Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі
Номер патенту: 40955
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Савицький Антон Юрійович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович
Формула / Реферат
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі, який складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить область витоку і область стоку, а також провідні електродні плівки та ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні чутливого елемента приєднаний керувальний електрод, який відрізняється тим, що польовий транзистор виготовлений за двозатворною схемою, містить додатковий ізолюючий плівковий затвор, яким польовий транзистор приєднаний до додаткового чутливого елемента, а також суміщену стоково-витокову провідну плівку, через яку електрично приєднано першу стокову і другу витокову області польового транзистора.
Текст
Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі, який складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що 3 40955 4 На кресленні представлено схему гігрометрижать від конструктивних характеристик польового чного сенсора на польовому транзисторі, який транзистора. Серед таких параметрів є його реакмістить підкладку 1, першу і другу області витоку 2, тивний опір. Його величина залежить від властипершу і другу області стоку 3, плівку двоокису кревості матеріалу, на основі якого сформований мнію 4, провідні електродні плівки 5, суміщену стопольовий транзистор і властивостей плівкових ково-витокову провідну плівку 6, перший і другий затворів. В процесі адсорбції і десорбції молекул ізолюючий плівкові затвори 7, перший і другий води, чутливий елемент змінює свою ємність і тим чутливі елементи 8, перший і другий керувальні самим змінює ємність, яку утворює керувальний електрод і польовий транзистор, що збільшує реаелектроди 9. ктивний опір польового транзистора і тим самим Пристрій працює наступним чином. При подачі впливає на параметри струму, який проходить між на керувальні електроди напруги, яка відповідає стоковими і витоковими областями польового травідкриттю каналів проходження струму, між стоконзистора. вими і витоковими областями, через польовий транзистор протікає струм, параметри якого зале Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюHygrometric sensor on field transistor
Автори англійськоюOsadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Krylyk Liudmyla Viktorivna, Savytskyi Anton Yuriiovych
Назва патенту російськоюГигрометрический сенсор на полевом транзисторе
Автори російськоюОсадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Крилик Людмила Викторовна, Савицкий Антон Юрьевич
МПК / Мітки
МПК: G01N 21/53
Мітки: гігрометричний, транзисторі, сенсор, польовому
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-40955-gigrometrichnijj-sensor-na-polovomu-tranzistori.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі</a>
Мікроелектронний сенсор температури
Номер патенту: 31510
Опубліковано: 10.04.2008
Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: сенсор, мікроелектронний, температури
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор температури, який містить польовий транзистор, резистор, конденсатор, перше і друге джерело напруги, при цьому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, а другий вивід другого конденсатора - з другим полюсом другого джерела напруги, який відрізняється тим, що введено перший біполярний транзистор, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, другий біполярний транзистор і другий...
Мікроелектронний сенсор теплової потужності
Номер патенту: 31114
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 5/58
Мітки: теплової, сенсор, мікроелектронний, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор теплової потужності, який містить польовий транзистор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, перше джерело постійної напруги, конденсатор з напиленою плівкою піроелектрика, котушку індуктивності, конденсатор і друге джерело постійної напруги, причому затвор польового транзистора з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний...
Сенсор магнітної індукції
Номер патенту: 78565
Опубліковано: 10.04.2007
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01R 33/02, H01L 29/82
Мітки: сенсор, магнітної, індукції
Формула / Реферат:
Сенсор магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, біполярний транзистор, сім резисторів, ємність та індуктивність, причому перший вивід першого резистора підключений до першої бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний з першим...
Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції
Номер патенту: 77810
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 29/82
Мітки: магнітної, виміру, індукції, сенсор, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор для виміру магнітної індукції, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, два резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із першою...
Магнітний сенсор з активним індуктивним елементом
Номер патенту: 78318
Опубліковано: 15.03.2007
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01L 29/82
Мітки: сенсор, магнітний, індуктивним, елементом, активним
Формула / Реферат:
Магнітний сенсор з активним індуктивним елементом, який містить біполярний двоколекторний магніточутливий транзистор, три резистори і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що введені двозатворний польовий транзистор, два біполярних транзистори, вісім резисторів, дві ємності, причому перший вивід першого резистора підключений до першої бази біполярного двоколекторного магніточутливого транзистора, а другий вивід першого резистора...
Попередній патент: Кулькова циліндрична передача
Наступний патент: Конденсаційний гігрометр
Випадковий патент: Спосіб малоінвазивного лікування солітарних простих однокамерних кістозних новоутворень надниркових залоз