H01L 21/473 — складаються з оксидів, склоподібних оксидів або на основі оксидів скла
Напівпровідникове кисневе скло
Номер патенту: 36106
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Новікова Лідія Володимирівна, Пономаренко Ольга Михайлівна, Новіков Олександр Олександрович
МПК: H01L 21/473, C03C 3/12
Мітки: кисневе, скло, напівпровідникове
Текст:
...15 мас. %. У підготовлений розчин додають борну кислоту 30 мас. %, при цьому утворюється гель. Отриманий гель наносять на діелектричні поверхні, що потребують у захисті від ЕМВ. Склоутворювання на поверхні проводять у печі при температурі 700750°С протягом 15 хвилин. Мінімальна дозволена кількість склоутворювача та велика кількість модифікатора та домішок створює умови до сильної ліквації скляних плівок. N (показник надлом- К (коеф....