Патенти з міткою «транзисторі»
Передавальний модуль мікрохвильового мосту для імпульсного когерентного спектрометра електронного парамагнітного резонансу 8-міліметрового діапазону довжин хвиль з підсилювачем на польовому транзисторі
Номер патенту: 105184
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Олійник Віктор Валентинович, Сітніков Олександр Олександрович, Колісніченко Михайло Васильович, Калабухова Катерина Миколаївна
МПК: H01P 7/06
Мітки: 8-міліметрового, когерентного, діапазону, транзисторі, резонансу, електронного, модуль, парамагнітного, мікрохвильового, хвиль, польовому, спектрометра, довжин, імпульсного, передавальний, підсилювачем, мосту
Формула / Реферат:
Передавальний модуль мікрохвильового мосту для генерації надвисокочастотних (НВЧ) імпульсів у складі імпульсних когерентних спектрометрів електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) 8-міліметрового діапазону довжин хвиль, який складається з задавального генератора на діоді Ганна, двох дискретних фазообертачів з дискретністю 90 ° та 180 °, вентилів, двох високошвидкісних амплітудних PIN модуляторів, підсилювача НВЧ потужності на...
Конвертер з фіксованим рівнем обмеження напруги на транзисторі
Номер патенту: 103217
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Ключник Ігор Іванович, Шинкаренко Юрій Курбанович
МПК: H02M 3/00
Мітки: фіксованим, напруги, обмеження, рівнем, транзисторі, конвертер
Формула / Реферат:
Конвертер з фіксованим рівнем обмеження напруги на транзисторі, що містить вхідний конденсатор, трансформатор, комутуючий транзистор, перший і другий діоди Шотткі, дросель, вихідний конденсатор, четвертий вивід трансформатора з'єднаний з першим виводом першого діода Шотткі, п'ятий вивід трансформатора з'єднаний з першим виводом другого діода Шотткі і другим виводом вихідного конденсатора, другий вивід першого діода Шотткі з'єднаний з другим...
Передавальний модуль мікрохвильового мосту для імпульсного когерентного спектрометра електронного парамагнітного резонансу 8-міліметрового діапазону довжин хвиль з генератором на біполярному транзисторі
Номер патенту: 97883
Опубліковано: 10.04.2015
Автори: Сітніков Олександр Олександрович, Олійник Віктор Валентинович, Колесніченко Михайло Васильович, Калабухова Катерина Миколаївна
МПК: H01P 7/00
Мітки: генератором, модуль, когерентного, довжин, хвиль, передавальний, резонансу, мосту, біполярному, діапазону, мікрохвильового, імпульсного, парамагнітного, електронного, 8-міліметрового, спектрометра, транзисторі
Формула / Реферат:
Передавальний модуль мікрохвильового мосту для генерації надвисокочастотних (НВЧ) імпульсів у складі імпульсних когерентних спектрометрів ЕПР 8-міліметрового діапазону довжин хвиль, який містить задавальний генератор, два дискретних фазообертачі з дискретністю 90° та 180°, вентилів, двох високошвидкісних амплітудних PIN модуляторів, двокаскадного імпульсного підсилювача на основі кремнієвих лавино-пролітних діодів, амплітудного детектора та...
Вологочутливий сенсор на польовому транзисторі
Номер патенту: 60003
Опубліковано: 10.06.2011
Автори: Богачов Юрій Юрійович, Звягін Олександр Сергійович, Крилик Людмила Вікторівна, Савицький Антон Юрійович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01N 21/53
Мітки: вологочутливий, транзисторі, польовому, сенсор
Формула / Реферат:
Вологочутливий сенсор на польовому транзисторі, який складається з першої вологочутливої плівки та приєднаного до неї польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить першу область витоку і першу область стоку, а також провідні електродні плівки, підзатворний діелектрик та перший ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні першої вологочутливої плівки приєднаний перший керувальний електрод, який...
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі
Номер патенту: 40955
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Крилик Людмила Вікторівна, Савицький Антон Юрійович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01N 21/53
Мітки: сенсор, транзисторі, польовому, гігрометричний
Формула / Реферат:
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі, який складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить область витоку і область стоку, а також провідні електродні плівки та ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні чутливого елемента приєднаний керувальний електрод, який відрізняється тим, що польовий транзистор виготовлений за двозатворною...