Циркунов Юрій Якимович

Номер патенту: 39999

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Циркунов Юрій Якимович, Севастьянов Володимир Валентинович, Коваленко Леонід Федорович, Хомченко Вікторія Сергіївна, Коломзаров Юрій Вікторович

МПК: B22F 9/02, B01J 2/00, B22F 9/16 ...

Мітки: плівкових, катодолюмінофорів, створення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб створення плівкового катодолюмінофору, який включає нанесення на анодну пластину шару сульфіду цинку, активованого міддю та коактивованого металом з групи IIIа шляхом відпалу, який відрізняється тим, що концентрація міді, що активує, складає 0,06-0,12 вагових %, шар активованого міддю сульфіду цинку товщиною 5-10 мкм наносять на анодну пластину шляхом напилення у вакуумі методом електронно-променевого випаровування, після...

Номер патенту: 83931

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Ушенін Юрій Валентинович, Яцко Ласло Дюлович, Коломзаров Юрій Вікторович, Циркунов Юрій Якимович, Олексенко Павло Феофанович, Іщук Віктор Петрович, Бродовий Григорій Васильович

МПК: G01B 11/26, G01R 27/26, G01D 5/26 ...

Мітки: датчик, вала, повороту, кута

Формула / Реферат:

Датчик кута повороту вала, що містить розташовані в корпусі напівпровідникові фоточутливі елементи з контактами, кодову систему прозорих та непрозорих для світла ділянок та систему освітлення, який відрізняється тим, що контакти до напівпровідникових фоточутливих елементів виконані у вигляді кодової системи прозорих та непрозорих для світла ділянок, система освітлення виконана з розмірами, які дорівнюють або перевищують розміри...

Номер патенту: 15920

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Маслов Володимир Петрович, Циркунов Юрій Якимович, Саворовський Федір Григорович

МПК: G03B 42/02, H05G 1/00

Мітки: рентгенографічних, систем, цифрових, приймачів, випромінювання, лінійка, маска, скануючих, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Лінійка напівпровідникових приймачів випромінювання для скануючих цифрових рентгенографічних систем, що складається з лінійки напівпровідникових фотодіодів, підсилюючого екрана та відсіюючого растра, яка відрізняється тим, що підсилюючий екран виконаний з комірок, аналогічних по формі та розмірах напівпровідникових комірок, кожна з яких відділена одна від одної перетинкою з оптично- та рентгенонепрозорого матеріалу.

Номер патенту: 7207

Опубліковано: 15.06.2005

Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович, Циркунов Юрій Якимович

МПК: C09J 1/00

Мітки: силікатних, спосіб, з'єднання, деталей, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб з'єднання деталей із силікатних матеріалів, який включає нанесення на з'єднувані поверхні шару клею на основі силікатного в'яжучого, його підсушування, стикування з'єднуваних поверхонь і нагрівання під механічним навантаженням, який відрізняється тим, що попередньо на поверхні наносять шар алюмінієвого покриття товщиною від 0,1 до 1 мкм, товщина шару силікатного в'яжучого складає від 1 до 1000 мкм, а з'єднання проводять при температурі...

Номер патенту: 4517

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Толстих Юрій Григорович, Коломзаров Юрій Вікторович, Циркунов Юрій Якимович, Маслов Володимир Петрович

МПК: G02F 1/13, C09K 19/02

Мітки: дисплей, рідкокристалічній

Формула / Реферат:

Рідкокристалічний дисплей, який складається з двох герметично з'єднаних прозорих пластин з прозорими електродами, простір між якими заповнений рідким кристалом, двох поляризаторів і прозорих струмопровідних нагрівачів, які нанесені на прозорі пластини, який відрізняється тим, що прозорі пластини виконані товщиною від 0,2 до 1,1 мм з прозорого склокерамічного матеріалу з коефіцієнтом термічного розширення від мінус 0,3·10-6 К-1 до 0,3·10-6...

Номер патенту: 70053

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Циркунов Юрій Якимович, Сизов Федір Федорович, Маслов Володимир Петрович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна

МПК: H05K 3/02, H05K 3/18

Мітки: виготовлення, малюнків, топологічних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення топологічних малюнків, що включає очищення полірованої поверхні підкладки із сапфіру або алундової кераміки, нанесення на неї в вакуумі при нагріванні шару адгезійно активного металу хрому, наступного шару золота, фотолітографію та сушіння, який відрізняється тим, що покриття наносять при температурі 50÷100°С, а після операції фотолітографії проводять додаткове відпалення у вакуумі при температурі 250÷350°С...