9 Nb2O5 ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію
Номер патенту: 111750
Опубліковано: 25.11.2016
Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, мікрохвильовий, матеріал, магній-ніобату, магнійдефіцитного, барію, основі
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-d, де 0£у£0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 ...
Спосіб визначення вмісту рухомих сполук барію, фосфору та калію в ґрунті у солянокислій витяжці методом атомно-емісійної спектрометрії з індуктивно зв’язаною плазмою
Номер патенту: 110901
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Очеретенко Людмила Юхимівна, Світовий Валерій Михайлович, Жиляк Іван Дмитрович
МПК: G01N 33/24
Мітки: визначення, ґрунті, вмісту, атомно-емісійної, зв'язаною, сполук, спектрометрі, індуктивно, барію, спосіб, методом, солянокислий, плазмою, рухомих, фосфору, калію, витяжці
Формула / Реферат:
Спосіб визначення вмісту рухомих сполук барію, фосфору та калію в ґрунті, що включає одержання екстракту досліджуваних сполук з ґрунту 0,2 н розчином соляної кислоти при співвідношенні ґрунту до розчину кислоти 1:5 по масі, який відрізняється тим, що суспензію перемішують та настоюють за температури 25 °С, а в одержаному екстракті визначають вміст рухомих сполук барію, фосфору та калію на атомно-емісійному спектрометрі з індуктивно зв'язаною...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію
Номер патенту: 110716
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Суслов Олександр Миколайович
МПК: H01B 3/12
Мітки: барію, барійдефіцитного, магнійніобату, матеріал, мікрохвильовий, основі, діелектричний
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію Ba1-х(Mg1/3Nb2/3)O3-g, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,005£х£0,010, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 59,8-56,9 MgO 5,3-5,3 Nb2O5 ...
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію
Номер патенту: 110715
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович
МПК: H01B 3/12
Мітки: мікрохвильовий, діелектричний, основі, барію, матеріал, барійдефіцитного, цинкніобату
Формула / Реферат:
Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію Ba1-х(Zn1/3Nb2/3)O3-γ, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,010≤х≤0,020 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 56,5-56,8 ZnO 10,1-10,2 Nb2O5 ...
Спосіб синтезу високотемпературних сегнетоелектриків-напівпровідників на основі твердих розчинів титанатів барію та калію-вісмуту
Номер патенту: 86863
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: В'юнов Олег Іванович, Білоус Анатолій Григорович, Плутенко Тетяна Олександрівна
МПК: C04B 35/00, H01C 7/02
Мітки: основі, синтезу, барію, калію-вісмуту, спосіб, твердих, сегнетоелектриків-напівпровідників, титанатів, високотемпературних, розчинів
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу високотемпературного сегнетоелектрика-напівпровідника на основі титанатів барію та калію-вісмуту (1-х)ВаТіO3-xK0,5Ві0,5ТіО3 (0,05 £ х £ 0,15), який відрізняється тим, що для зниження температури спікання, зменшення втрат вісмуту і калію і електричного опору при кімнатній температурі, а також для підвищення температур Кюрі, як барійвмісні сполуки використовують попередньо приготований оксалатним методом титанат...
Спосіб отримання тонких щільних плівок гексафериту барію м-типу
Номер патенту: 83428
Опубліковано: 10.09.2013
Автори: Соловйова Катерина Дмитрівна, Пашкова Олена Володимирівна, Хоменко Борис Семенович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01F 1/032
Мітки: отримання, щільних, тонких, плівок, барію, гексафериту, спосіб, м-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання тонких щільних плівок гексафериту барію ГФБ М-типу, що включає розчинення азотнокислих солей заліза (III) та барію в лимонній кислоті (СА), додавання етиленгліколю (EG), перемішування розчину при Т=80 ºC протягом 45 хв., нанесення на підкладку з полікору (4-5 шари) отриманого гелю методом spin-coating, висушування та попередню термообробку кожного шару та кінцеву термообробку плівки при Т=800-900º C, який...
Спосіб одержання гідроокису барію
Номер патенту: 74540
Опубліковано: 12.11.2012
Автори: Дульнєв Петро Георгійович, Білокінь Євген Миколайович
МПК: C01F 11/00, C13B 20/00
Мітки: барію, одержання, гідроокису, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гідроокису барію шляхом термічного розкладу карбонату барію і гідратації отриманого окису барію, який відрізняється тим, що карбонат барію обробляють оцтовою кислотою, а отриманий маточник додають у розчин сахарози, відділяють сахарат барію, який обробляють вуглекислим газом, віддаляють сахарозу від карбонату барію, а розчин отриманих несахарів направляють на переробку.
Спосіб одержання барію сульфату з відходів
Номер патенту: 70020
Опубліковано: 25.05.2012
Автори: Чернишева Олена Костянтинівна, Харьківський Борис Тимофійович
МПК: C01F 11/46
Мітки: барію, одержання, сульфату, відходів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання барію сульфату з відходів, що включає осадження барію сульфату з водяного розчину барію хлориду сульфатною кислотою, який відрізняється тим, що водяний розчин барію хлориду з відходів соляних ванн після хімічної обробки осаджують розчином натрію сульфату, який одержують з відпрацьованого розчину травлення, де присутні сульфатна кислота та ферум(ІІ) сульфат, та водяного розчину відходів ванн рідинної цементації, де присутній...
Композиційний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі титанатів барію та самарію
Номер патенту: 66139
Опубліковано: 26.12.2011
Автори: Дурилін Дмитро Олександрович, Ступін Юрій Дмитрович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: діелектричний, композиційний, основі, титанатів, самарію, барію, мікрохвильовий, матеріал
Формула / Реферат:
Композиційний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі титанатів самарію та барію, що мітить BaO, Sm2O3 і ТіО2, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності та температурної компенсації діелектричних параметрів містить дві кристалічні фази: Ba6-xSm8+2x/3Ti18O54 та ВаТі4О9, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): BaO 16,5 – 20,3 Sm2O3 37,8 –...
Застосування барію тетрафторомагнезіату як матеріалу для нанесення шарів з низьким показником заломлення у інтерференційних покриттях
Номер патенту: 54300
Опубліковано: 10.11.2010
Автори: Тімухін Єгор Володимирович, Зінченко Віктор Федосійович, Мозкова Ольга Володимирівна, Горштейн Борис Аврамович
МПК: G02B 5/28
Мітки: шарів, матеріалу, застосування, заломлення, низьким, барію, покриттях, нанесення, інтерференційних, тетрафторомагнезіату, показником
Формула / Реферат:
Застосування барію тетрафтормагнезіту як матеріалу для нанесення шарів з низьким показником заломлення у інтерференційних покриттях.
Спосіб переробки карбонату барію
Номер патенту: 49958
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Дульнєв Петро Георгійович, Білокінь Євген Миколайович
МПК: C13F 1/00
Мітки: карбонату, барію, переробки, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб переробки карбонату барію методом з отриманням окису барію та двоокису вуглецю, який відрізняється тим, що карбонат барію обробляють хлористим воднем з отриманням хлориду барію, який обробляють вапняним молоком з отриманням гідроокису барію та хлориду кальцію.
Спосіб визначення барію у водному середовищі
Номер патенту: 90416
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Горбачевський Андрій Миколайович, Кущевська Ніна Федорівна, Дорощук Володимир Олександрович, Куліченко Сергій Анатолійович
МПК: G01N 33/20, G01N 21/71
Мітки: спосіб, барію, середовищі, водному, визначення
Формула / Реферат:
1. Спосіб визначення барію у водному середовищі, що включає введення в аналізовану пробу неіоногенної поверхнево-активної речовини, комплексоутворювача і октиламіну при перемішуванні, створення лужного середовища з наступним нагріванням суміші, відділенням одержаної міцелярної фази і визначенням атомно-абсорбційним методом, який відрізняється тим, що в аналізовану пробу додатково вводять хлорид цетилпіридинію і як комплексоутворювач...
Застосування барію октафтородіітріату як матеріалу для оптичних покриттів
Номер патенту: 88692
Опубліковано: 10.11.2009
Автори: Зінченко Віктор Федосійович, Галькевич Євген Петрович, Кочерба Григорій Іванович
МПК: G02B 5/28
Мітки: барію, застосування, покриттів, матеріалу, октафтородіітріату, оптичних
Формула / Реферат:
Застосування барію октафтородіітріату як матеріалу для оптичних покриттів.
Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію
Номер патенту: 38119
Опубліковано: 25.12.2008
Автори: Коваленко Леонід Леонідович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович
МПК: H01C 7/02, C04B 35/46
Мітки: низькотемпературний, барію, керамічний, матеріал, основі, позисторний, титанату
Формула / Реферат:
Низькотемпературний позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, який включає ВаСО3, SrCO3, TiO2 і Y2O3 кваліфікації "оcобливо чистий", який відрізняється тим, що він одержаний частковим заміщенням іонів титану на іони олова відповідно до формули: (Ba1-x-ySryYx)(Ti1-y'Sny')O3; (0,002<x<0,006; 0,05≤у≤0,15; 0,05≤у'≤0,15), та додатковим введенням домішки ТіС при такому співвідношенні...
Застосування барію октафтородіїтріату як матеріалу для оптичних покриттів
Номер патенту: 30805
Опубліковано: 11.03.2008
Автори: Кочерба Григорій Іванович, Галькевич Євген Петрович, Зінченко Віктор Федосійович
МПК: G02B 5/28
Мітки: матеріалу, барію, октафтородіїтріату, застосування, покриттів, оптичних
Формула / Реферат:
Застосування барію октафтородіітріату як матеріалу для оптичних покриттів.
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію неодиму
Номер патенту: 58007
Опубліковано: 15.07.2005
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12, C04B 35/468
Мітки: титанату, діелектричний, матеріал, надвисокочастотний, неодиму, барію, основі
Формула / Реферат:
Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію
Номер патенту: 58009
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12
Мітки: основі, надвисокочастотний, самарію, барію, титанату, матеріал, діелектричний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму та барію самарію
Номер патенту: 58005
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: надвисокочастотний, діелектричний, барію, матеріал, основі, неодиму, титанатів, самарію
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...
Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію
Номер патенту: 49335
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Коваленко Леонід Леонідович, Янчевський Олег Зігмонтович, Білоус Анатолій Григорович, В'юнов Олег Іванович
МПК: C04B 35/468, C04B 35/46, H01C 7/02 ...
Мітки: матеріал, позисторний, титанату, основі, барію, керамічний
Формула / Реферат:
Позисторний керамічний матеріал на основі титанату барію, що включає ВаСО3, СаСО3, SrСО3, Y2О3 та ТіО2 кваліфікації "особливо чисті", взяті у співвідношенні відповідно до формули (Ва1-x-y-y'СаySrу'Yх)ТіО3 (0.002<х<0.006; 0.05y0.15; 0.05
Спосіб одержання гідроксованадатів кальцію, стронцію, барію
Номер патенту: 45012
Опубліковано: 15.03.2002
Автори: Грищенкова Таісія Олексіївна, Гетьман Євген Іванович, Марченко Валерій Іванович, Пасечник Людмила Валентинівна, Парикіна Анастасія Володимирівна
МПК: C01F 11/00, C01G 31/00
Мітки: спосіб, одержання, стронцію, кальцію, барію, гідроксованадатів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гідроксованадатів кальцію, стронцію, барію, який включає приготування розчину, розпилення його в зону нагрівання та додаткову термічну обробку, який відрізняється тим, що розчин готують розчиненням нітратів чи карбонатів кальцію, стронцію, барію у воді чи азотній кислоті, внесенням в розчин пероксиду водню, взятого у відношенні Ca(Sr,Ba)/H2О2 = 0,6-0,7, додаванням ванадату амонію, після розчинення якого розчин дозовано...
Спосіб одержання карбонату барію
Номер патенту: 27677
Опубліковано: 15.09.2000
Автори: Малахов Анатолій Ніколаєвіч, Алексеєва Олена Вікторівна, Біляєва Ніна Василівна, Гітіс Едуард Борисович, Байбулатов Салават Ісхаковіч, Новак Тетяна Петрівна
МПК: C01F 11/00, C01B 31/12
Мітки: спосіб, карбонату, барію, одержання
Текст:
...При увеличении количества воды на промывку снижение хлоридов в целевом продукте не наблюдается. При использовании для осаждения растворов хлорида бария с рН ниже заявляемого нижнего предела равного 6, дополнительного эффекта снижения содержания хлоридов в карбонате бария после промывки его в равных условиях не наблюдается. С понижением рН раствора ниже 6 увеличивается агрессивность среды, что отрицательно сказывается на коррозионной...
Спосіб одержання пероксиду барію
Номер патенту: 26738
Опубліковано: 12.11.1999
Автори: Малютін Сєргєй Андрєєвіч, Алексеєва Олена Вікторівна, Ессєрт Владімір Клімєнтьєвіч, Васильєва Лідія Федорівна, Змітровіч Віктор Сємьоновіч, Гітіс Едуард Борисович, Коршунова Валєнтіна Ніколаєвна, Юркова Василина Вікторівна, Лісовий Олександр Володимирович, Попов Боріс Ніколаєвіч
МПК: C01B 15/00
Мітки: барію, пероксиду, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения пероксида бария, включающий взаимодействие гидроксида бария с перекисью водорода, отделение осадка монопергидрата пероксида, его сушку и термообработку, отличающийся тем, что термообработку продукта ведут при температуре 800 - 850°C до достижения степени разложения пероксида бария в оксид бария 85 - 92%, а затем дополнительно проводят окисление оксида бария кислородом.
Спосіб одержання керамічного матеріалу на основі оксидів барію і титану для пластин магнітних головок
Номер патенту: 19117
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Каган Юлія Абрамівна, Бєлов Владімір Владіміровіч, Лімар Тамара Федорівна, Нєнашєва Єлізавєта Аркадьєвна, Досовіцкій Алєксєй Єфімовіч, Кислов Борис Іванович, Ромадіна Любовь Анатольєвна, Старенченко Віталій Григорович, Шепеленко Людмила Олександрівна, Алахвєрдов Грант Рантовіч
МПК: C04B 35/46
Мітки: пластин, оксидів, керамічного, головок, одержання, титану, основі, магнітних, матеріалу, спосіб, барію
Формула / Реферат:
Способ получения керамического материала на основе оксидов бария и титана для пластин магнитных головок, включающий смешение водных растворов хлоридов бария и титана, обработку смешанного раствора водным раствором аммиака, отделение, промывку и прокаливание образовавшегося осадка, отличающийся тем, что смешение растворов ведут при мольном соотношении TlCl4:BaCl2=6-15:1, a обработку смешанного раствора осуществляют его распылением под...
Спосіб виготовлення сцинтиляторів з фториду барію
Номер патенту: 15292
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Черніков Вячеслав Васильович, Малко Юрій Борисович, Зверев Микола Данилович
МПК: C01F 11/00, C01B 9/00, C04B 35/00 ...
Мітки: сцинтиляторів, виготовлення, барію, спосіб, фториду
Формула / Реферат:
Способ изготовления сцинтиллятора из фторида бария, включающий получение заготовки, выдержку ее до остывания и последующую механическую обработку до требуемых размеров и класса шероховатости поверхностей, отличающийся тем, что заготовку получают путем прессования порошка ВаF2 на воздухе в пресс-форме одноосным давлением (275-295) МПа при температуре (820-870) К в течение (30-60) мин.
Спосіб одержання титанату барію
Номер патенту: 3958
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Кислов Борис Іванович, Шепеленко Людмила Олександрівна, Щербакова Наталія Володимирівна, Каган Юлія Аврамівна, Лімар Тамара Федорівна, Ротенберг Боріс Абовіч, Дорохова Маргаріта Пєтровна
МПК: C01G 23/00, C01F 11/00
Мітки: титанату, барію, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения титаната бария, включающий смешивание раствора щавелевой кислоты с раствором тетрабутоксититана, обработку полученной смеси гидроксидом бария, выделение из образовавшейся суспензии осадка титанилоксалата бария и его прокалку, отличающийся тем, что обработку гидроксидом бария осуществляют при непрерывном перемешивании со скоростью не менее 1000 об/мин с последующей изотермической выдержкой суспензии при 60-80°С и перемешивании...
Спосіб одержання карбонату барію
Номер патенту: 4451
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Лісовий Олександр Володимирович, Алексеєва Олена Вікторівна, Танасієнко Ірина Іванівна, Гітіс Едуард Борисович, Стригунов Федір Іванович
МПК: C01F 11/00
Мітки: карбонату, барію, спосіб, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения карбоната бария, включающий измельчение барита, суспендирование его раствором, содержащим карбонат натрия, взятого по отношению к сульфату бария с коэффициентом избытка 3,0-4,0 моль, гидротермальную обработку суспензии в автоклаве при температуре более 165 °С, отделение осадка целевого продукта от содосульфатного раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода карбоната бария, используют раствор карбоната натрия...