H05K 3/18 — нанесення струмопровідного матеріалу шляхом осадження
Спосіб формування провідного рисунка на непровідній поверхні
Номер патенту: 112453
Опубліковано: 12.09.2016
Автор: Уізманн Уільям
МПК: H01L 21/768, H05K 3/38, H05K 3/18, H05K 3/10 ...
Мітки: формування, провідного, рисунка, непровідній, поверхні, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування провідного шару на поверхні, який включає:активацію принаймні частини непровідної поверхні підкладки;накладання магнітного поля на згадану поверхню;нанесення координаційного комплексу металу на принаймні частину активованої ділянки поверхні;усування згаданого магнітного поля;піддавання згаданого координаційного комплексу металу електромагнітному випромінюванню;відновлення...
Спосіб виготовлення топологічного малюнка на деталях із силікатних матеріалів
Номер патенту: 12552
Опубліковано: 15.02.2006
Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович
МПК: H01S 3/14, H05K 3/18, H05K 3/02 ...
Мітки: силікатних, виготовлення, топологічного, матеріалів, спосіб, малюнка, деталях
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення топологічного малюнка на деталях із силікатних матеріалів, який включає очищення поверхні деталей, нанесення на поверхню деталей вакуумного металевого покриття та створення топологічного малюнка шляхом видалення цього покриття у потрібних ділянках поверхні, який відрізняється тим, що видалення покриття проводять шляхом дії на потрібні ділянки поверхні лазерного когерентного випромінювання з потужністю від 1 до 50 Вт та...
Спосіб виготовлення топологічних малюнків
Номер патенту: 70053
Опубліковано: 15.09.2004
Автори: Сизов Федір Федорович, Сарсембаєва Анна Зулхаїрівна, Циркунов Юрій Якимович, Маслов Володимир Петрович
МПК: H05K 3/18, H05K 3/02
Мітки: виготовлення, малюнків, топологічних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення топологічних малюнків, що включає очищення полірованої поверхні підкладки із сапфіру або алундової кераміки, нанесення на неї в вакуумі при нагріванні шару адгезійно активного металу хрому, наступного шару золота, фотолітографію та сушіння, який відрізняється тим, що покриття наносять при температурі 50÷100°С, а після операції фотолітографії проводять додаткове відпалення у вакуумі при температурі 250÷350°С...