Лінійка напівпровідникових приймачів випромінювання для скануючих цифрових рентгенографічних систем “маска”

Лінійка напівпровідникових приймачів випромінювання для скануючих цифрових рентгеногра 3 15920 4 полягає у тому, що, використовуючи суміщення виконаної з прозорого для рентгенівського випродвох відомих рішень (перевипромінюючий підсимінювання матеріалу, до якої приєднані порошкові люючий екран та растр), автори отримали додатсцинтиляційні елементи та непрозора маска. Масковий позитивний ефект, а саме растр ослаблює ка була виготовлена методом лазерної літографії не тільки фон рентгенівського випромінювання, на лазерному технологічному комплексі ЛТ16але й фон оптичного "засвічування" у перевіпромі400/500, який дозволяє реалізувати роздільну зданюючому екрані. Корисність запропонованого техтність до 8 ліній на мм. Були виготовлені дві маски нічного рішення обумовлена спрощенням конструз коварової фольги сумарною товщиною 150мкм. кції, тому що використаний принци 2 в 1. Розмір непрозорої області складав 200мкм, а проТехнологія виготовлення маски з комірками для зорої - 300мкм. Для приєднання перевипромінююзаповнення їх матеріалом, який перевипромінює, чого екрану до лінійки фотодіодів використали може бути реалізована методами фотолітографії шар неорганічного в'яжучого товщиною від 2 до або лазерною обробкою ("пропалюванням") фоль5мкм. Для порівняння характеристик виготовленоги з різних металів (Аl, Cu, Mo, W та інші). го екрану були проведені дослідження перевипроПриклад реалізації. Для створення матеріалу, мінюючих екранів виробництва Інституту монокрищо перевипромінює, був використаний люмінофор сталів НАН України (м.Харків). Ці екрани Y2OS(Еu), який використовують у промисловості у представляють собою лінійки монокристалів якості червоного люмінофору для кольорових кіZnSe(Te), які розділені шарами діелектричної комнескопів. позиції з Аl2О3 - ТiO2 товщиною 150мкм. Цей люмінофор має цілу низку переваг у поріВимірювання та дослідження розподілу інтенвнянні з тими, яки широко використовують у тепесивності світіння досліджених зразків показало рішній час: збільшення контрастності зображення при викоридовжина хвилі максимуму оптичного випромістанні запропонованого перевипромінюючого екнювання від 625 до 650нм, що відповідає максирану від 1,5 до 2 разів. муму спектральної чутливості кремнієвих фотодіоВраховуючи, що запропоноване рішення мождів; на зіставити із своєрідною маскою, автори просять низька гігроскопічність, стійкість до дії розчинів присвоїти назву "МАСКА" запропонованій лінійці. кислот; Література: висока радіаційна стабільність; 1. Рекламні матеріали фірми HAMAMATSU, технологічні аспекти отримання структур з виЯпонія, на фотоприймачі серії S8865-128G та сокою інтенсивністю світіння широко відомі. S8865-256G. Була також створена маска з комірковою струhttp://sales.hamamatsu.com/en/products/solid-stateктурою, у якої розміри перевипромінюючих елемеdivision/image-sensors/photodiode-array-withнтів співпадають з розмірами фотодіодів лінійки, а amplifier.php розміри непрозорих областей співпадають з роз2. Основы рентгенодиагностической техники / мірами зазору між фотодіодами. Товщина маски з Под ред. Η.Η. Блинова. - М.: Медицина. - 2002г. комірковою структурою була рівною або переви392с. щувала товщину перевипромінюючої речовини на 3. Schueler Β.Α. General Overview of 10-20% і складала 300-350мкм. Конструктивно Fluoroscopic Imaging. 2002; 20; 111-1126. перевипромінюючий екран складався з підкладки, Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601