Вологочутливий сенсор на польовому транзисторі

Вологочутливий сенсор на польовому транзисторі, який складається з першої вологочутливої плівки та приєднаного до неї польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить першу область витоку і першу 3 60003 вий затвор, яким польовий транзистор приєднаний до другої вологочутливої плівки, причому вологочутливі плівки мають двошарову структуру, до протилежної поверхні другої вологочутливої плівки приєднаний другий керувальний електрод. На кресленні представлено схему вологочутливого сенсора на польовому транзисторі. Пристрій складається з першої вологочутливої плівки 8 та приєднаного до неї польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки 1, яка містить першу область витоку 2 і першу область стоку 3, а також провідні електродні плівки 5, підзатворний діелектрик 4 та перший ізолюючий плівковий затвор 7, до протилежної поверхні першої вологочутливої плівки 8 приєднаний перший керувальний електрод 9, введено другу стокову 10 та витокову 11 області польового транзистора, суміщену стоково-витокову провідну плівку 6, через яку електрично приєднано першу стокову 3 і другу витокову 11 області польового транзистора, другий ізолюючий плівковий затвор 12, яким польовий транзистор приєднаний до другої вологочутливої плівки 13, причому вологочутливі плівки мають двошарову структуру, до протилежної по Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко 4 верхні другої вологочутливої плівки приєднаний другий керувальний електрод 14. Пристрій працює наступним чином. При подачі на керувальні електроди напруги, яка відповідає відкриттю каналів для проходження струму, між стоковими і витоковими областями, через польовий транзистор протікає струм, параметри якого залежать від конструктивних характеристик польового транзистора. Серед таких параметрів є його реактивний опір. Його величина залежить від властивості матеріалу, на основі якого сформований польовий транзистор і властивостей плівкових затворів. В процесі адсорбції і десорбції молекул води, у вологочутливих плівок, що мають двошарову структуру змінюється діелектрична проникність плівок і тим самим змінюють ємність, яку утворюють керувальні електроди і польовий транзистор, що збільшує реактивний опір польового транзистора і тим самим впливає на струм, який протікає між стоковими і витоковими областями польового транзистора. Отже, при збільшенні значення вологості середовища збільшується значення струму, який протікає через польовий транзистор. Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601